硅基氮化鎵外延片與碳化硅氮化鎵外延片是當(dāng)前最主流的兩種技術(shù)路線，很多研發(fā)和采購(gòu)分不清差異，導(dǎo)致選型錯(cuò)誤。本文做清晰對(duì)比。

一、襯底不同

硅基氮化鎵：以硅為襯底，成本低、供應(yīng)鏈成熟。

碳化硅氮化鎵：以碳化硅為襯底，散熱極強(qiáng)、耐高壓。

二、性能差異

硅基氮化鎵：適合中低壓、消費(fèi)類、大規(guī)模量產(chǎn)。

碳化硅氮化鎵：適合高壓、高溫、車規(guī)級(jí)、高頻射頻。

三、成本區(qū)別

硅基氮化鎵：性價(jià)比高，適合走量產(chǎn)品。

碳化硅氮化鎵：成本更高，用于高端場(chǎng)景。

四、應(yīng)用場(chǎng)景

硅基氮化鎵：手機(jī)快充、工業(yè)電源、普通射頻、服務(wù)器電源。

碳化硅氮化鎵：新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、車載電源、5G 基站射頻。

五、選型建議

消費(fèi)類、控成本→選硅基氮化鎵外延片

車規(guī)、高壓、高可靠→選碳化硅氮化鎵外延片

安徽進(jìn)步半導(dǎo)體同時(shí)具備硅基、碳化硅氮化鎵外延片量產(chǎn)能力，提供全尺寸供貨與外延片芯片代加工，滿足不同場(chǎng)景需求。

審核編輯 黃宇