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安森美MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管深度解析

lhl545545 ? 2026-05-21 15:30 ? 次閱讀
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安森美MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管深度解析

電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的功率晶體管至關重要。安森美(onsemi)推出的MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管,專為低電壓、低功率、高增益音頻放大器應用而設計,接下來讓我們深入了解這款產品。

文件下載:MJD243-D.PDF

產品特性

高直流電流增益

晶體管具有高直流電流增益,這使得它在音頻放大器等應用中能夠有效地放大信號,確保信號的強度和質量。在實際設計中,高增益可以減少信號失真,提高音頻的清晰度和音質。

多種封裝形式

它有兩種封裝形式可供選擇。一種是適用于表面貼裝應用的DPAK - 3封裝,其引腳經(jīng)過特殊成型處理,可直接用于表面貼裝;另一種是直引腳版本,后綴為“ - 1”,同樣采用塑料套管封裝。這種多樣化的封裝形式滿足了不同的設計需求,方便工程師根據(jù)實際情況進行選擇。

低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓

低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓意味著在晶體管導通時,能量損耗較小,從而提高了整個電路的效率。在音頻放大器中,這有助于降低功耗,減少發(fā)熱,延長設備的使用壽命。

高電流增益 - 帶寬積和低泄漏環(huán)形結構

高電流增益 - 帶寬積使得晶體管能夠在較寬的頻率范圍內保持良好的性能,適用于多種音頻信號的放大。而低泄漏環(huán)形結構則有效地減少了電流泄漏,提高了晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。

環(huán)保特性

這些器件是無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR)的,并且符合RoHS標準,滿足了環(huán)保要求,也符合現(xiàn)代電子產品對綠色環(huán)保的趨勢。

最大額定值

額定值 符號 單位
集電極 - 基極電壓 VCB 100 Vdc
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 100 Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓 VEB 7.0 Vdc
集電極電流 - 連續(xù) IC 4.0 Adc
集電極電流 - 峰值 ICM 8.0 Adc
基極電流 IB 1.0 Adc
總器件功耗 @ TC = 25 °C
高于25 °C時降額
PD 12.5
0.1
W
W/°C
總器件功耗 @ TA = 25 °C(注1)
高于25 °C時降額
PD 1.4
0.011
W
W/°C
工作和存儲結溫范圍 TJ, Tstg -65 to +150 °C
ESD - 人體模型 HBM 3B V
ESD - 機器模型 MM C V

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能正常,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。注1中提到的條件是FR - 4 75 mm2,2oz. Cu。

熱特性

特性 符號 單位
結到外殼的熱阻(注2) RJC 10 °C/W
結到環(huán)境的熱阻(注3) RJA 89.3 °C/W

注2中提到的是FR - 4最小焊盤,1oz. Cu;注3中是FR - 4 475 mm2,2oz. Cu。熱特性對于功率晶體管的性能和可靠性至關重要,在設計散熱方案時,需要根據(jù)這些熱阻參數(shù)來確保晶體管的工作溫度在合理范圍內。

電氣特性

關斷特性

  • 集電極 - 發(fā)射極維持電壓:在IC = 10 mAdc,IB = 0的條件下,VCEO(sus)為100 Vdc。
  • 集電極截止電流:在VCB = 100 Vdc,IE = 0時,ICBO為100 nAdc;在VCB = 100 Vdc,IE = 0,TJ = 125 °C時,ICBO為100 Adc。
  • 發(fā)射極截止電流:在VBE = 7.0 Vdc,IC = 0時,IEBO為100 nAdc。

直流電流增益

在IC = 200 mAdc,VCE = 1.0 Vdc時,hFE最小值為40,最大值為180;在IC = 1.0 Adc,VCE = 1.0 Vdc時,hFE最小值為15。

集電極 - 發(fā)射極飽和電壓

在IC = 500 mAdc,IB = 50 mAdc時,VCE(sat)最大值為0.3 Vdc;在IC = 1.0 Adc,IB = 100 mAdc時,VCE(sat)最大值為0.6 Vdc。

基極 - 發(fā)射極飽和電壓

在IC = 2.0 Adc,IB = 200 mAdc時,VBE(sat)為1.8 Vdc。

基極 - 發(fā)射極導通電壓

在IC = 500 mAdc,VCE = 1.0 Vdc時,VBE(on)為 - 1.5 Vdc。

動態(tài)特性

  • 電流增益 - 帶寬積:在IC = 100 mAdc,VCE = 10 Vdc,ftest = 10 MHz的條件下,fT為40 MHz。
  • 輸出電容:在VCB = 10 Vdc,IE = 0,f = 0.1 MHz時,Cob為50 pF。

產品的參數(shù)性能在列出的測試條件下通過電氣特性來表示,但如果在不同條件下運行,產品性能可能無法通過這些電氣特性體現(xiàn)。注4中提到脈沖測試的脈沖寬度為300 μs,占空比為2%;注5中fT = |hFE| · ftest

安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力有兩個限制:平均結溫和二次擊穿。安全工作區(qū)曲線表示了晶體管的IC - VCE限制,為了可靠運行,必須遵守這些限制,即晶體管的功耗不能超過曲線所示的值。

訂購信息

器件 封裝類型 封裝 運輸方式
MJD243G DPAK - 3(無鉛) 369C 75個/導軌
MJD243T4G DPAK - 3(無鉛) 369C 2,500個/卷帶
NJVMJD243T4G* DPAK - 3(無鉛) 369C 2,500個/卷帶
MJD253T4G DPAK - 3(無鉛) 369C 2,500個/卷帶
NJVMJD253T4G* DPAK - 3(無鉛) 369C 2,500個/卷帶

同時,部分器件已經(jīng)停產,如MJD253 - 1G,其封裝為IPAK(無鉛)369D,運輸方式為75個/導軌。對于卷帶規(guī)格的信息,可參考安森美的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure,BRD8011/D。

機械尺寸和標記

文檔中還提供了DPAK - 3和IPAK兩種封裝的機械尺寸詳細信息,包括各個尺寸的最小值、標稱值和最大值。同時,也給出了通用標記圖,不同的引腳定義有多種風格可供參考。

安森美的MJD243(NPN)和MJD253(PNP)互補硅塑料功率晶體管具有諸多優(yōu)秀特性,在低電壓、低功率、高增益音頻放大器應用中有著良好的表現(xiàn)。工程師在設計時,需要根據(jù)具體的應用需求,綜合考慮其最大額定值、熱特性、電氣特性等參數(shù),合理選擇封裝和引腳定義,以確保電路的性能和可靠性。你在使用這款晶體管的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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