安森美NSBAMXW系列偏置電阻晶體管:高效集成的電子解決方案
在電子設計領域,追求更高的集成度、更低的成本和更小的板級空間一直是工程師們的目標。安森美(onsemi)的NSBAMXW系列偏置電阻晶體管(BRT)就是這樣一款能夠滿足這些需求的產(chǎn)品。今天,我們就來深入了解一下這款產(chǎn)品的特點、性能和應用。
文件下載:NSBAMXW-D.PDF
產(chǎn)品概述
NSBAMXW系列是一系列數(shù)字晶體管,旨在替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。該系列的偏置電阻晶體管包含一個帶有單片偏置網(wǎng)絡的單晶體管,該偏置網(wǎng)絡由兩個電阻組成:一個串聯(lián)基極電阻和一個基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些單獨的組件集成到一個器件中,BRT不僅降低了系統(tǒng)成本,還節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特性
內(nèi)置偏置電阻
這是NSBAMXW系列的一大亮點,內(nèi)置的偏置電阻使得在設計電路時無需額外添加外部電阻,簡化了電路設計,提高了設計效率。
互補NPN類型可選
為工程師提供了更多的選擇,能夠更好地滿足不同電路的設計需求。
低安裝高度
采用XDFNW3封裝,最大高度僅為0.44mm,非常適合對空間要求較高的表面貼裝應用。
可焊側翼封裝
這種封裝設計有利于自動光學檢測(AOI),提高了生產(chǎn)過程中的檢測效率和準確性。
汽車級應用支持
帶有NSV前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他需要獨特場地和控制變更要求的應用,并且符合AEC - Q101標準,具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力。
環(huán)保特性
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標準,滿足環(huán)保要求。
產(chǎn)品性能
最大額定值
在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) 時,該系列產(chǎn)品的一些重要最大額定值如下:
- 集電極 - 發(fā)射極電壓 (V_{CEO}) 最大為 - 50V。
- 集電極 - 基極電壓 (V_{CBO}) 最大為 - 50V。
- 不同型號的輸入電壓 (V_{I}) 范圍有所不同,例如NSBA114EMXWTBG的輸入電壓范圍為 - 40V至 + 10V。
- 集電極電流 (I_{C}) 最大為100mA。
- 靜電放電(HBM)等級為1B。
需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。
電氣特性
在 (T_{A}=25^{circ} C) 時,該系列產(chǎn)品的電氣特性如下:
- 集電極 - 基極截止電流 (I_{CBO}):在 (V{CB}=-50 ~V),(I{E}=0) 時,最大為 - 100nA。
- 集電極 - 發(fā)射極截止電流 (I_{CEO}):在 (V{CE}=-50 ~V),(I{B}=0) 時,最大為 - 500nA。
- 發(fā)射極 - 基極截止電流 (I_{EBO}):不同型號的數(shù)值有所不同,例如NSDA114E在 (V{EB}=-5V),(I{C}=0) 時,最大為 - 0.5mA。
- 直流電流增益 (h_{FE}):不同型號的數(shù)值也有所差異,如NSBA114E在 (V{CE}=-10.0 ~V),(I{C}=-5 ~mA) 時,最小為35。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V_{CE(sat)}):在 (I{C}=-10 ~mA),(I{B}=-0.3 ~mA) 時,最大為 - 0.25V。
- 輸入電壓(關) (V_{i(off)}) 和 輸入電壓(開) (V_{i(on)}):不同型號的數(shù)值不同,具體可參考數(shù)據(jù)手冊。
- 輸出電壓(開) (V_{OL}) 和 輸出電壓(關) (V_{OH}):在特定條件下,(V{OL}) 最大為0.2V,(V{OH}) 最小為4.9V。
- 偏置電阻 (R_{1}) 和 電阻比 (R{1}/R{2}):不同型號的數(shù)值也有所不同,具體可參考數(shù)據(jù)手冊。
典型特性
文檔中給出了一些典型特性曲線,如 (V{CE(sat) }) 與 (I{C}) 的關系曲線、直流電流增益曲線、輸出電流與輸入電壓的關系曲線等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解產(chǎn)品在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
產(chǎn)品應用
NSBAMXW系列產(chǎn)品適用于多種應用場景,主要包括:
訂購信息
| 該系列產(chǎn)品提供了不同的型號,每個型號的電阻值和封裝等信息如下: | 器件 | 汽車級器件* | R1 | R2 | 部件標記 | 封裝 ? | 包裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA114EMXWTBG | NSVBA114EMXWTBG | 10 | 10 | 4X | XDFNW3 (無鉛) | 3000 / 卷帶包裝 | |
| NSBA124EMXWTBG | NSVBA124EMXWTBG | 22 | 22 | 4Y | |||
| NSBA143EMXWTBG | NSVBA143EMXWTBG | 4.7 | 4.7 | 4V | |||
| NSBA144EMXWTBG | NSVBA144EMXWTBG | 47 | 47 | 4Z | |||
| NSBA123YMXWTBG | NSVBA123YMXWTBG | 2.2 | 10 | 4W |
注:*S和NSV前綴適用于汽車和其他需要獨特場地和控制變更要求的應用;符合AEC - Q101標準,具備PPAP能力。?有關卷帶包裝規(guī)格的信息,請參考相關手冊。
總結
安森美NSBAMXW系列偏置電阻晶體管以其集成度高、性能優(yōu)良、應用廣泛等特點,為電子工程師提供了一個高效的解決方案。在實際設計中,工程師可以根據(jù)具體的應用需求選擇合適的型號,充分發(fā)揮該系列產(chǎn)品的優(yōu)勢。你在使用類似產(chǎn)品時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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