Onsemi互補功率晶體管MJD44H11和MJD45H11的技術(shù)解析
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,功率晶體管是至關(guān)重要的元件,它們廣泛應(yīng)用于各類電源和開關(guān)電路。Onsemi的MJD44H11(NPN)和MJD45H11(PNP)互補功率晶體管,專為通用功率和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,如開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和功率放大器的輸出或驅(qū)動級。接下來,我們深入了解這兩款晶體管的特點、參數(shù)及應(yīng)用。
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產(chǎn)品特點
封裝形式
MJD44H11和MJD45H11有多種封裝形式,適用于表面貼裝應(yīng)用。其中,有引腳成型用于表面貼裝的塑料套管封裝(無后綴),還有直引腳版本的塑料套管封裝(“ -1”后綴)。這種多樣化的封裝選擇,能滿足不同的設(shè)計需求。
電氣特性
- 與流行系列相似:電氣特性與流行的D44H/D45H系列相似,方便工程師進(jìn)行替代設(shè)計。
- 低飽和電壓:具有低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓,這有助于降低功耗,提高電路效率。
- 快速開關(guān)速度:能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
- 互補對設(shè)計:互補對的設(shè)計簡化了電路設(shè)計,減少了元件數(shù)量,提高了系統(tǒng)的可靠性。
環(huán)保特性
該器件為無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。同時,對于汽車和其他有特殊要求的應(yīng)用,帶有NJV前綴的產(chǎn)品符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),并具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
最大額定值
| 在使用MJD44H11和MJD45H11時,需要注意其最大額定值,以確保器件的安全可靠運行。以下是一些關(guān)鍵的最大額定值參數(shù): | 額定參數(shù) | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 80 | Vdc | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEB | 5 | Vdc | |
| 集電極連續(xù)電流 | IC | 8 | Adc | |
| 集電極峰值電流 | ICM | 16 | Adc | |
| 總功率耗散(Tc = 25°C,25°C以上降額) | PD | 20,0.16 | W,W/°C | |
| 總功率耗散(Ta = 25°C,25°C以上降額) | PD | 1.75,0.014 | W,W/°C | |
| 工作和存儲結(jié)溫范圍 | TJ,Tstg | -55 至 +150 | °C | |
| 靜電放電 - 人體模型 | HBM | 3B | V | |
| 靜電放電 - 機器模型 | MM | C | V |
需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
熱特性對于功率晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。該器件的焊接引腳溫度為71.4°C,在進(jìn)行焊接操作時,需要控制好溫度,避免對器件造成損壞。
電氣特性
截止特性
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓:VCEO(sus)在IC = 30 mA,IB = 0時為80 Vdc。
- 集電極截止電流:ICES在VCE = 額定VCEO,VBE = 0時最大為1.0 A。
- 發(fā)射極截止電流:IEBO在VEB = 5 Vdc時最大為1.0 A。
導(dǎo)通特性
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:VCE(sat)在IC = 8 Adc,IB = 0.4 Adc時最大為1 Vdc。
- 基極 - 發(fā)射極飽和電壓:VBE(sat)在IC = 8 Adc,IB = 0.8 Adc時最大為1.5 Vdc。
- 直流電流增益:hFE在VCE = 1 Vdc,IC = 2 Adc和IC = 4 Adc時有不同的值。
動態(tài)特性
- 集電極電容:MJD45H11在V = 10 Vdc,f = 1 MHz時最大為130 pF。
- 增益帶寬積:MJD44H11和MJD45H11在IC = 0.5 Adc,VCE = 10 Vdc,f = 20 MHz時分別為85 MHz和90 MHz。
開關(guān)時間
在IC = 5 Adc,IB1 = 0.5 Adc的條件下,MJD44H11和MJD45H11的延遲和上升時間、存儲時間、下降時間各有不同。例如,MJD44H11的延遲和上升時間為300 ns,MJD45H11為135 ns。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的IC - VCE限制,為了確??煽窟\行,必須遵守這些限制。圖2的數(shù)據(jù)基于TJ(pk) = 150°C,Tc根據(jù)條件而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%且TJ(pk) ≤ 150°C時有效。
訂購信息
MJD44H11和MJD45H11有多種訂購選項,包括不同的封裝類型和包裝方式。例如,有DPAK(無鉛)和IPAK(無鉛)封裝,包裝方式有75個/導(dǎo)軌、1800個/卷帶和2500個/卷帶等。需要注意的是,部分器件已經(jīng)停產(chǎn),具體信息可參考數(shù)據(jù)表第7頁的表格。
機械尺寸
文檔中還提供了DPAK - 3(CASE 369C)、IPAK(CASE 369D)和DPAK - 3(CASE 369G)的機械尺寸和標(biāo)記圖,工程師在進(jìn)行電路板設(shè)計時,需要根據(jù)這些尺寸進(jìn)行合理布局。
Onsemi的MJD44H11和MJD45H11互補功率晶體管以其優(yōu)良的性能和多樣化的封裝選擇,為電子工程師在電源和開關(guān)電路設(shè)計中提供了可靠的解決方案。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求,合理選擇器件,并嚴(yán)格遵守其參數(shù)和使用條件,以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這兩款晶體管時,有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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