探索onsemi PNP硅通用晶體管：BC856B、BC857B、BC858A

在電子工程師的日常工作中，通用晶體管是電路設(shè)計(jì)里的關(guān)鍵元件，其性能直接影響整個(gè)電路的穩(wěn)定性和效率。今天，我們就來(lái)深入探討onsemi公司的BC856B、BC857B、BC858A這三款PNP硅通用晶體管。

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產(chǎn)品概述

這三款晶體管專(zhuān)為通用放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用SC - 70/SOT - 323封裝，這種封裝適用于低功率表面貼裝應(yīng)用。它們具有“S”和“NSV”前綴，可用于汽車(chē)和其他有獨(dú)特場(chǎng)地及控制變更要求的應(yīng)用，并且通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。不僅如此，這些器件還是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑的，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

重要參數(shù)分析

最大額定值

在不同的工作條件下，晶體管有其對(duì)應(yīng)的最大額定值。比如，BC856、BC857、BC858的集電極 - 發(fā)射極電壓（VCEO）分別為 - 65V、 - 45V、 - 30V；集電極 - 基極電壓（VCBO）分別為 - 80V、 - 50V、 - 30V；發(fā)射極 - 基極電壓（VEBO）為 - 5.0V；連續(xù)集電極電流（IC）為 - 100mAdc，峰值集電極電流（ICM，1ms脈沖）為 - 130mA。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須確保這些參數(shù)不超過(guò)最大額定值，否則可能會(huì)損壞器件，影響其可靠性。你在實(shí)際設(shè)計(jì)中，有沒(méi)有遇到過(guò)因?yàn)閰?shù)超出額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢？

熱特性

熱特性也是衡量晶體管性能的重要指標(biāo)?？偲骷纳⒐β试贔R - 5板（(T_{A}=25^{circ} C)）時(shí)為150mW；結(jié)到環(huán)境的熱阻（RUA）為883°C/W；結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍為 - 55°C到 + 150°C。熱阻反映了器件散熱的難易程度，在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)，熱阻是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。那么，你在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)，會(huì)優(yōu)先考慮哪些因素呢？

電氣特性

擊穿電壓

在不同型號(hào)的晶體管中，集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓有所不同。例如，BC856的V(BR)CEO為 - 65V，BC857為 - 50V，BC858為 - 30V。發(fā)射極 - 基極擊穿電壓為 - 5.0V。這些擊穿電壓決定了晶體管在不同電壓下的工作穩(wěn)定性，工程師需要根據(jù)實(shí)際電路的電壓要求來(lái)選擇合適的晶體管。

導(dǎo)通特性

導(dǎo)通特性方面，以(I{C}=-2.0 mA)，(V{CE}=-5.0 V)為例，BC857C的hFE（共發(fā)射極電流放大系數(shù)）在125 - 420之間，典型值為290。集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）在(I{C}=-100 mA)，(I{B}=-5.0 mA)時(shí)為 - 0.3V；基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓（VBE(on)）在(I{C}=-2.0 mA)，(V{CE}=-5.0 V)時(shí)在 - 0.6V到 - 0.82V之間。這些參數(shù)對(duì)于設(shè)計(jì)放大器電路非常重要，你在設(shè)計(jì)放大器時(shí)，會(huì)重點(diǎn)關(guān)注哪些導(dǎo)通特性參數(shù)呢？

小信號(hào)特性

小信號(hào)特性中，電流 - 增益 - 帶寬積（fT）在(I{C}=-10 mA)，(V{CE}=-5.0 Vdc)，(f = 100 MHz)時(shí)為100MHz；輸出電容在(V{CB}=-10 V)，(f = 1.0 MHz)時(shí)也有相應(yīng)的值；噪聲系數(shù)（NF）在(I{C}=-0.2 mA)，(V{CE}=-5.0 Vdc)，(R{S}=2.0 kΩ)，(f = 1.0 kHz)，(BW = 200 Hz)時(shí)為10。這些參數(shù)對(duì)于處理小信號(hào)的電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要，比如在射頻電路中，帶寬積和噪聲系數(shù)會(huì)直接影響信號(hào)的質(zhì)量。

安全工作區(qū)

安全工作區(qū)曲線(xiàn)展示了晶體管在可靠運(yùn)行時(shí)(I{C}-V{CE})的限制。特定電路的集電極負(fù)載線(xiàn)必須低于適用曲線(xiàn)所指示的限制。圖14的數(shù)據(jù)基于(T{J(pk)}=150^{circ} C)，Tc或(T{A})會(huì)根據(jù)條件變化。脈沖曲線(xiàn)在占空比為10%且(T{J(pk)} ≤150^{circ} C)時(shí)有效，(T{J(pk)})可以從圖13的數(shù)據(jù)中計(jì)算得出。在高溫情況下，熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。那么，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，你是如何確保晶體管工作在安全工作區(qū)內(nèi)的呢？

訂購(gòu)信息

這三款晶體管有不同的型號(hào)和標(biāo)記，如BC856BWT1G標(biāo)記為3B，BC857BWT1G標(biāo)記為3F等，均采用SC - 70/SOT - 323無(wú)鉛封裝，每盤(pán)3000個(gè)，以卷帶包裝。對(duì)于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，選擇合適的型號(hào)和封裝是非常重要的。你在訂購(gòu)晶體管時(shí)，會(huì)優(yōu)先考慮哪些因素呢？

機(jī)械尺寸

SC - 70（SOT - 323）封裝有詳細(xì)的機(jī)械尺寸，包括長(zhǎng)度、寬度、高度等各個(gè)維度的最小值、標(biāo)稱(chēng)值和最大值。這些尺寸信息對(duì)于電路板的布局設(shè)計(jì)至關(guān)重要，工程師需要根據(jù)這些尺寸來(lái)合理安排晶體管在電路板上的位置。在進(jìn)行電路板布局時(shí)，你會(huì)如何考慮晶體管的封裝尺寸呢？

總的來(lái)說(shuō)，onsemi的BC856B、BC857B、BC858A晶體管在通用放大器應(yīng)用中具有良好的性能和可靠性。電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，需要綜合考慮這些參數(shù)和特性，以確保電路的穩(wěn)定性和性能。希望這篇文章能為你的設(shè)計(jì)工作提供一些幫助，如果你有任何疑問(wèn)或經(jīng)驗(yàn)分享，歡迎在評(píng)論區(qū)留言。