安森美雙PNP偏置電阻晶體管：簡化電路設(shè)計的理想之選

在電子電路設(shè)計中，如何簡化設(shè)計、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美（onsemi）推出的MUN5130DW1和NSBA113EDXV6雙PNP偏置電阻晶體管（BRT）為解決這些問題提供了一個出色的解決方案。本文將詳細(xì)介紹這兩款產(chǎn)品的特點(diǎn)、性能參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品概述

MUN5130DW1和NSBA113EDXV6是一系列數(shù)字晶體管，旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些BRT包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管，即一個串聯(lián)基極電阻和一個基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些組件集成到單個器件中，BRT消除了單獨(dú)的組件，從而降低了系統(tǒng)成本和電路板空間。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 簡化電路設(shè)計：將偏置電阻集成到晶體管中，減少了外部組件的數(shù)量，簡化了電路設(shè)計。
2. 節(jié)省電路板空間：由于減少了組件數(shù)量，電路板上的空間得到了有效利用。
3. 降低成本：減少了組件數(shù)量，從而降低了系統(tǒng)成本。
4. 汽車和其他應(yīng)用適用：提供S和NSV前綴，適用于汽車和其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用，并且符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備PPAP能力。
5. 環(huán)保合規(guī)：這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR），并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

最大額定值

超過這些額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

引腳連接和訂購信息

引腳連接

產(chǎn)品提供了SOT - 363（CASE 419B）和SOT - 563（CASE 463A）兩種封裝，不同封裝的引腳連接有所不同。具體的引腳連接信息可以參考文檔中的標(biāo)記圖。

訂購信息

關(guān)于卷帶包裝的規(guī)格，包括零件方向和卷帶尺寸等信息，可以參考安森美的卷帶包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。

熱特性

熱特性對于晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。以下是兩款產(chǎn)品的熱特性參數(shù)：

MUN5130DW1（SOT - 363）

• 單結(jié)加熱：總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時為187mW，高于(25^{circ}C)時的降額為1.5mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為670°C/W。
• 雙結(jié)加熱：總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時為250mW，高于(25^{circ}C)時的降額為2.0mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為493°C/W。

NSBA113EDXV6（SOT - 563）

• 單結(jié)加熱：總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時為350mW，高于(25^{circ}C)時的降額為2.9mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為357°C/W。
• 雙結(jié)加熱：總器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)時為500mW，高于(25^{circ}C)時的降額為4.0mW/°C，結(jié)到環(huán)境的熱阻為250°C/W。

兩款產(chǎn)品的結(jié)和存儲溫度范圍均為 - 55°C至 + 150°C。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 集電極 - 基極截止電流：在(V{CB}=50V)，(I{E}=0)時，(I_{CBO})最大為100nA。
• 集電極 - 發(fā)射極截止電流：在(V{CE}=50V)，(I{B}=0)時，(I_{CEO})最大為500nA。
• 發(fā)射極 - 基極截止電流：在(V{EB}=6.0V)，(I{C}=0)時，(I_{EBO})最大為4.3mA。
• 集電極 - 基極擊穿電壓：在(I{C}=10A)，(I{E}=0)時，(V_{(BR)CBO})為50V。
• 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓：在(I{C}=2.0mA)，(I{B}=0)時，(V_{(BR)CEO})為50V。

導(dǎo)通特性

• 直流電流增益：在(I{C}=5.0mA)，(V{CE}=10V)時，(h_{FE})在3.0至5.0之間。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓：在(I{C}=10mA)，(I{B}=5.0mA)時，(V_{CE(sat)})最大為0.25V。
• 輸入電壓（關(guān)）：在(V{CE}=5.0V)，(I{C}=100A)時，(V_{i(off)})為1.3V。
• 輸入電壓（開）：在(V{CE}=0.2V)，(I{C}=20mA)時，(V_{i(on)})為1.7V。
• 輸出電壓（開）：在(V{CC}=5.0V)，(V{B}=2.5V)，(R{L}=1.0k)時，(V{OL})為0.2V。
• 輸出電壓（關(guān)）：在(V{CC}=5.0V)，(V{B}=0.05V)，(R{L}=1.0k)時，(V{OH})為4.9V。
• 輸入電阻(R_{1})：在0.7至1.3kΩ之間。
• 電阻比(R{1}/R{2})：在0.8至1.2之間。

需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的，如果在不同條件下操作，產(chǎn)品性能可能會有所不同。

機(jī)械尺寸和封裝信息

SC - 88（SOT - 363）封裝

尺寸為2.00x1.25x0.90，引腳間距為0.65P。文檔中提供了詳細(xì)的尺寸圖和公差信息，同時還介紹了推薦的安裝腳印和多種引腳樣式。

SOT - 563 - 6封裝

尺寸為1.60x1.20x0.55，引腳間距為0.50P。同樣，文檔中包含了詳細(xì)的尺寸圖和相關(guān)信息。

總結(jié)

安森美的MUN5130DW1和NSBA113EDXV6雙PNP偏置電阻晶體管具有簡化電路設(shè)計、節(jié)省電路板空間、降低成本等優(yōu)點(diǎn)，適用于汽車和其他多種應(yīng)用場景。在使用這些晶體管時，需要注意其最大額定值、熱特性和電氣特性等參數(shù)，以確保器件的正常工作和可靠性。如果你正在尋找一種能夠簡化電路設(shè)計的晶體管解決方案，不妨考慮一下這兩款產(chǎn)品。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似的需求？對于這類集成化的晶體管，你有什么使用經(jīng)驗(yàn)或看法呢？歡迎在評論區(qū)分享。