安森美雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管：設計利器

在電子設計領域，追求電路的簡潔性、高效性和可靠性是工程師們亙古不變的目標。安森美（onsemi）推出的雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管系列產(chǎn)品，如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G、UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G、UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G，為工程師們提供了全新的解決方案。

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產(chǎn)品概述

結構特點

偏置電阻晶體管（BRT）包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡的單個晶體管，即一個串聯(lián)基極電阻和一個基極 - 發(fā)射極電阻。這種設計巧妙地將原本需要單獨使用的晶體管和外部電阻偏置網(wǎng)絡集成到一個器件中，大大簡化了電路設計。

封裝優(yōu)勢

以 UMC2NT1G 系列為例，兩個互補的 BRT 器件被封裝在 SOT - 353 封裝中。這種封裝對于電路板空間有限的低功率表面貼裝應用來說是理想之選，能夠有效節(jié)省寶貴的電路板空間。

產(chǎn)品特性

簡化電路設計

傳統(tǒng)電路中，為了實現(xiàn)晶體管的偏置，需要額外設計和布局多個電阻元件，這不僅增加了設計的復雜度，還容易引入干擾。而 BRT 通過集成偏置電阻網(wǎng)絡，讓工程師無需再為偏置電路的設計和調試花費大量精力，直接使用該器件就能滿足基本的偏置需求，使電路設計更加簡潔明了。

減少電路板空間

在如今追求小型化、高密度的電子設備設計中，電路板空間顯得尤為珍貴。BRT 將多個元件集成到一個封裝內，減少了元件數(shù)量，從而有效縮小了電路板的尺寸，為產(chǎn)品的小型化設計提供了可能。

降低元件數(shù)量

元件數(shù)量的減少帶來的好處不僅僅是節(jié)省空間，還能降低成本和提高可靠性。更少的元件意味著更少的焊接點和連接，減少了故障發(fā)生的概率，提高了整個電路的穩(wěn)定性。

關鍵參數(shù)

最大額定值

在 (T{A}=25^{circ}C) 的條件下，這些器件的集電極 - 基極電壓 (V{CBO}) 和集電極 - 發(fā)射極電壓 (V{CEO}) 均為 50 Vdc，集電極電流 (I{C}) 為 100 mAdc。需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱阻 (R{UA}) 為 833 °C/W，工作和儲存溫度范圍為 - 65 至 + 150 °C，總封裝耗散功率 (P{D}) 在 (T_{A}=25^{circ}C) 時為 150 mW。這些熱特性參數(shù)對于工程師在進行散熱設計和熱管理時至關重要，能夠確保器件在合適的溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作。

電氣特性

• 截止特性：以 PNP 晶體管為例，集電極 - 基極截止電流 (I{CBO}) 在 (V{CB}=50 V)、(I{E}=0) 時為 100 nAdc，集電極 - 發(fā)射極截止電流 (I{CEO}) 在 (V{CE}=50 V)、(I{B}=0) 時為 500 nAdc。不同型號的發(fā)射極 - 基極截止電流 (I_{EBO}) 有所差異，如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G 為 0.2 mAdc，UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G 為 0.5 mAdc，UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G 為 1.0 mAdc。
• 導通特性：集電極 - 基極擊穿電壓 (V{(BR)CBO}) 在 (I{C}=10mu A)、(I{E}=0) 時為 50 Vdc，集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 (V{(BR)CEO}) 在 (I{C}=2.0 mA)、(I{B}=0) 時為 50 Vdc。不同型號的直流電流增益 (h{FE}) 也有所不同，例如 UMC2NT1G、NSVUMC2NT1G 的 (h{FE}) 范圍為 60 - 100，UMC3NT1G、NSVUMC3NT1G 為 35 - 60，UMC5NT1G/T2G、NSVUMC5NT1G/T2G 為 20 - 35。此外，集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{CE(SAT)}) 在 (I{C}=10 mA)、(I{B}=0.3 mA) 時為 0.25 Vdc，輸出電壓（導通）(V{OL}) 在 (V{CC}=5.0 V)、(V{B}=2.5 V)、(R{L}=1.0 kOmega) 時為 0.2 Vdc，輸出電壓（截止）(V{OH}) 在 (V{CC}=5.0 V)、(V{B}=0.5 V)、(R_{L}=1.0 kOmega) 時為 4.9 Vdc。

訂購信息

這些器件均采用 SC - 88A/SOT - 353 無鉛封裝，每盤 3000 個。帶有 NSV 前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應用，并且通過了 AEC - Q101 認證，具備生產(chǎn)件批準程序（PPAP）能力。

應用建議

在實際應用中，工程師需要根據(jù)具體的設計需求選擇合適的型號。例如，對于對直流電流增益要求較高的應用，可以選擇 UMC2NT1G 系列；而對于對輸入電阻有特定要求的應用，則可以根據(jù)不同型號的輸入電阻參數(shù)進行選擇。同時，在進行電路設計時，要充分考慮器件的熱特性，合理進行散熱設計，以確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。

安森美雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管為電子工程師提供了一種高效、可靠的電路設計解決方案。通過集成偏置電阻網(wǎng)絡，這些器件簡化了電路設計，減少了電路板空間和元件數(shù)量，同時具備良好的電氣性能和熱特性。在未來的電子設計中，它們有望在更多的領域得到廣泛應用。你在實際設計中是否使用過類似的集成器件呢？遇到過哪些問題？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。