onsemi雙NPN偏置電阻晶體管：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
onsemi雙NPN偏置電阻晶體管：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，合適的晶體管對(duì)于電路的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。onsemi推出的MUN5211DW1、NSBC114EDXV6和NSBC114EDP6雙NPN偏置電阻晶體管，為工程師們提供了優(yōu)秀的解決方案。下面，我們就來詳細(xì)了解一下這些晶體管的特點(diǎn)和應(yīng)用。
文件下載：DTC114ED-D.PDF
產(chǎn)品概述
這一系列數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個(gè)帶有由兩個(gè)電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)晶體管，即一個(gè)串聯(lián)基極電阻和一個(gè)基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些單獨(dú)的組件集成到一個(gè)器件中，BRT消除了這些單獨(dú)的組件，從而降低了系統(tǒng)成本并減少了電路板空間。
產(chǎn)品特性
簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
傳統(tǒng)的晶體管設(shè)計(jì)需要額外的外部電阻來設(shè)置偏置，而BRT將這些電阻集成到晶體管中，大大簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)過程。工程師們無需再為電阻的選型和布局花費(fèi)大量時(shí)間，從而提高了設(shè)計(jì)效率。
減少電路板空間
在如今追求小型化和高密度集成的電子設(shè)備中，電路板空間變得尤為寶貴。BRT的集成設(shè)計(jì)使得電路板上的元件數(shù)量減少，從而節(jié)省了寶貴的空間，為其他元件的布局提供了更多的可能性。
降低元件數(shù)量
減少元件數(shù)量不僅可以降低成本，還能提高系統(tǒng)的可靠性。因?yàn)樵?shù)量的減少意味著焊點(diǎn)和連接點(diǎn)的減少，從而降低了故障發(fā)生的概率。
符合多種標(biāo)準(zhǔn)
這些器件具有S和NSV前綴，適用于汽車和其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用。它們通過了AEC - Q101認(rèn)證，并且具備PPAP能力。此外，這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 額定值 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | (V_{dc}) |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | (V_{dc}) |
| 集電極電流 - 連續(xù) | (I_{C}) | 100 | (mA_{dc}) |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 40 | (V_{dc}) |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 10 | (V_{dc}) |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
不同封裝的晶體管在熱特性上有所差異，以下是部分熱特性參數(shù)：
- MUN5211DW1（SOT - 363）：?jiǎn)谓Y(jié)加熱時(shí)，總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時(shí)為250mW，高于25°C時(shí)的降額系數(shù)為2.0mW/°C；熱阻（結(jié)到環(huán)境）為493°C/W，熱阻（結(jié)到引腳）為188°C/W。
- NSBC114EDXV6（SOT - 563）：?jiǎn)谓Y(jié)加熱時(shí)，總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時(shí)為500mW，高于25°C時(shí)的降額系數(shù)為4.0mW/°C；熱阻（結(jié)到環(huán)境）為250°C/W。
- NSBC114EDP6（SOT - 963）：?jiǎn)谓Y(jié)加熱時(shí)，總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時(shí)為231mW，高于25°C時(shí)的降額系數(shù)為1.9mW/°C；熱阻（結(jié)到環(huán)境）為540°C/W。
電氣特性
| 在(T_{A}=25^{circ}C)的條件下，這些晶體管的電氣特性如下： | 特性 | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 截止特性 | ||||||
| 集電極 - 基極截止電流((V{CB}=50V, I{E}=0)) | (I_{CBO}) | 100 | (nA_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流((V{CE}=50V, I{B}=0)) | (I_{CEO}) | 500 | (nA_{dc}) | |||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流((V{EB}=6.0V, I{C}=0)) | (I_{EBO}) | 0.5 | (mA_{dc}) | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓((I{C}=10mu A, I{E}=0)) | (V_{(BR)CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓((I{C}=2.0mA, I{B}=0)) | (V_{(BR)CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |||
| 導(dǎo)通特性 | ||||||
| 直流電流增益((I{C}=5.0mA, V{CE}=10V)) | (h_{FE}) | 35 | 60 | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓((I{C}=10mA, I{B}=0.3mA)) | (V_{CE(sat)}) | 0.25 | (V) | |||
| 輸入電壓（關(guān)）((V{CE}=5.0V, I{C}=100mu A)) | (V_{i(off)}) | 1.2 | (V_{dc}) | |||
| 輸入電壓（開）((V{CE}=0.2V, I{C}=10mA)) | (V_{i(on)}) | 2.0 | (V_{dc}) | |||
| 輸出電壓（開）((V{CC}=5.0V, V{B}=2.5V, R_{L}=1.0kOmega)) | (V_{OL}) | 0.2 | (V_{dc}) | |||
| 輸出電壓（關(guān)）((V{CC}=5.0V, V{B}=0.5V, R_{L}=1.0kOmega)) | (V_{OH}) | 4.9 | (V_{dc}) | |||
| 輸入電阻 | (R_{1}) | 7.0 | 10 | 13 | (kOmega) | |
| 電阻比 | (R{1}/R{2}) | 0.8 | 1.0 | 1.2 |
產(chǎn)品的參數(shù)性能在列出的測(cè)試條件下由電氣特性表示，除非另有說明。如果在不同條件下運(yùn)行，產(chǎn)品性能可能無法由電氣特性表示。脈沖條件為：脈沖寬度 = 300ms，占空比 ≤ 2%。
封裝與訂購信息
這些晶體管提供多種封裝形式，如SOT - 363、SOT - 563和SOT - 963。不同封裝的晶體管在訂購時(shí)，其包裝數(shù)量和形式也有所不同，例如MUN5211DW1T1G采用SOT - 363封裝，每卷3000個(gè)；NSBC114EDP6T5G采用SOT - 963封裝，每卷8000個(gè)。需要注意的是，部分器件已經(jīng)停產(chǎn)，如NSBC114EDXV6T5G，在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)避免選用這些停產(chǎn)器件。
機(jī)械尺寸與引腳連接
文檔中還提供了不同封裝的機(jī)械尺寸和引腳連接信息，包括SC - 88（2.00x1.25x0.90, 0.65P）、SOT - 563 - 6（1.60x1.20x0.55, 0.50P）和SOT - 963（1.00x1.00x0.37, 0.35P）等封裝的詳細(xì)尺寸和引腳定義。這些信息對(duì)于電路板的設(shè)計(jì)和布局非常重要，工程師們可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行參考。
總結(jié)
onsemi的MUN5211DW1、NSBC114EDXV6和NSBC114EDP6雙NPN偏置電阻晶體管以其簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)、節(jié)省空間和成本的優(yōu)勢(shì)，以及良好的電氣和熱特性，成為電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師們可以根據(jù)具體的需求和設(shè)計(jì)要求，選擇合適的封裝和器件，以實(shí)現(xiàn)最佳的電路性能。你在使用這些晶體管的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
-
電子設(shè)計(jì)
+關(guān)注
關(guān)注
42文章
3522瀏覽量
50086
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
安森美雙NPN偏置電阻晶體管：簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選
評(píng)論