深入解析 onsemi FJV1845 NPN 外延硅晶體管
深入解析 onsemi FJV1845 NPN 外延硅晶體管
在電子設(shè)計領(lǐng)域，晶體管是構(gòu)建各種電路的基礎(chǔ)元件之一。今天，我們將深入探討 onsemi 公司的 FJV1845 NPN 外延硅晶體管，從其基本參數(shù)、特性到封裝等方面進(jìn)行詳細(xì)分析。
文件下載：FJV1845-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
FJV1845 是一款 NPN 外延硅晶體管，采用 SOT - 23 封裝（CASE 318），它是 FJV992 的互補(bǔ)放大器晶體管。該晶體管有三個引腳，分別是基極（Base）、發(fā)射極（Emitter）和集電極（Collector）。
二、絕對最大額定值
| 在使用晶體管時，了解其絕對最大額定值至關(guān)重要，這能確保我們在安全的范圍內(nèi)使用該器件，避免因超出額定值而損壞器件。以下是 FJV1845 在環(huán)境溫度 (T_{a}=25^{circ} C)（除非另有說明）時的絕對最大額定值： | 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (V_{CBO}) | 集電極 - 基極電壓 | 120 | V | |
| (V_{CEO}) | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 120 | V | |
| (V_{EBO}) | 發(fā)射極 - 基極電壓 | 5 | V | |
| (I_{C}) | 集電極電流 | 50 | mA | |
| (I_{B}) | 基極電流 | 10 | mA | |
| (P_{C}) | 集電極耗散功率 | 300 | mW | |
| (T_{J}) | 結(jié)溫 | 150 | °C | |
| (T_{STG}) | 存儲溫度 | -55 ~ 150 | °C |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。
三、訂購信息
FJV1845 有特定的訂購型號 FJV1845FMTF，采用 SOT - 23 封裝，并且是無鉛/無鹵素的。其發(fā)貨形式為每盤 3000 個，采用卷帶包裝。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，包括零件方向和卷帶尺寸等，可參考其 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。
四、hFE2 分類
| FJV1845 的直流電流增益 (h_{FE}) 有不同的分類，具體如下： | 分類 | (h_{FE2}) 范圍 |
|---|---|---|
| P | 200 ~ 400 | |
| F | 300 ~ 600 | |
| E | 400 ~ 800 | |
| U | 600 ~ 1200 |
在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)具體的電路需求，可以選擇合適 (h_{FE}) 分類的器件。
五、電氣特性
| 電氣特性是衡量晶體管性能的重要指標(biāo)，以下是 FJV1845 在 (T_{a}=25^{circ} C)（除非另有說明）時的電氣特性： | 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (I_{CBO}) | 集電極截止電流 | (V{CB} = 120 V)，(I{E} = 0) | - | - | 50 | nA | |
| (I_{EBO}) | 發(fā)射極截止電流 | (V{EB} = 5 V)，(I{C} = 0) | - | - | 50 | nA | |
| (h_{FE1}) | 直流電流增益 | (V{CE} = 6 V)，(I{C} = 0.1 mA) | 150 | 580 | - | ||
| (h_{FE2}) | 直流電流增益 | (V{CE} = 6 V)，(I{C} = 1 mA) | 200 | 600 | 1200 | ||
| (V_{BE (on)}) | 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓 | (V{CE} = 6 V)，(I{C} = 1 mA) | 0.55 | 0.59 | 0.65 | V | |
| (V_{CE (sat)}) | 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 | (I{C} = 10 mA)，(I{B} = 1 mA) | - | 0.07 | 0.3 | V | |
| (f_{T}) | 電流增益帶寬積 | (V{CE} = 6 V)，(I{C} = 1 mA) | 50 | 110 | - | MHz | |
| (C_{ob}) | 輸出電容 | (V{CB} = 30 V)，(I{E} = 0)，(f = 1 MHz) | - | 1.6 | 2.5 | pF |
需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的，如果在不同條件下工作，產(chǎn)品性能可能與電氣特性有所不同。
六、典型特性
文檔中給出了多個典型特性圖，包括靜態(tài)特性、直流電流增益、基極 - 發(fā)射極飽和電壓與集電極 - 發(fā)射極飽和電壓關(guān)系、集電極輸出電容、電流增益帶寬積、集電極電流與基極 - 發(fā)射極電壓關(guān)系以及功率降額等。這些典型特性圖能幫助工程師更好地了解該晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，在電路設(shè)計時可以根據(jù)這些特性進(jìn)行合理的參數(shù)選擇和優(yōu)化。
七、機(jī)械封裝尺寸
| FJV1845 采用 SOT - 23（TO - 236）封裝，其具體尺寸如下： | 尺寸符號 | 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.89 | 1.00 | 1.11 | |
| A1 | 0.01 | 0.06 | 0.10 | |
| b | 0.37 | 0.44 | 0.50 | |
| C | 0.08 | 0.14 | 0.20 | |
| D | 2.80 | 2.90 | 3.04 | |
| E | 1.20 | 1.30 | 1.40 | |
| e | 1.78 | 1.90 | 2.04 | |
| L | 0.30 | 0.43 | 0.55 | |
| L1 | 0.35 | 0.54 | 0.69 | |
| HE | 2.10 | 2.40 | 2.64 | |
| T | 0° | 10° |
在進(jìn)行 PCB 設(shè)計時，需要根據(jù)這些尺寸來合理布局晶體管的位置和引腳連接，確保電路板的設(shè)計符合要求。
八、總結(jié)
FJV1845 NPN 外延硅晶體管具有多種特性和參數(shù)，適用于多種電子電路設(shè)計。在使用該晶體管時，要嚴(yán)格遵守其絕對最大額定值，根據(jù)具體的電路需求選擇合適的 (h_{FE}) 分類，并參考其電氣特性和典型特性圖進(jìn)行設(shè)計。同時，在 PCB 設(shè)計時要注意其封裝尺寸。大家在實(shí)際應(yīng)用中，有沒有遇到過因?yàn)榫w管參數(shù)選擇不當(dāng)而導(dǎo)致電路性能不佳的情況呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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