Onsemi雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，如何優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、節(jié)省電路板空間并減少元件數(shù)量一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。Onsemi推出的NSTB1002DXV5T1G和NSTB1002DXV5T5G雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管（BRT）為解決這些問題提供了有效的方案。下面我們就來詳細(xì)了解一下這款產(chǎn)品。

文件下載：NSTB1002DXV5-D.PDF

產(chǎn)品概述

BRT包含一個(gè)帶有由兩個(gè)電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)晶體管，即一個(gè)串聯(lián)基極電阻和一個(gè)基極 - 發(fā)射極電阻。這些數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)，通過將它們集成到單個(gè)器件中，消除了這些單獨(dú)的組件。NSTB1002DXV5T1G系列中的兩個(gè)互補(bǔ)器件采用SOT - 553封裝，非常適合對(duì)電路板空間要求苛刻的低功率表面貼裝應(yīng)用。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

• 簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)：將偏置電阻集成到晶體管中，減少了外部元件的使用，使電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔。
• 減少電路板空間：SOT - 553封裝體積小巧，節(jié)省了寶貴的電路板空間。
• 減少元件數(shù)量：集成化設(shè)計(jì)減少了元件數(shù)量，降低了成本和組裝難度。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

PNP晶體管

• 截止特性：集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓$V{(BR)CEO}$為 - 40Vdc，集電極 - 基極擊穿電壓$V{(BR)CBO}$為 - 40Vdc，發(fā)射極 - 基極擊穿電壓$V{(BR)EBO}$為 - 5.0Vdc，基極截止電流$I{BL}$最大為 - 50nAdc，集電極截止電流$I_{CEX}$最大為 - 50nAdc。
• 導(dǎo)通特性：直流電流增益$h{FE}$在不同集電極電流下有不同的值，例如在$I{C}=-10mAdc$，$V{CE}=-1.0Vdc$時(shí)，$h{FE}$典型值為100，最大值為300。集電極 - 發(fā)射極飽和電壓$V{CE(sat)}$在$I{C}=-10mAdc$，$I{B}=-1.0mAdc$時(shí)為 - 0.25Vdc，在$I{C}=-50mAdc$，$I{B}=-5.0mAdc$時(shí)為 - 0.4Vdc。基極 - 發(fā)射極飽和電壓$V{BE(sat)}$在$I{C}=-10mAdc$，$I{B}=-1.0mAdc$時(shí)為 - 0.65Vdc，在$I{C}=-50mAdc$，$I{B}=-5.0mAdc$時(shí)為 - 0.85Vdc。
• 小信號(hào)特性：電流增益 - 帶寬積$f{T}$為250MHz，輸出電容為4.5pF，輸入電容$C{ibo}$為10.0pF，輸入阻抗$h{ie}$在$V{CE}=-10Vdc$，$I{C}=-1.0mAdc$，$f = 1.0kHz$時(shí)為2.0kΩ，電壓反饋比$h{re}$在相同條件下為$0.1times10^{-4}$到$10times10^{-4}$，小信號(hào)電流增益在相同條件下為100到400，輸出導(dǎo)納$h_{oe}$在相同條件下為3.0到60μ?。
• 開關(guān)特性：延遲時(shí)間$tmuikaa0wy$為35ns，上升時(shí)間$t{r}$為35ns，存儲(chǔ)時(shí)間$t{s}$為225ns，下降時(shí)間$t{f}$為75ns。

NPN晶體管

• 截止特性：集電極 - 基極截止電流$I{CBO}$在$V{CB}=50V$，$I{E}=0$時(shí)最大為100nAdc，集電極 - 發(fā)射極截止電流$I{CEO}$在$V{CB}=50V$，$I{B}=0$時(shí)最大為500nAdc，發(fā)射極 - 基極截止電流$I{EBO}$在$V{EB}=6.0V$，$I_{C}=5.0mA$時(shí)最大為0.1mAdc。
• 其他特性：集電極 - 基極擊穿電壓$V{(BR)CBO}$在$I{C}=10mu A$，$I{E}=0$時(shí)為50V，集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓$V{(BR)CEO}$在$I{C}=2.0mA$，$I{B}=0$時(shí)為50V，直流電流增益$h{FE}$在$V{CE}=10V$，$I{C}=5.0mA$時(shí)有相應(yīng)值，輸出電壓在不同條件下有不同表現(xiàn)，輸入電阻$R{1}$為47到61Ω。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝

采用SOT - 553封裝，該封裝尺寸小巧，適合表面貼裝應(yīng)用。

訂購(gòu)信息

注意事項(xiàng)

• 超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
• 產(chǎn)品參數(shù)性能在電氣特性中針對(duì)列出的測(cè)試條件進(jìn)行了說明，除非另有說明。如果在不同條件下運(yùn)行，產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。脈沖測(cè)試要求脈沖寬度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2.0。

Onsemi的NSTB1002DXV5T1G和NSTB1002DXV5T5G雙共基 - 集電極偏置電阻晶體管為電子工程師提供了一種高效、緊湊的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇和使用這款產(chǎn)品，以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。大家在使用過程中有沒有遇到過類似產(chǎn)品的應(yīng)用問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。