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onsemi BD436G/BD438G/BD440G/BD442G PNP晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用解析

lhl545545 ? 2026-05-25 14:50 ? 次閱讀
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onsemi BD436G/BD438G/BD440G/BD442G PNP晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用解析

電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天我們來深入了解一下 onsemi 推出的 BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 這一系列塑料封裝的中功率硅 PNP 晶體管,看看它們在放大器和開關(guān)應(yīng)用中能發(fā)揮怎樣的作用。

文件下載:BD438-D.PDF

產(chǎn)品概述

BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 系列晶體管可用于放大器和開關(guān)應(yīng)用,其互補類型為 BD437 和 BD441。并且,這些器件為無鉛產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),在環(huán)保要求日益嚴(yán)格的今天,這無疑是一個重要的優(yōu)勢。

最大額定值

了解晶體管的最大額定值對于確保其安全可靠運行至關(guān)重要。以下是該系列晶體管的主要最大額定值參數(shù): 額定參數(shù) 符號 BD436G BD438G BD440G BD442G 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 (V_{CEO}) 32 45 60 80 (V_{dc})
集電極 - 基極電壓 (V_{CBO}) 32 45 60 80 (V_{dc})
發(fā)射極 - 基極電壓 (V_{EBO}) 5.0 - - - (V_{dc})
集電極電流 (I_{C}) 4.0 - - - (A_{dc})
基極電流 (I_{B}) 1.0 - - - (A_{dc})
總器件功耗((T_{C}=25^{circ}C)),(25^{circ}C) 以上降額 (P_{D}) 36 - - - (W)
288 - - - (W/^{circ}C)
工作和存儲結(jié)溫范圍 (T{J}, T{stg}) -55 至 +150 - - - (^{circ}C)

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱特性

熱特性對于晶體管的性能和壽命有著重要影響。不過文檔中關(guān)于熱特性僅給出了一個數(shù)值“3.5”,信息相對較少。在實際設(shè)計中,工程師需要根據(jù)具體應(yīng)用場景,綜合考慮散熱等因素,確保晶體管工作在合適的溫度范圍內(nèi)。

訂購信息

不同型號的晶體管在包裝和發(fā)貨數(shù)量上有所不同,具體如下: 器件 包裝形式 發(fā)貨數(shù)量
BD442G - 500 個/盒
BD436G - 500 個/盒
BD436TG - 50 個/導(dǎo)軌
BD438G TO - 225(無鉛) 500 個/盒
BD438TG - 50 個/導(dǎo)軌
BD440G - 500 個/盒

同時需要注意的是,部分器件已停產(chǎn)(如 BD436G、BD436TG 等標(biāo)注有 DISCONTINUED),不建議用于新設(shè)計。如果需要相關(guān)信息,可聯(lián)系 onsemi 代表,最新信息也可在 www.onsemi.com 上查詢。

電氣特性

在 (T_{C}=25^{circ}C) 的條件下,該系列晶體管的主要電氣特性如下:

擊穿電壓

  • 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓((I{C}=100 mA),(I{B}=0)):BD436G 為 32 (V{dc}),BD438G 為 45 (V{dc}),BD440G 為 60 (V{dc}),BD442G 為 80 (V{dc})。
  • 集電極 - 基極擊穿電壓((I{C}=100 A),(I{B}=0)):BD436G 為 32 (V{dc}),BD438G 為 45 (V{dc}),BD440G 為 60 (V{dc}),BD442G 為 80 (V{dc})。
  • 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓((I{E}=100 A),(I{C}=0)):均為 5.0 (V_{dc})。

截止電流

  • 集電極截止電流(不同 (V{CB}) 條件下,(I{E}=0)):BD436G((V{CB}=32 V))、BD438G((V{CB}=45 V))、BD440G((V{CB}=60 V))、BD442G((V{CB}=80 V))均為 0.1 (m A_{dc})。
  • 發(fā)射極截止電流((V_{EB}=5.0 V)):為 1.0 (m A_{dc})。

直流電流增益

在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下,直流電流增益有所不同。例如,在 (I{C}=10 mA),(V{CE}=5.0 V) 時,BD436G 為 40,BD438G 為 30,BD440G 為 20,BD442G 為 15;在 (I{C}=500 mA),(V{CE}=1.0 V) 時,各型號的增益范圍有所變化;在 (I{C}=2.0 A),(V{CE}=1.0 V) 時,又呈現(xiàn)出不同的數(shù)值。

飽和電壓和導(dǎo)通電壓

  • 集電極飽和電壓(不同 (I{C}) 和 (I{B}) 條件下):BD436G((I{C}=2.0 A),(I{B}=0.2 A))為 0.5 (V{dc}),BD438G((I{C}=3.0 A),(I{B}=0.3 A))為 0.7 (V{dc}),BD440G 和 BD442G 為 0.8 (V_{dc})。
  • 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓((I{C}=2.0 A),(V{CE}=1.0 V)):BD436G/BD438G 為 1.1 (V{dc}),BD440G/BD442G 為 1.5 (V{dc})。

電流增益 - 帶寬乘積

在 (V{CE}=1.0 V),(I{C}=250 mA),(f = 1.0 MHz) 的條件下,電流增益 - 帶寬乘積 (f_{T}) 為 3.0 (MHz)。

需要注意的是,產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的,如果在不同條件下運行,產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。

機械封裝與尺寸

該系列晶體管采用 TO - 225 封裝,其尺寸信息如下: 尺寸 最小值(mm) 最大值(mm)
A 2.40 3.00
A1 1.00 1.50
b 0.60 0.90
b2 0.51 0.88
c 0.39 0.63
D 10.60 11.10
E 7.40 7.80
e 2.04 2.54
L 14.50 16.63
L1 1.27 2.54
P 2.90 3.30
Q 3.80 4.20

同時,文檔還給出了通用標(biāo)記圖和不同引腳定義的樣式,方便工程師在實際設(shè)計中進行正確的連接。

總結(jié)

onsemi 的 BD436G、BD438G、BD440G 和 BD442G 系列 PNP 晶體管在放大器和開關(guān)應(yīng)用中具有一定的優(yōu)勢,其無鉛環(huán)保的特性符合現(xiàn)代電子設(shè)計的要求。工程師在選擇使用這些晶體管時,需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景,綜合考慮其最大額定值、電氣特性、熱特性等參數(shù),確保設(shè)計的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用類似晶體管時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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