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ON Semiconductor旗下BD241/A/B/C晶體管深度解析

lhl545545 ? 2026-05-25 15:00 ? 次閱讀
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ON Semiconductor旗下BD241/A/B/C晶體管深度解析

收購整合與命名變更

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor收購。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線(_)的零件命名,F(xiàn)airchild部分可訂購零件編號中的下劃線將變更為破折號(-)。大家若在文檔中看到帶有下劃線的設備編號,可前往ON Semiconductor官網(wǎng)(www.onsemi.com)核實更新后的編號。

文件下載:BD241C-D.pdf

BD241/A/B/C晶體管概述

BD241/A/B/C 是NPN外延硅晶體管,適用于中功率線性和開關應用,分別與BD242/A/B/C互補。引腳定義為:1腳基極(Base)、2腳集電極(Collector)、3腳發(fā)射極(Emitter)。

絕對最大額定值

符號 參數(shù) 單位
VCEO 集電極 - 發(fā)射極電壓 BD241:45;BD241A:60;BD241B:80;BD241C:100 V
VCER 集電極 - 發(fā)射極電壓 BD241:55;BD241A:70;BD241B:90;BD241C:115 V
VEBO 發(fā)射極 - 基極電壓 5 V
IC 集電極電流(直流) 3 A
ICP *集電極電流(脈沖) 5 A
IB 基極電流 1 A
PC 集電極耗散功率(TC=25°C) 40 W
TJ 結溫 150 °C
TSTG 儲存溫度 -65 ~ 150 °C

從這些絕對最大額定值可以看出,不同型號的BD241在集電極 - 發(fā)射極電壓等參數(shù)上存在差異,工程師在選擇型號時,需要根據(jù)實際應用場景對電壓、電流等參數(shù)的要求來挑選合適的型號。比如在高電壓應用場景中,就應優(yōu)先考慮BD241C這種耐壓值較高的型號。

電氣特性

符號 參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
VCEO(sus) *集電極 - 發(fā)射極維持電壓 IC = -30mA,IB = 0 BD241:45;BD241A:60;BD241B:80;BD241C:100 / / V
ICEO 集電極截止電流 BD241/A:VCE = 30V,IB = 0;BD241B/C:VCE = 60V,IB = 0 / / 0.3 mA
ICES 集電極截止電流 BD241:VCE = 45V,VBE = 0;BD241A:VCE = 60V,VBE = 0;BD241B:VCE = 80V,VBE = 0;BD241C:VCE = 100V,VBE = 0 / / 0.2 mA
IEBO 發(fā)射極截止電流 VEB = 5V,IC = 0 / / 1 mA
hFE *直流電流增益 VCE = 4V,IC = 1A;VCE = 4V,IC = 3A 25、10 / / /
VCE(sat) *集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 IC = 3A,IB = 0.6A / / 1.2 V
VBE(on) *基極 - 發(fā)射極導通電壓 VCE = 4V,IC = 3A / / 1.8 V

注:脈沖測試條件為PW = 350μs,占空比 ≤ 2% 。

這些電氣特性參數(shù)對于工程師設計電路至關重要。例如,直流電流增益(hFE)會影響晶體管的放大能力,在設計放大電路時,需要根據(jù)具體的放大需求來考慮這個參數(shù)。而集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))則會影響晶體管在飽和狀態(tài)下的功耗,對于低功耗設計有重要意義。

商標與免責聲明

ON Semiconductor擁有眾多專利、商標、版權等知識產(chǎn)權。同時,該公司聲明對產(chǎn)品用途不做保證,不承擔因產(chǎn)品應用或使用產(chǎn)生的任何責任。其產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設備等關鍵應用場景。若買方將產(chǎn)品用于非預期或未經(jīng)授權的應用,需承擔相關責任。

產(chǎn)品狀態(tài)定義

數(shù)據(jù)表標識 產(chǎn)品狀態(tài) 定義
Advance Information Formative or In Design 數(shù)據(jù)表包含產(chǎn)品開發(fā)的設計規(guī)格,規(guī)格可能隨時更改
Preliminary First Production 數(shù)據(jù)表包含初步數(shù)據(jù),后續(xù)會發(fā)布補充數(shù)據(jù),公司有權隨時更改設計
No Identification Needed Full Production 數(shù)據(jù)表包含最終規(guī)格,公司有權隨時更改設計
Obsolete Not In Production 數(shù)據(jù)表包含已停產(chǎn)產(chǎn)品的規(guī)格,僅供參考

工程師在使用這些產(chǎn)品時,需要關注產(chǎn)品的狀態(tài),避免使用已停產(chǎn)的產(chǎn)品,以免影響項目進度和產(chǎn)品質(zhì)量。同時,對于處于開發(fā)階段的產(chǎn)品,要做好應對規(guī)格變更的準備。

訂購與技術支持信息

若需要訂購相關文獻資料,可聯(lián)系ON Semiconductor的文獻分發(fā)中心,聯(lián)系方式如下:

  • 地址:19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
  • 電話:303 - 675 - 2175 或 800 - 344 - 3860(美國/加拿大免費)
  • 傳真:303 - 675 - 2176 或 800 - 344 - 3867(美國/加拿大免費)
  • 郵箱:orderlit@onsemi.com

技術支持方面,不同地區(qū)有不同的聯(lián)系方式:

  • 北美技術支持:800 - 282 - 9855(美國/加拿大免費)
  • 歐洲、中東和非洲技術支持:電話 421 33 790 2910
  • 日本客戶服務中心:電話 81 - 3 - 5817 - 1050

ON Semiconductor官網(wǎng)為www.onsemi.com ,也可通過http://www.onsemi.com/orderlit 訂購文獻。

大家在實際使用BD241/A/B/C晶體管進行設計時,是否遇到過因參數(shù)選擇不當而導致的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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