深入解析 onsemi KSD1616A NPN 外延硅晶體管
深入解析 onsemi KSD1616A NPN 外延硅晶體管
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天，我們就來深入了解 onsemi 公司的 KSD1616A NPN 外延硅晶體管，探討其特性、參數(shù)及應(yīng)用要點(diǎn)。
文件下載：KSD1616A-D.PDF
一、KSD1616A 概述
KSD1616A 是一款 NPN 外延硅晶體管，具有音頻功率放大和中速開關(guān)的功能，并且與 KSB1116/KSB1116A 互補(bǔ)。同時(shí)，它還是無鉛器件，符合環(huán)保要求。
二、絕對(duì)最大額定值
| 在使用晶體管時(shí)，了解其絕對(duì)最大額定值至關(guān)重要，因?yàn)槌^這些限制可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。以下是 KSD1616A 在 (T_{A}=25^{circ} C) 時(shí)的絕對(duì)最大額定值： | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| VCBO | Collector - Base Voltage | 120 | V | |
| VCEO | Collector - Emitter Voltage | 60 | V | |
| VEBO | Emitter - Base Voltage | 6 | V | |
| IC | Collector Current (DC) | 1 | A | |
| ICP | Collector Current (Pulse) (Note 2) | 2 | A | |
| TJ | Junction Temperature | 150 | °C | |
| TSTG | Storage Temperature | -55 to 150 | °C |
需要注意的是，脈沖寬度 ≤10 ms，占空比 <50%。
三、熱特性
| 熱特性對(duì)于晶體管的性能和穩(wěn)定性有重要影響。KSD1616A 在 (T_{A}=25^{circ} C) 時(shí)的熱特性如下： | Symbol | Parameter | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|
| PD | Total Device Dissipation | 0.75 | W | |
| Derate Above 25 °C | 6 | mW/°C | ||
| RJA | Thermal Resistance, Junction - to - Ambient | 160 | °C/W |
這里的 PCB 尺寸為 FR - 4，76 mm × 114 mm × 1.57 mm (3.0 inch × 4.5 inch × 0.062 inch)，且具有最小焊盤圖案尺寸。
四、標(biāo)記圖與訂購信息
標(biāo)記圖
標(biāo)記圖包含了重要的信息，如 A 表示組裝位置，D1616Ax 是特定器件代碼（x = G 或 Y），Y 是生產(chǎn)年份，WW 是工作周編號(hào)。
訂購信息
| Device | Package | Shipping |
|---|---|---|
| KSD1616AGBU | TO - 92 - 3 | 10,000 Units / (Pb - Free) Bulk Bag |
| KSD1616AGTA | TO - 92 - 3 LF | 2,000 Units / (Pb - Free) Fan - Fold |
| KSD1616AYTA | TO - 92 - 3 LF (Pb - Free) | 2,000 Units / Fan - Fold（已停產(chǎn)） |
需要注意的是，KSD1616AYTA 已停產(chǎn)，若需要相關(guān)信息可聯(lián)系 onsemi 代表，最新信息可在 www.onsemi.com 上查詢。
五、電氣特性
| 電氣特性是衡量晶體管性能的關(guān)鍵指標(biāo)。以下是 KSD1616A 在 (T_{A}=25^{circ} C) 時(shí)的電氣特性： | Symbol | Parameter | Conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BVCBO | Collector - Base Breakdown Voltage | Ic = 100 μA, le = 0 | 120 | V | |||
| BVCEO | Collector - Emitter Breakdown Voltage | Ic = 1 mA, lB = 0 | 60 | V | |||
| BVEBO | Emitter - Base Breakdown Voltage | l = 100 μA, lc = 0 | 6 | V | |||
| ICBO | Collector Cut - Off Current | VcB = 60V, IE = 0 | 100 | nA | |||
| EBO | Emitter Cut - Off Current | VEB = 6V, Ic = 0 | 100 | nA | |||
| hFE1 | DC Current Gain | VcE = 2V, Ic = 100 mA | 135 | 400 | |||
| hFE2 | DC Current Gain | VcE = 2V, Ic = 1A | 81 | ||||
| VBE(on) | Base - Emitter On Voltage (Note 4) | VcE = 2V, Ic = 50 mA | 600 | 640 | 700 | mV | |
| VCE(sat) | Collector - Emitter Saturation Voltage (Note 4) | Ic = 1 A, lB = 50 mA | 0.15 | 0.30 | V | ||
| VBE(sat) | Base - Emitter Saturation Voltage (Note 4) | Ic = 1 A, IB = 50 mA | 0.9 | 1.2 | V | ||
| Cob | Output Capacitance | Vce = 10V, l = 0, f = 1 MHz | 19 | pF | |||
| fr | Current Gain Bandwidth Product | VcE = 2V, Ic = 100 mA | 100 | 160 | MHz | ||
| tON | Turn - On Time | Vcc = 10 V, Ic = 100 mA | 0.07 | μs | |||
| tSTG | Storage Time | lB1 = - l82 = 10 mA, VBE(of) = - 2V ~ - 3V | 0.95 | μs | |||
| tF | Fall Time | 0.07 | μs |
產(chǎn)品的參數(shù)性能在列出的測(cè)試條件下通過電氣特性體現(xiàn)，但在不同條件下運(yùn)行時(shí)，性能可能會(huì)有所不同。脈沖測(cè)試要求脈沖寬度 < 350 μs，占空比 < 2%。
hFE 分類
| hFE 是晶體管的重要參數(shù)之一，KSD1616A 有不同的 hFE 分類： | Classification | Y | G |
|---|---|---|---|
| hFE1 | 135 ~ 270 | 200 ~ 400 |
六、典型性能特性
文檔中還給出了多個(gè)典型性能特性圖，包括靜態(tài)特性、直流電流增益、基極 - 發(fā)射極飽和電壓和集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、集電極輸出電容、開關(guān)時(shí)間、電流增益帶寬積、安全工作區(qū)和功率降額等。這些特性圖可以幫助工程師更好地了解晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
七、機(jī)械尺寸
KSD1616A 采用 TO - 92 封裝，文檔中給出了詳細(xì)的機(jī)械尺寸信息，并且強(qiáng)調(diào)了繪圖參考 JEDEC TO - 92 標(biāo)準(zhǔn)，所有尺寸單位為毫米，繪圖符合 ASME Y14.5M - 1994 標(biāo)準(zhǔn)。
八、總結(jié)與思考
KSD1616A 作為一款性能優(yōu)良的 NPN 外延硅晶體管，在音頻功率放大和中速開關(guān)應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，仔細(xì)考慮其絕對(duì)最大額定值、熱特性和電氣特性等參數(shù)，確保器件在安全可靠的條件下工作。同時(shí)，對(duì)于已停產(chǎn)的型號(hào)，要提前做好替代方案的規(guī)劃。大家在使用這款晶體管的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
希望通過這篇博文，能讓大家對(duì) onsemi KSD1616A 晶體管有更深入的了解，為電子設(shè)計(jì)工作提供有益的參考。
-
電氣特性
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
494瀏覽量
10361
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
評(píng)論