深入解析Onsemi NCP5106A/B高壓半橋驅(qū)動芯片
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的驅(qū)動芯片對于電路的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天,我們就來詳細探討Onsemi公司的NCP5106A和NCP5106B高壓半橋驅(qū)動芯片,看看它們能為我們的設(shè)計帶來哪些優(yōu)勢。
文件下載:NCP5106-D.PDF
芯片概述
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC,有A和B兩個版本。它能夠直接驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置(版本B)或其他高側(cè)+低側(cè)配置(版本A)。該芯片運用自舉技術(shù)確保高側(cè)功率開關(guān)的正常驅(qū)動,并且擁有兩個獨立輸入。
產(chǎn)品特性
高電壓范圍
NCP5106的電壓范圍可達600V,這使得它能夠適應(yīng)許多高壓應(yīng)用場景。例如,在一些工業(yè)電源、電機驅(qū)動等領(lǐng)域,高電壓范圍能夠提供更強大的驅(qū)動能力。
dV/dt抗擾性
具備±50V/nsec的dV/dt抗擾性,這意味著芯片在面對快速電壓變化時,能夠保持穩(wěn)定的性能,減少干擾對電路的影響。
負電流注入特性
在溫度范圍內(nèi)對負電流注入進行了特性表征,這有助于工程師在不同溫度環(huán)境下準(zhǔn)確評估芯片的性能,確保整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
寬驅(qū)動電源范圍
驅(qū)動電源范圍從10V到20V,為設(shè)計提供了更大的靈活性。工程師可以根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的電源電壓。
高、低驅(qū)動輸出
芯片提供高、低驅(qū)動輸出,輸出源/灌電流能力分別為250mA / 500mA,能夠滿足不同負載的驅(qū)動需求。
邏輯兼容性
輸入引腳電壓擺動
輸入引腳的電壓擺動可達VCC,并且允許橋接引腳的負電壓擺動擴展到 -10V,以實現(xiàn)信號傳播。
匹配的傳播延遲
兩個通道之間的傳播延遲匹配,確保了信號的同步性,減少了信號失真和誤差。
輸出與輸入同相
輸出與輸入同相,使得電路的控制更加直觀和方便。
獨立邏輯輸入
版本A具有獨立邏輯輸入,能夠適應(yīng)各種拓撲結(jié)構(gòu),為設(shè)計提供了更多的選擇。
交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護
版本B具有100ns的內(nèi)部固定死區(qū)時間,可有效防止交叉?zhèn)鲗?dǎo),提高電路的安全性。
欠壓鎖定(UVLO)
兩個通道都具備欠壓鎖定功能,當(dāng)電源電壓低于設(shè)定閾值時,芯片會自動關(guān)閉,保護電路免受損壞。
引腳兼容
與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳兼容,方便工程師進行替換和升級。
無鉛封裝
符合環(huán)保要求,是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)品。
典型應(yīng)用
半橋功率轉(zhuǎn)換器
NCP5106非常適合用于半橋功率轉(zhuǎn)換器,能夠提供高效、穩(wěn)定的驅(qū)動能力。
互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器
如非對稱半橋、有源鉗位等轉(zhuǎn)換器(僅A版本),可以充分發(fā)揮芯片的性能優(yōu)勢。
全橋轉(zhuǎn)換器
在全橋轉(zhuǎn)換器中,NCP5106也能提供可靠的驅(qū)動,確保電路的正常運行。
引腳說明
| Pin Name | Description |
|---|---|
| IN_HI | 高側(cè)驅(qū)動器輸出同相邏輯輸入 |
| IN_LO | 低側(cè)驅(qū)動器輸出同相邏輯輸入 |
| GND | 接地 |
| DRV_LO | 低側(cè)柵極驅(qū)動輸出 |
| VCC | 低側(cè)和主電源 |
| VBOOT | 自舉電源 |
| DRV_HI | 高側(cè)柵極驅(qū)動輸出 |
| BRIDGE | 自舉返回或高側(cè)浮動電源返回 |
| NC | 為爬電距離移除(僅DFN封裝) |
電氣特性
輸出部分
- 輸出高短路脈沖電流(VDRV = 0V,PW ≤ 10μs)典型值為250mA。
- 輸出低短路脈沖電流(VDRV = VCC,PW ≤ 10μs)典型值為500mA。
- 輸出電阻(典型值@25°C)源端為30 - 60Ω,灌端為10 - 20Ω。
- 高電平輸出電壓(VBIAS - VDRV_xx @ IDRV_xx = 20mA)典型值為0.7 - 1.6V。
- 低電平輸出電壓(VDRV_XX @ IDRV_XX = 20mA)典型值為0.2 - 0.6V。
動態(tài)輸出部分
- 導(dǎo)通傳播延遲(Vbridge = 0V)典型值為100 - 170ns。
- 關(guān)斷傳播延遲(Vbridge = 0V或50V)典型值為100 - 170ns。
- 輸出電壓上升時間(從10%到90% @ VCC = 15V,負載1nF)典型值為85 - 160ns。
- 輸出電壓下降時間(從90%到10% @ VCC = 15V,負載1nF)典型值為35 - 75ns。
- 高側(cè)和低側(cè)之間的傳播延遲匹配(@25°C)典型值為20 - 35ns。
- 內(nèi)部固定死區(qū)時間(僅B版本)典型值為65 - 190ns。
輸入部分
- 低電平輸入電壓閾值典型值為0.8V。
- 輸入下拉電阻(VIN < 0.5V)典型值為200kΩ。
- 高電平輸入電壓閾值典型值為2.3V。
- 邏輯“1”輸入偏置電流(@VIN_xx = 5V @ 25°C)典型值為5 - 25μA。
- 邏輯“0”輸入偏置電流(@VIN_xx = 0V @ 25°C)典型值為 -2.0μA。
電源部分
- VCC欠壓啟動電壓閾值典型值為8.0 - 9.9V。
- VCC欠壓關(guān)斷電壓閾值典型值為7.3 - 9.1V。
- VCC遲滯典型值為0.3 - 0.7V。
- Vboot啟動電壓閾值參考橋接引腳(Vboot_stup = Vboot - Vbridge)典型值為8.0 - 9.9V。
- Vboot欠壓關(guān)斷電壓閾值典型值為7.3 - 9.1V。
- Vboot遲滯典型值為0.3 - 0.7V。
- 高壓引腳到地的泄漏電流(VBOOT = VBRIDGE = DRV_HI = 600V)典型值為5 - 40μA。
- 有源模式下的功耗(VCC = Vboot,fsw = 100kHz,兩個驅(qū)動器輸出負載1nF)典型值為4 - 5mA。
- 抑制模式下的功耗(VCC = Vboot)典型值為250 - 400μA。
- VCC在抑制模式下的電流消耗典型值為200μA。
- Vboot在抑制模式下的電流消耗典型值為50μA。
應(yīng)用信息
負電壓安全工作區(qū)
在半橋配置中,橋接引腳可能會出現(xiàn)負電壓。Onsemi提供了該芯片的特性數(shù)據(jù),以顯示其能安全工作的最大負電壓。設(shè)計師需要確保應(yīng)用中的負電壓不超過特性曲線,并保留一定的安全裕量。如果橋接引腳接近安全工作極限,可以通過插入一個電阻和一個二極管來限制負電壓,防止芯片出現(xiàn)錯誤行為。
訂購信息
| Device | Package | Shipping |
|---|---|---|
| NCP5106ADR2G | SOIC - 8 (Pb - Free) | 2500 / Tape & Reel |
| NCP5106BDR2G | SOIC - 8 (Pb - Free) | 2500 / Tape & Reel |
需要注意的是,部分器件已經(jīng)停產(chǎn),如NCP5106APG、NCP5106BPG、NCP5106AMNTWG和NCP5106BMNTWG。
總結(jié)
Onsemi的NCP5106A和NCP5106B高壓半橋驅(qū)動芯片具有高電壓范圍、良好的抗擾性、寬驅(qū)動電源范圍等眾多優(yōu)點,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的版本,并結(jié)合芯片的電氣特性和應(yīng)用信息,確保電路的性能和穩(wěn)定性。你在使用類似驅(qū)動芯片時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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