Onsemi雙PNP偏置電阻晶體管MUN5134DW1與NSBA124XDXV6詳解
Onsemi雙PNP偏置電阻晶體管MUN5134DW1與NSBA124XDXV6詳解
在電子電路設(shè)計中，晶體管的合理選擇與應(yīng)用至關(guān)重要。Onsemi推出的雙PNP偏置電阻晶體管MUN5134DW1和NSBA124XDXV6，為電路設(shè)計帶來了諸多便利。下面就為大家詳細(xì)介紹這兩款晶體管。
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產(chǎn)品概述
這兩款數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管，即一個串聯(lián)基極電阻（R1 = 22kΩ）和一個基極 - 發(fā)射極電阻（R2 = 47kΩ）。通過將這些單獨(dú)的組件集成到一個器件中，BRT不僅降低了系統(tǒng)成本，還節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特性
應(yīng)用廣泛
具有S和NSV前綴，適用于汽車和其他有獨(dú)特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。
設(shè)計簡化
簡化了電路設(shè)計，減少了電路板空間和組件數(shù)量。
環(huán)保合規(guī)
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
最大額定值
| 符號 | 額定值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集電極 - 基極電壓 | 50 | Vdc |
| VCEO | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 50 | Vdc |
| IC | 集電極電流 - 連續(xù) | 100 | mAdc |
| VIN(fwd) | 輸入正向電壓 | 40 | Vdc |
| VIN(rev) | 輸入反向電壓 | 7 | Vdc |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
MUN5134DW1（SOT - 363）
- 一個結(jié)加熱：總器件耗散功率TA = 25°C時為187mW，高于25°C時的降額為1.5mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為670°C/W。
- 兩個結(jié)加熱：總器件耗散功率TA = 25°C時為250mW，高于25°C時的降額為2.0mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為493°C/W，結(jié)到引腳的熱阻為188°C/W。
NSBA124XDXV6（SOT - 563）
- 一個結(jié)加熱：總器件耗散功率TA = 25°C時為357mW，結(jié)到環(huán)境的熱阻為350°C/W。
- 兩個結(jié)加熱：總器件耗散功率TA = 25°C時為500mW，高于25°C時的降額為4.0mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為250°C/W。
兩款器件的結(jié)和存儲溫度范圍均為 - 55°C到 + 150°C。
電氣特性
關(guān)斷特性
| 符號 | 特性 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| ICBO | 集電極 - 基極截止電流（VCB = 50V，IE = 0） | - | - | 100 | nAdc |
| CEO | 集電極 - 發(fā)射極截止電流（VCE = 50V，IB = 0） | - | - | 500 | nAdc |
| IBO | 發(fā)射極 - 基極截止電流（VEB = 6.0V，IC = 0） | - | - | 0.13 | mAdc |
| V(BR)CBO | 集電極 - 基極擊穿電壓（IC = 10μA，IE = 0） | 50 | - | - | Vdc |
| V(BR)CEO | 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（脈沖條件：脈沖寬度 = 300msec，占空比 ≤ 2%）（IC = 2.0mA，IB = 0） | 50 | - | - | Vdc |
導(dǎo)通特性
| 符號 | 特性 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| hFE | 直流電流增益（IC = 5.0mA，VCE = 10V） | 80 | 130 | - | - |
| VCE(sat) | 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（脈沖條件：脈沖寬度 = 300msec，占空比 ≤ 2%）（IC = 10mA，IB = 1.0mA） | - | - | 0.25 | Vdc |
| Vi(off) | 輸入電壓（關(guān)斷）（VCE = 5.0V，IC = 100μA） | - | 0.9 | - | Vdc |
| Vi(on) | 輸入電壓（導(dǎo)通）（VCE = 0.2V，IC = 3.0mA） | - | 1.3 | - | Vdc |
| VOL | 輸出電壓（導(dǎo)通）（VCC = 5.0V，VB = 2.5V，RL = 1.0kΩ） | - | - | 0.2 | Vdc |
| VOH | 輸出電壓（關(guān)斷）（VCC = 5.0V，VB = 0.5V，RL = 1.0kΩ） | 4.9 | - | - | Vdc |
| R1 | 輸入電阻 | 15.4 | 22 | 28.6 | kΩ |
| R1/R2 | 電阻比 | 0.38 | 0.47 | 0.56 | - |
封裝與引腳信息
封裝類型
MUN5134DW1采用SOT - 363封裝，NSBA124XDXV6采用SOT - 563封裝。
引腳連接與標(biāo)記圖
文檔中提供了詳細(xì)的引腳連接和標(biāo)記圖，不同封裝對應(yīng)不同的引腳功能，設(shè)計時需要仔細(xì)參考。
訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| MUN5134DW1T1G | SOT - 363 | 3,000/卷帶和卷盤 |
| NSBA124XDXV6T1G | SOT - 563 | 4,000/卷帶和卷盤 |
機(jī)械尺寸
文檔中給出了SC - 88（MUN5134DW1對應(yīng)封裝）和SOT - 563 - 6（NSBA124XDXV6對應(yīng)封裝）的機(jī)械尺寸圖及詳細(xì)尺寸參數(shù)，包括長度、寬度、高度、引腳間距等，這些參數(shù)對于電路板布局和焊接非常重要。
總結(jié)
Onsemi的MUN5134DW1和NSBA124XDXV6雙PNP偏置電阻晶體管憑借其集成化設(shè)計、廣泛的應(yīng)用特性、良好的電氣和熱性能，為電子工程師在電路設(shè)計中提供了優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求，結(jié)合器件的各項參數(shù)進(jìn)行合理設(shè)計，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似器件的特殊應(yīng)用場景呢？歡迎在評論區(qū)分享。
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電路設(shè)計
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