ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，其750V耐壓SiC MOSFET已被應(yīng)用于AI服務(wù)器電源的BBU（電池備份單元）中。隨著生成式AI的普及，AI服務(wù)器電源正加速向更高電壓及HVDC（高壓直流供電）架構(gòu)演進(jìn)，在這種背景下，羅姆的SiC MOSFET產(chǎn)品被選定為支撐下一代電源系統(tǒng)的SiC功率器件。

隨著生成式AI的普及，GPU的性能不斷提升，數(shù)據(jù)中心的功耗急劇增加。針對(duì)這一課題，相關(guān)產(chǎn)品正在加速采用旨在降低輸電損耗的HVDC架構(gòu)。在這種大功率、高電壓環(huán)境中，為了在停電或瞬停等異常情況下保護(hù)系統(tǒng)及海量數(shù)據(jù)，以服務(wù)器機(jī)架為單位進(jìn)行電力補(bǔ)償?shù)腂BU和CU（電容單元）的作用變得越來越重要。
此次被采用的產(chǎn)品是750V耐壓的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服務(wù)器用±400V供電架構(gòu)的電源單元中。該產(chǎn)品可充分發(fā)揮SiC的特性，具備最高結(jié)溫（Tj）達(dá)175°C的優(yōu)異耐高溫性能，即使在因電壓和功率密度日益提升而導(dǎo)致發(fā)熱量增加的BBU中也能穩(wěn)定工作。
另外，在下一代800VDC供電架構(gòu)中，由于供給BBU內(nèi)部電池組的電源電壓約為560V，因此同樣可以使用750V耐壓的羅姆 SiC MOSFET。
下一代AI服務(wù)器的HVDC電源所需的備份系統(tǒng)，要能夠在發(fā)生異常時(shí)，以瞬時(shí)響應(yīng)且低損耗的方式控制高電壓和大電流。針對(duì)這樣嚴(yán)苛的要求，兼具高耐壓、低損耗、耐高溫特性的SiC功率器件，作為電力控制核心的關(guān)鍵器件備受期待。
羅姆今后將繼續(xù)著眼于AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的發(fā)展，不斷加強(qiáng)采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的開發(fā)與供應(yīng)。同時(shí)，通過提供與模擬IC等產(chǎn)品相組合的綜合解決方案，為提高電力效率和實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)貢獻(xiàn)力量。

＜關(guān)于“EcoSiC?”品牌＞
EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，羅姆一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級(jí)所必需的技術(shù)。另外，羅姆在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，目前已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進(jìn)企業(yè)的地位。

EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

＜相關(guān)信息＞
羅姆已在官網(wǎng)上公開了SiC功率器件的概要、便于按條件選型的“簡(jiǎn)易搜索”功能，以及支持評(píng)估和引入的各種設(shè)計(jì)模型。技術(shù)資料及本文相關(guān)資料參見下方鏈接：
?應(yīng)用筆記：第4代SiC MOSFET 分立器件的特性和電路設(shè)計(jì)的注意點(diǎn)
?應(yīng)用筆記：第4代SiC MOSFET使用時(shí)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
?白皮書：ROHM面向AI服務(wù)器的800VDC架構(gòu)解決方案
?訪談文章：數(shù)據(jù)中心的電力問題日益嚴(yán)重——Delta與ROHM傾力打造HVDC的原因

審核編輯 黃宇