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解析 ON Semiconductor FAN7085 - GF085 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

lhl545545 ? 2026-05-31 11:45 ? 次閱讀
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解析 ON Semiconductor FAN7085 - GF085 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)

一、產(chǎn)品概述

ON Semiconductor(現(xiàn)更名為 onsemi)推出的 FAN7085 - GF085 是一款帶有復(fù)位輸入和內(nèi)置充電 FET 的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC,專(zhuān)為 MOSFETIGBT高壓、高速驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì),最高可在 300V 電壓下工作。該產(chǎn)品采用了 ON Semiconductor 的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù),能在高 dV/dt 噪聲環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

文件下載:FAN7085_GF085-D.PDF

二、產(chǎn)品特性

2.1 高可靠性與兼容性

  • AEC Q100 認(rèn)證:符合汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),適用于對(duì)可靠性要求極高的汽車(chē)電子應(yīng)用。
  • 寬電壓范圍:浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá) 300V 的自舉操作,柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為 4.5V 至 20V。
  • 抗負(fù)瞬態(tài)電壓:VS 引腳能夠耐受負(fù)瞬態(tài)電壓,且具有 dv/dt 免疫能力。
  • 邏輯輸入兼容性:邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 輸出兼容,方便與其他數(shù)字電路集成。

2.2 保護(hù)與控制功能

  • 欠壓鎖定(UVLO):當(dāng) VCC 和 VBS 低于指定閾值電壓時(shí),UVLO 電路可防止器件誤操作。
  • 復(fù)位輸入:通過(guò)復(fù)位輸入信號(hào)可靈活控制驅(qū)動(dòng)器的啟用和禁用。
  • 內(nèi)置充電 FET:用于自舉電路刷新,對(duì)于需要在負(fù)載高低側(cè)進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作的電路拓?fù)浞浅S杏谩?/li>

三、典型應(yīng)用

3.1 汽車(chē)領(lǐng)域

  • 柴油和汽油噴油器/閥門(mén):可精確控制噴油器和閥門(mén)的開(kāi)關(guān),提高燃油噴射效率和發(fā)動(dòng)機(jī)性能。

    3.2 電力電子領(lǐng)域

  • MOSFET 和 IGBT 高側(cè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用:為 MOSFET 和 IGBT 提供穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),確保功率開(kāi)關(guān)的可靠工作。

四、技術(shù)參數(shù)

4.1 絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 最小值 最大值 單位
高側(cè)浮動(dòng)電源電壓 VBS -0.3 25 V
高側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)電壓(負(fù)瞬態(tài):0.5 ms,外部 MOSFET 關(guān)斷) VB -5 325 V
高側(cè)浮動(dòng)電源偏移電壓(負(fù)瞬態(tài) 0.2 us) Vs -25 300 V
高側(cè)浮動(dòng)輸出電壓 VHO VS - 0.3 VB + 0.3 V
電源電壓 VCC -0.3 25 V
IN - 輸入電壓 VIN -0.3 Vcc + 0.3 V
RESET - 輸入電壓 VRES -0.3 Vcc + 0.3 V
功率耗散 Pd 0.625 W
熱阻(結(jié)到環(huán)境) Rthja 200 °C/W
靜電放電電壓(人體模型) VESD 1.5K V
充電器件模型 VCDM 500 V
結(jié)溫 Tj 150 °C
存儲(chǔ)溫度 TS -55 150 °C

4.2 推薦工作條件

參數(shù) 符號(hào) 最小值 最大值 單位
高側(cè)浮動(dòng)電源電壓(DC)(瞬態(tài):-10V@ 0.2 us) VB VS + 4.5 VS + 20 V
高側(cè)浮動(dòng)電源偏移電壓(DC)(@VBS = 7V) VS -3 300 V
高側(cè)浮動(dòng)電源偏移電壓(瞬態(tài))(0.2us @VBS < 25V) VS -25 300 V
高側(cè)浮動(dòng)輸出電壓 VHO Vs VB V
允許的偏移電壓轉(zhuǎn)換速率 dv/dt - 50 V/ns
邏輯部分電源電壓 VCC 4.5 20 V
IN - 輸入電壓 VIN 0 Vcc V
RESET - 輸入電壓 VRESET 0 Vcc V
開(kāi)關(guān)頻率 Fs 200K Hz
最小低輸入寬度 tIN(low,min) 560 - ns
最小高輸入寬度 tIN(high,min) 60 - ns
VB 相對(duì)于 GND 的最小工作電壓 VB (MIN) 4 - V
環(huán)境溫度 Ta -40 125 °C

4.3 靜態(tài)電氣特性

在 -40°C <= Ta <= 125°C,VCC = 5V,VBS = 7V,VS = 0V,VRESET = 5V,RL = 50Ω,CL = 2.5nF 的條件下:

  • 電源特性:如 VCC 和 VBS 電源欠壓正閾值、負(fù)閾值、滯回等參數(shù)。
  • 輸入特性:包括 IN - 和 RESET - 的高低邏輯電平輸入電壓、輸入偏置電流、輸入電阻等。
  • 輸出特性:如高電平輸出電壓、低電平輸出電壓、峰值輸出源電流、峰值輸出灌電流、等效輸出電阻等。
  • 充電特性:充電 FET 的導(dǎo)通和關(guān)斷傳播延遲、導(dǎo)通狀態(tài)電壓降等。
  • 死區(qū)時(shí)間特性:高側(cè)關(guān)斷到充電柵極導(dǎo)通、充電柵極關(guān)斷到高側(cè)導(dǎo)通的時(shí)間。

4.4 動(dòng)態(tài)電氣特性

同樣在上述條件下,包含輸入到輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷傳播延遲、RESET 到輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷傳播延遲、輸出上升時(shí)間和下降時(shí)間等參數(shù)。

五、邏輯表與應(yīng)用電路

5.1 邏輯表

通過(guò)邏輯表可以清晰地了解 VCC、VBS、RESET -、IN - 與 Ho 和 RechFET 狀態(tài)之間的關(guān)系,為電路設(shè)計(jì)和控制提供依據(jù)。

5.2 典型應(yīng)用電路

文檔中給出了典型應(yīng)用電路和應(yīng)用示例,幫助工程師快速搭建實(shí)際應(yīng)用電路。同時(shí),還提供了輸入 - 輸出波形圖,包括輸入/輸出時(shí)序圖、復(fù)位時(shí)序圖、VB 壓降圖等,有助于工程師分析電路的工作狀態(tài)和性能。

六、性能圖表

性能圖表基于 -40°C 至 125°C 的環(huán)境溫度,展示了各種參數(shù)隨溫度、電源電壓等因素的變化關(guān)系,如正 IN 和 RESET 閾值與 VCC 電源的關(guān)系、輸出灌電流與 VBS 電源的關(guān)系等。這些圖表對(duì)于工程師在不同工作條件下評(píng)估和優(yōu)化電路性能具有重要參考價(jià)值。

七、總結(jié)

FAN7085 - GF085 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其豐富的特性、廣泛的應(yīng)用范圍和詳細(xì)的技術(shù)參數(shù),為電子工程師在設(shè)計(jì)高壓、高速驅(qū)動(dòng)電路時(shí)提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體需求和工作條件,合理選擇和使用該產(chǎn)品,并結(jié)合相關(guān)的性能圖表和應(yīng)用信息,確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行和性能優(yōu)化。大家在使用過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似產(chǎn)品的應(yīng)用難題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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