模擬技術(shù)
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永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型（2）
三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示，由3個(gè)H半橋組成，因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個(gè)H半橋的正母線電流之和，直流負(fù)母線電流i_n為三個(gè)H半橋的負(fù)母線電流之和。...
2023-06-25 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)逆變器仿真器IGBTsimulink仿真 2346
平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)...
2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管SiCRCDRCS 6617
【新品發(fā)布】HA1007型軌到軌超高速單通道比較器
HA1007型軌到軌超高速單通道比較器是深圳市乾鴻微電子有限公司自主設(shè)計(jì)，并基于國(guó)內(nèi)代工廠工藝流片的模擬集成電路產(chǎn)品。該產(chǎn)品為單通道寬帶比較器，具有關(guān)斷SHDN控制端口；HA1007典型傳輸...
【世說(shuō)芯品】Microchip發(fā)布業(yè)界能效最高的中端FPGA工業(yè)邊緣協(xié)議棧、更多核心庫(kù)
隨著智能邊緣設(shè)備對(duì)能效、安全性和可靠性提出新要求，系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)工程師不得不尋找新的解決方案。MicrochipTechnologyInc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出新的開(kāi)發(fā)資源和設(shè)計(jì)服務(wù)，以幫助...
ADI高性能產(chǎn)品和應(yīng)用研討會(huì)(桂林站)
AnalogDevices,Inc.(簡(jiǎn)稱ADI)將創(chuàng)新、業(yè)績(jī)和卓越作為企業(yè)的文化支柱，并基此成長(zhǎng)為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長(zhǎng)的企業(yè)之一。ADI公司是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理技術(shù)全球領(lǐng)先的供應(yīng)商，擁...
ADI高性能產(chǎn)品和應(yīng)用研討會(huì)(昆明站)
AnalogDevices,Inc.(簡(jiǎn)稱ADI)將創(chuàng)新、業(yè)績(jī)和卓越作為企業(yè)的文化支柱，并基此成長(zhǎng)為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長(zhǎng)的企業(yè)之一。ADI公司是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理技術(shù)全球領(lǐng)先的供應(yīng)商，擁...
橫向型與垂直型MOSFET簡(jiǎn)介
橫向型MOSFET，又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。...
東沃10G（萬(wàn)兆）以太網(wǎng)Ethernet網(wǎng)口浪涌靜電防護(hù)方案設(shè)計(jì)
以太網(wǎng)Ethernet是一系列常用于局域網(wǎng)LAN、城域網(wǎng)MAN和廣域網(wǎng)WAN的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)。...
某單板TVS接地不當(dāng)造成輻射騷擾超標(biāo)問(wèn)題分析
某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測(cè)試超標(biāo)，通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)掃描配合定位分析，逐步找出騷擾源、傳播路徑，最終通過(guò)修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問(wèn)題。...
2023-06-25 標(biāo)簽：emcTVS管以太網(wǎng)接口PCB走線FPGA開(kāi)發(fā)板 1262
2023年中國(guó)新型功率半導(dǎo)體器件（IGBT）產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場(chǎng)分析
IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控...
反激電源Ⅸ：輸出二極管
次級(jí)繞組輸出二極管D1通常選用肖特基二極管，或超快恢復(fù)二極管，一是因?yàn)檫@兩種二極管反向恢復(fù)時(shí)間trr短，二是因?yàn)檫@兩種二極管正向?qū)▔篤f降小。...
2023-06-25 標(biāo)簽：整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管反激電源變壓器 4236
晶體管/場(chǎng)效應(yīng)管/集成運(yùn)放恒流源電路設(shè)計(jì)
LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動(dòng)，其實(shí)，在很多電子設(shè)備中，有許多用電設(shè)備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負(fù)載提供恒定電流的電源稱為恒流源。所謂恒流，...
2023-06-25 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)運(yùn)放晶體管恒流源 7306
電平設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：電平匹配設(shè)計(jì)
單端邏輯電平的匹配是我們平時(shí)在硬件設(shè)計(jì)中最經(jīng)常碰到的，我們?cè)凇禩TL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對(duì)TTL和COMS電平的匹配設(shè)計(jì)做了一些分析，一般3.3V LVTTL和LVCMOS是可以直接相互驅(qū)動(dòng)的。但是其它...
2023-06-25 標(biāo)簽：二極管FPGA設(shè)計(jì)MOS管電源電壓門電路 5047
反激電源X：MOS管的柵極供電
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過(guò)其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。...
2023-06-25 標(biāo)簽：MOS管PWM控制寄生電容反激電源驅(qū)動(dòng)芯片 3079
科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線...
MOS管的柵極開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電阻
在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。...
2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器振蕩器MOS管PCB設(shè)計(jì)寄生電感 9548
未來(lái)SiC在充電樁上的應(yīng)用
為了解決電動(dòng)汽車補(bǔ)能痛點(diǎn)，大功率快充是大部分車企選擇的路線，在800V平臺(tái)的應(yīng)用下，充電功率可以輕松超過(guò)200kW，而一些車型通過(guò)采用更高充電倍率的電池包，快充功率可以超過(guò)400kW。...
基于51單片機(jī)的模擬舵機(jī)控制實(shí)驗(yàn)
根據(jù)上圖我們可以得知，要想控制舵機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)指定的角度，必須要讓它在一定的周期（20ms）中，獲得一定時(shí)間(分別是0.5ms、1ms、1.5ms、2ms、2.5sm)的高電平，具體對(duì)應(yīng)關(guān)系，上圖中已給出。...
反激開(kāi)關(guān)電源：RCD吸收電路
反激開(kāi)關(guān)電源在MOS管關(guān)斷時(shí)，變壓器初級(jí)繞組漏感存儲(chǔ)的能量無(wú)法向次級(jí)繞組傳遞，初級(jí)繞組的漏感和MOS管的寄生電容產(chǎn)生了諧振電壓波形。...
2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管電容充電反激開(kāi)關(guān)電源變壓器 21789
反激開(kāi)關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開(kāi)關(guān)波形
結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開(kāi)關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開(kāi)關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。...
2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管鉗位電壓反激開(kāi)關(guān)電源變壓器 6355
Multisim仿真—液面位置檢測(cè)及分離
為了能夠準(zhǔn)確的完成對(duì)不同成分的液體進(jìn)行分離，準(zhǔn)確地檢測(cè)到液面的位置是否必要的一個(gè)環(huán)節(jié)。...
2023-06-25 標(biāo)簽：傳感器接收器信號(hào)處理器Multisim仿真Multisim仿真傳感器信號(hào)處理器接收器紅外二極管 2315
DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)？
反激開(kāi)關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異，主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計(jì)上。這篇文章展開(kāi)說(shuō)明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。...
2023-06-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DCM反激開(kāi)關(guān)電源變壓器 5125
三極管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
數(shù)電和模電到底什么？單片機(jī)的IO口處理的是什么？硬件通訊是怎么來(lái)完成的？...
2023-06-25 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)發(fā)射機(jī)驅(qū)動(dòng)電路蜂鳴器 2853
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