onsemi NPN外延硅晶體管BD135、137、139數(shù)據(jù)手冊(cè)解讀
onsemi NPN外延硅晶體管BD135、137、139數(shù)據(jù)手冊(cè)解讀
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，晶體管是非?；A(chǔ)且關(guān)鍵的元件。今天我們來詳細(xì)解讀onsemi的NPN外延硅晶體管BD135、137、139的數(shù)據(jù)手冊(cè)，了解它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
文件下載：BD139-D.PDF
一、產(chǎn)品特性與應(yīng)用
1. 特性
- 互補(bǔ)性：BD135、137、139分別與BD136、BD138和BD140互補(bǔ)，這在電路設(shè)計(jì)中可以方便地實(shí)現(xiàn)不同功能的組合。
- 環(huán)保設(shè)計(jì)：這些晶體管是無鉛器件，符合環(huán)保要求。
2. 應(yīng)用場(chǎng)景
主要應(yīng)用于中功率線性和開關(guān)電路中，能滿足多種電路的功率需求。
二、絕對(duì)最大額定值
| 絕對(duì)最大額定值是保證晶體管正常工作和可靠性的重要參數(shù)，以下是在 $T_{C}=25^{circ} C$ 條件下的主要參數(shù)： | 符號(hào) | 參數(shù) | 型號(hào) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| $V_{CBO}$ | 集電極 - 基極電壓 | BD135 | 45 | V | |
| BD137 | 60 | V | |||
| BD139 | 80 | V | |||
| $V_{CEO}$ | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | BD135 | 45 | V | |
| BD137 | 60 | V | |||
| BD139 | 80 | V | |||
| $V_{EBO}$ | 發(fā)射極 - 基極電壓 | 5 | V | ||
| $I_{C}$ | 集電極電流（直流） | 1.5 | A | ||
| $I_{CP}$ | 集電極電流（脈沖） | 3.0 | A | ||
| $I_{B}$ | 基極電流 | 0.5 | A | ||
| $P_{C}$ | 器件功耗 | $T_{C} = 25 ° C$ | 12.5 | W | |
| $T_{A} = 25 ° C$ | 1.25 | W | |||
| $T_{J}$ | 結(jié)溫 | 150 | ° C | ||
| $T_{STG}$ | 儲(chǔ)存溫度 | -55 至 +150 | ° C |
需要注意的是，超過這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí)，一定要確保晶體管的工作條件在這些額定值范圍內(nèi)，你在實(shí)際設(shè)計(jì)中有沒有遇到過因?yàn)槌^額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢？
三、熱特性
| 熱特性對(duì)于晶體管的性能和可靠性也非常重要，以下是相關(guān)參數(shù)： | 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| $R_{θjc}$ | 結(jié)到外殼的熱阻 | 10 | °C/W | |
| $R_{θJA}$ | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 100 | °C/W |
了解這些熱阻參數(shù)，有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)做出合理的決策，保證晶體管在合適的溫度下工作。
四、電氣特性
| 電氣特性是評(píng)估晶體管性能的關(guān)鍵指標(biāo)，以下是在 $T_{C}=25^{circ} C$ 條件下的部分電氣特性參數(shù)： | 符號(hào) | 參數(shù) | 型號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $V_{CEO(sus)}$ | 集電極 - 發(fā)射極維持電壓 | BD135 | $I{C}=30 ~mA, I{B}=0$ | 45 | V | |||
| BD137 | 60 | V | ||||||
| BD139 | 80 | V | ||||||
| $I_{CBO}$ | 集電極截止電流 | $V{CB}=30V,I{E}=0$ | 0.1 | μA | ||||
| $I_{EBO}$ | 發(fā)射極截止電流 | $V{EB} = 5 V, I{C}=0$ | 1 | 10 | μA | |||
| $h_{FE1}$ | 直流電流增益 | $V{CE}=2 ~V, I{C}=5 ~mA$ | 25 | |||||
| $h_{FE2}$ | $V{CE}=2V,I{C}=0.5A$ | 25 | ||||||
| $h_{FE3}$ | $V{CE} = 2 V, I{G}=150 mA$ | 40 | 250 | |||||
| $V_{CE(sat)}$ | 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 | $I{C}=500 ~mA, I{B}=50 ~mA$ | 0.5 | V | ||||
| $V_{BE(on)}$ | 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓 | $V{CE}=2V,I{C}=0.5A$ | 1 | V |
這些參數(shù)反映了晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求來選擇合適的晶體管型號(hào)。你在選擇晶體管時(shí)，最關(guān)注哪些電氣特性參數(shù)呢？
五、典型性能特性
數(shù)據(jù)手冊(cè)中還給出了一些典型性能特性的圖表，包括直流電流增益、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極電壓、安全工作區(qū)和功率降額等。這些圖表可以幫助我們更直觀地了解晶體管在不同工作條件下的性能變化。
六、訂購(gòu)信息
| 部件編號(hào) | 標(biāo)記 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|---|
| BD13516STU | BD135 - 16 | TO - 126 - 3LD | Rail |
| BD13716STU | BD137 - 16 | (Pb - Free) | |
| BD13916STU | BD139 - 16 |
同時(shí)，部分器件已經(jīng)停產(chǎn)，如BD13516S、BD1356STU等，在訂購(gòu)時(shí)需要注意。如果你需要了解這些器件的最新信息，可以訪問www.onsemi.com或聯(lián)系onsemi代表。
七、機(jī)械封裝尺寸
晶體管采用TO - 126 - 3LD CASE 340AS封裝，文檔中給出了詳細(xì)的封裝尺寸信息，對(duì)于電路板的設(shè)計(jì)和布局非常重要。在進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)時(shí)，一定要準(zhǔn)確參考這些尺寸，確保晶體管能夠正確安裝和使用。
總之，onsemi的BD135、137、139晶體管在中功率線性和開關(guān)電路中有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解它們的數(shù)據(jù)手冊(cè)，我們可以更好地利用這些晶體管的性能，設(shè)計(jì)出更可靠、高效的電路。希望這篇解讀能對(duì)大家的電子設(shè)計(jì)工作有所幫助。你在使用這些晶體管時(shí)有沒有遇到過什么問題或有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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NPN晶體管BD139的用途和電路案例
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