日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Onsemi互補功率晶體管MJD44H11和MJD45H11的技術(shù)解析

lhl545545 ? 2026-05-21 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Onsemi互補功率晶體管MJD44H11和MJD45H11的技術(shù)解析

電子工程師的日常設(shè)計工作中,功率晶體管是至關(guān)重要的元件,它們廣泛應(yīng)用于各類電源開關(guān)電路。Onsemi的MJD44H11(NPN)和MJD45H11(PNP)互補功率晶體管,專為通用功率和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,如開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器功率放大器的輸出或驅(qū)動級。接下來,我們深入了解這兩款晶體管的特點、參數(shù)及應(yīng)用。

文件下載:MJD44H11-D.PDF

產(chǎn)品特點

封裝形式

MJD44H11和MJD45H11有多種封裝形式,適用于表面貼裝應(yīng)用。其中,有引腳成型用于表面貼裝的塑料套管封裝(無后綴),還有直引腳版本的塑料套管封裝(“ -1”后綴)。這種多樣化的封裝選擇,能滿足不同的設(shè)計需求。

電氣特性

  • 與流行系列相似:電氣特性與流行的D44H/D45H系列相似,方便工程師進(jìn)行替代設(shè)計。
  • 低飽和電壓:具有低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓,這有助于降低功耗,提高電路效率。
  • 快速開關(guān)速度:能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
  • 互補對設(shè)計:互補對的設(shè)計簡化了電路設(shè)計,減少了元件數(shù)量,提高了系統(tǒng)的可靠性。

環(huán)保特性

該器件為無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。同時,對于汽車和其他有特殊要求的應(yīng)用,帶有NJV前綴的產(chǎn)品符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),并具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。

最大額定值

在使用MJD44H11和MJD45H11時,需要注意其最大額定值,以確保器件的安全可靠運行。以下是一些關(guān)鍵的最大額定值參數(shù): 額定參數(shù) 符號 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 80 Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓 VEB 5 Vdc
集電極連續(xù)電流 IC 8 Adc
集電極峰值電流 ICM 16 Adc
總功率耗散(Tc = 25°C,25°C以上降額) PD 20,0.16 W,W/°C
總功率耗散(Ta = 25°C,25°C以上降額) PD 1.75,0.014 W,W/°C
工作和存儲結(jié)溫范圍 TJ,Tstg -55 至 +150 °C
靜電放電 - 人體模型 HBM 3B V
靜電放電 - 機器模型 MM C V

需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

熱特性

熱特性對于功率晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。該器件的焊接引腳溫度為71.4°C,在進(jìn)行焊接操作時,需要控制好溫度,避免對器件造成損壞。

電氣特性

截止特性

  • 集電極 - 發(fā)射極維持電壓:VCEO(sus)在IC = 30 mA,IB = 0時為80 Vdc。
  • 集電極截止電流:ICES在VCE = 額定VCEO,VBE = 0時最大為1.0 A。
  • 發(fā)射極截止電流:IEBO在VEB = 5 Vdc時最大為1.0 A。

導(dǎo)通特性

  • 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:VCE(sat)在IC = 8 Adc,IB = 0.4 Adc時最大為1 Vdc。
  • 基極 - 發(fā)射極飽和電壓:VBE(sat)在IC = 8 Adc,IB = 0.8 Adc時最大為1.5 Vdc。
  • 直流電流增益:hFE在VCE = 1 Vdc,IC = 2 Adc和IC = 4 Adc時有不同的值。

動態(tài)特性

  • 集電極電容:MJD45H11在V = 10 Vdc,f = 1 MHz時最大為130 pF。
  • 增益帶寬積:MJD44H11和MJD45H11在IC = 0.5 Adc,VCE = 10 Vdc,f = 20 MHz時分別為85 MHz和90 MHz。

開關(guān)時間

在IC = 5 Adc,IB1 = 0.5 Adc的條件下,MJD44H11和MJD45H11的延遲和上升時間、存儲時間、下降時間各有不同。例如,MJD44H11的延遲和上升時間為300 ns,MJD45H11為135 ns。

安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的IC - VCE限制,為了確??煽窟\行,必須遵守這些限制。圖2的數(shù)據(jù)基于TJ(pk) = 150°C,Tc根據(jù)條件而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%且TJ(pk) ≤ 150°C時有效。

訂購信息

MJD44H11和MJD45H11有多種訂購選項,包括不同的封裝類型和包裝方式。例如,有DPAK(無鉛)和IPAK(無鉛)封裝,包裝方式有75個/導(dǎo)軌、1800個/卷帶和2500個/卷帶等。需要注意的是,部分器件已經(jīng)停產(chǎn),具體信息可參考數(shù)據(jù)表第7頁的表格。

機械尺寸

文檔中還提供了DPAK - 3(CASE 369C)、IPAK(CASE 369D)和DPAK - 3(CASE 369G)的機械尺寸和標(biāo)記圖,工程師在進(jìn)行電路板設(shè)計時,需要根據(jù)這些尺寸進(jìn)行合理布局。

Onsemi的MJD44H11和MJD45H11互補功率晶體管以其優(yōu)良的性能和多樣化的封裝選擇,為電子工程師在電源和開關(guān)電路設(shè)計中提供了可靠的解決方案。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求,合理選擇器件,并嚴(yán)格遵守其參數(shù)和使用條件,以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這兩款晶體管時,有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MJD45H11 8 A 80 V PNP雙極功率晶體管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)MJD45H11相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有MJD45H11的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,MJD45H11真值表,
    發(fā)表于 08-03 02:02
    <b class='flag-5'>MJD45H11</b> 8 A 80 V PNP雙極<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    80V,8A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A

    80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
    發(fā)表于 02-17 18:41 ?0次下載
    80V,8A PNP 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-<b class='flag-5'>MJD45H11</b>A

    80V,8A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11

    80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
    發(fā)表于 02-20 19:37 ?0次下載
    80V,8A PNP 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-<b class='flag-5'>MJD45H11</b>

    80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A

    80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
    發(fā)表于 02-20 19:37 ?0次下載
    80V,8A NPN 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-<b class='flag-5'>MJD44H11</b>A

    80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11

    80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
    發(fā)表于 02-20 19:38 ?1次下載
    80V,8A NPN 大<b class='flag-5'>功率</b>雙極<b class='flag-5'>晶體管</b>-<b class='flag-5'>MJD44H11</b>

    Onsemi達(dá)林頓功率晶體管MJD44E3和NJVMJD44E3T4G的特性與應(yīng)用

    Onsemi達(dá)林頓功率晶體管MJD44E3和NJVMJD44E3T4G的特性與應(yīng)用 在電子電路設(shè)計領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?270次閱讀

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補達(dá)林頓功率晶體管

    深入解析 onsemi MJD128T4G 互補達(dá)林頓功率晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?238次閱讀

    探索安森美互補達(dá)林頓功率晶體管MJD122與MJD127的卓越性能

    探索安森美互補達(dá)林頓功率晶體管MJD122與MJD127的卓越性能 在電子工程領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:00 ?231次閱讀

    安森美MJF44H11與MJF45H11互補功率晶體管:設(shè)計利器

    安森美MJF44H11與MJF45H11互補功率晶體管:設(shè)計利器 在電子設(shè)計領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 05-21 13:45 ?140次閱讀

    onsemi高壓功率晶體管MJD47、MJD50系列產(chǎn)品解析

    onsemi高壓功率晶體管MJD47、MJD50系列產(chǎn)品解析 在電子工程領(lǐng)域,高壓
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:10 ?180次閱讀

    安森美MJD31(NPN)和MJD32(PNP)互補功率晶體管深度解析

    安森美MJD31(NPN)和MJD32(PNP)互補功率晶體管深度解析 在電子工程領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:30 ?190次閱讀

    安森美MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管深度解析

    安森美MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管深度解析 在電子工程師的
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:30 ?362次閱讀

    Onsemi互補功率晶體管MJB44H11和MJB45H11:特性與應(yīng)用解析

    Onsemi互補功率晶體管MJB44H11和MJB45H11:特性與應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:40 ?210次閱讀

    安森美MJD200(NPN)和MJD210(PNP)互補功率晶體管深度解析

    安森美MJD200(NPN)和MJD210(PNP)互補功率晶體管深度解析 在電子工程師的日常設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 05-21 15:50 ?264次閱讀

    onsemi D44H/D45H系列互補功率晶體管技術(shù)剖析

    onsemi D44H/D45H系列互補功率晶體管技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-25 13:55 ?195次閱讀
    扶绥县| 玉树县| 逊克县| 鸡泽县| 平遥县| 来宾市| 察雅县| 敦化市| 新和县| 酒泉市| 泰来县| 鄱阳县| 枞阳县| 五原县| 侯马市| 商都县| 六枝特区| 华坪县| 诏安县| 涞源县| 雅江县| 娄烦县| 绥芬河市| 宝清县| 甘孜县| 疏勒县| 临城县| 汉川市| 胶州市| 龙山县| 洪洞县| 绥中县| 天镇县| 长顺县| 阜阳市| 公安县| 上饶市| 赣州市| 建水县| 民丰县| 曲水县|