探索 onsemi 2SC4617G/S2SC4617G NPN 晶體管：通用放大器的理想之選
探索 onsemi 2SC4617G/S2SC4617G NPN 晶體管：通用放大器的理想之選
在電子設計領域，找到一款性能出色、適合通用放大器應用的晶體管至關重要。今天，我們就來深入了解 onsemi 推出的 2SC4617G 和 S2SC4617G NPN 晶體管，看看它們有哪些獨特之處。
文件下載：2SC4617-D.PDF
產品概述
2SC4617G 和 S2SC4617G 是專為通用放大器應用設計的 NPN 晶體管。它們采用了 SC - 75/SOT - 416 封裝，這種封裝專為低功率表面貼裝應用而設計，非常適合對電路板空間要求較高的場景。
產品特性
- 節(jié)省電路板空間：SC - 75/SOT - 416 封裝設計小巧，能有效減少電路板占用空間，對于追求小型化的設計來說十分友好。
- 高電流增益（hFE）：典型值在 210 - 460 之間，高 hFE 意味著在放大信號時能夠提供更好的增益效果，有助于提升放大器的性能。
- 低飽和電壓（VCE(sat)）：小于 0.5V，這使得晶體管在飽和狀態(tài)下的功耗更低，提高了能源利用效率，也有利于降低系統(tǒng)的發(fā)熱問題。
- 包裝形式：提供 8mm、7 英寸/3000 單位的卷帶包裝，方便自動化生產和組裝。
- 汽車級應用支持：帶有“S”前綴的型號適用于汽車及其他對生產場地和控制變更有特殊要求的應用，并且通過了 AEC - Q101 認證，具備生產件批準程序（PPAP）能力。
- 環(huán)保特性：這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR），符合 RoHS 標準，體現(xiàn)了環(huán)保設計理念。
產品參數(shù)
最大額定值
| 在 (T_J = 25^{circ}C) 的條件下，該晶體管的各項最大額定值如下： | 額定值 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | V(BR)CBO | 50 | Vdc | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | V(BR)CEO | 50 | Vdc | |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | V(BR)EBO | 5.0 | Vdc | |
| 集電極連續(xù)電流 | IC | 100 | mAdc |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。一旦這些限制被突破，器件的功能可能無法保證，甚至可能出現(xiàn)損壞，可靠性也會受到影響。
熱特性
| 特性 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 功耗（注 1） | PD | 125 | mW |
| 結溫 | TJ | 150 | °C |
| 存儲溫度范圍 | Tstg | -55 ~ +150 | °C |
注 1：器件安裝在使用最小推薦焊盤尺寸的 FR - 4 玻璃環(huán)氧樹脂印刷電路板上。
電氣特性
| 在 (T_A = 25^{circ}C) 的條件下，該晶體管的電氣特性如下： | 特性 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極擊穿電壓 ((I_C = 50mu A dc, I_E = 0)) | V(BR)CBO | 50 | Vdc | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 ((I_C = 1.0 mA dc, I_B = 0)) | V(BR)CEO | 50 | Vdc | |||
| 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓 ((I_E = 50mu A dc, I_E = 0)) | V(BR)EBO | 5.0 | Vdc | |||
| 集電極 - 基極截止電流 ((V_{CB} = 30 Vdc, I_E = 0)) | ICBO | 0.5 | uA | |||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流 ((V_{EB} = 4.0 Vdc, I_B = 0)) | IBO | 0.5 | uA | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（注 2） ((Ic = 60 mAdc, Ig = 5.0 mAdc)) | VCE(sat) | 0.4 | Vdc | |||
| 直流電流增益（注 2） ((V_{CE} = 6.0 Vdc, I_C = 1.0 mAdc)) | hFE | 120 | 560 | |||
| 過渡頻率 ((V_{CE} = 12 Vdc, I_C = 2.0 mAdc, f = 30 MHz)) | ft | 180 | MHz | |||
| 輸出電容 ((V_{CB} = 12 Vdc, I_C = 0 Adc, f = 1 MHz)) | CoB | 2.0 | pF |
注 2：脈沖測試條件為脈沖寬度 ≤300μs，占空比 ≤2%。產品的參數(shù)性能在列出的測試條件下通過電氣特性體現(xiàn)，若在不同條件下運行，產品性能可能無法通過電氣特性反映。
封裝與訂購信息
機械尺寸
| SC75 - 3 封裝的尺寸如下： | 尺寸 | 最小值（mm） | 標稱值（mm） | 最大值（mm） |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.70 | 0.80 | 0.90 | |
| A1 | 0.00 | 0.05 | 0.10 | |
| A2 | 0.80 REF. | |||
| b | 0.15 | 0.20 | 0.30 | |
| C | 0.10 | 0.15 | 0.25 | |
| D | 1.55 | 1.60 | 1.65 | |
| E | 1.50 | 1.60 | 1.70 | |
| E1 | 0.70 | 0.80 | 0.90 | |
| e | 1.00 BSC | |||
| L | 0.10 | 0.15 | 0.20 |
訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| 2SC4617G | SC - 75（無鉛） | 3,000/卷帶 |
| S2SC4617G | SC - 75（無鉛） | 3,000/卷帶 |
| 2SC4617T1G | SC - 75（無鉛） | 3,000/卷帶 |
總結
onsemi 的 2SC4617G 和 S2SC4617G NPN 晶體管憑借其節(jié)省空間的封裝、出色的電氣性能和環(huán)保特性，成為通用放大器應用的理想選擇。在設計過程中，電子工程師可以根據實際需求，結合這些特性和參數(shù)，充分發(fā)揮該晶體管的優(yōu)勢。大家在使用這款晶體管時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應用案例呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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