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深入解析 onsemi FAD6263 半橋柵極驅(qū)動器

lhl545545 ? 2026-05-31 15:35 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi FAD6263 半橋柵極驅(qū)動器

電子工程師的日常工作中,半橋柵極驅(qū)動器是一個關(guān)鍵的組件,它在許多應(yīng)用中都發(fā)揮著重要作用。今天,我們將深入探討 onsemi 的 FAD6263 半橋柵極驅(qū)動器,了解其特點、參數(shù)、應(yīng)用以及相關(guān)注意事項。

文件下載:FAD6263-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

FAD6263 是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器集成電路,適用于驅(qū)動半橋配置中的功率 MOSFETIGBT。它采用自舉技術(shù)來確保高端功率開關(guān)的正常驅(qū)動,并且僅需一個輸入信號即可工作。這款驅(qū)動器具有多種特性,使其在眾多應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

二、產(chǎn)品特性

2.1 輸出特性

  • 互補輸出:提供互補的高低驅(qū)動輸出,能夠有效控制功率開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷。
  • 高電流能力:輸出源/灌電流能力均為 3A,能夠滿足大多數(shù)功率開關(guān)的驅(qū)動需求。

2.2 保護(hù)特性

  • 直通保護(hù):具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間,能夠有效防止上下橋臂同時導(dǎo)通,避免直通故障。
  • 欠壓鎖定(UVLO):對兩個通道都有欠壓鎖定功能,當(dāng)電源電壓低于閾值時,輸出會被拉低,保護(hù)電路安全。
  • 靜電放電(ESD)保護(hù):具備 2kV 的人體模型(HBM)和帶電器件模型(CDM)ESD 能力,增強了器件的可靠性。

2.3 電氣特性

  • 高電壓范圍:最高可承受 600V 的電壓,適用于高電壓應(yīng)用。
  • 高 dv/dt 抗擾度:±50V/ns 的 dv/dt 抗擾度,能夠在高電壓變化率的環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  • 匹配的傳播延遲:傳播延遲僅為 100ns,確保信號的快速傳輸和同步。

2.4 其他特性

  • 寬電源范圍柵極驅(qū)動電源范圍從 10V 到 22V,提供了更大的設(shè)計靈活性。
  • 多種輸入邏輯電平:支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯引腳,方便與不同的控制系統(tǒng)連接。
  • 汽車級認(rèn)證:符合 AEC - Q100 標(biāo)準(zhǔn),可用于汽車應(yīng)用。
  • 環(huán)保特性:無鉛、無鹵素,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

三、引腳功能

FAD6263 采用 SOIC - 16 封裝,其引腳功能如下表所示: Pin Number Pin Name Description
1 IN 互補輸出的邏輯輸入
2 SD 邏輯輸入關(guān)機(低電平有效)
3 SR 關(guān)機復(fù)位
4 DT 通過外部電阻進(jìn)行死區(qū)時間控制(參考 VSS)
5 VSS 邏輯地
6 COM 電源地,低端驅(qū)動器返回
7 VDD 低端和邏輯電源電壓
8 LOP 低端驅(qū)動器輸出(上拉)
9 LON 低端驅(qū)動器輸出(下拉)
10 NC 無電氣連接
11 NC 無電氣連接
12 NC 無電氣連接
13 VS 高端浮動電源返回
14 HON 高端驅(qū)動器輸出(下拉)
15 HOP 高端驅(qū)動器輸出(上拉)
16 VB 高端浮動電源

四、參數(shù)指標(biāo)

4.1 最大額定值

FAD6263 的最大額定值決定了其在極端條件下的工作能力,具體參數(shù)如下: Rating Symbol Value Unit
高端浮動電源電壓 VB -0.3 至 625 V
高端浮動偏移電壓 VS (VB – 25) 至 (VB + 0.3) V
高端浮動輸出電壓 VHO (VS – 0.3) 至 (VB + 0.3) V
低端和邏輯固定電源電壓 VDD -0.3 至 25 V
邏輯輸入電壓(IN, SD, SR) VIN -0.3 至 (VDD + 0.3) V
編程死區(qū)時間引腳電壓 DT -0.3 至 (VDD + 0.3) V
低端輸出電壓 VLO (COM – 0.3) 至 (VDD + 0.3) V
電源地 COM (VDD – 25) 至 (VDD + 0.3) V
允許的偏移電壓變化率 dVS/dt 50 V/ns
功率耗散 PD 0.86 W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 θJA 145 °C/W
最大結(jié)溫 TJ(max) 150 °C
存儲溫度范圍 TSTG -55 至 150 °C
ESD 能力(人體模型) ESDHBM 2 kV
ESD 能力(帶電器件模型) ESDCDM 2 kV
濕度敏感度等級 MSL 1 -
焊接回流溫度(僅 SMD 樣式,無鉛版本) TSLD 260 °C

4.2 推薦工作范圍

為了確保 FAD6263 的正常工作和可靠性,推薦在以下范圍內(nèi)使用: Rating Symbol Min Max Unit
高端 Vs 浮動電源偏移電壓 Vs 5 - VBS 600 V
高端 VBS 自舉電壓 VBS VBSUV+ 22 V
高端輸出電壓 VHO Vs VB V
低端和邏輯電源電壓 VDD VDDUV+ 22 V
低端輸出電壓 VLO COM VDD V
邏輯輸入電壓(IN, SD, SR) VIN Vss VDD V
可編程死區(qū)時間引腳電壓 DT Vss VDD V
電源地 COM VDD - 22 VDD V
環(huán)境溫度 TA -40 125 °C
外部關(guān)機輸入上拉電阻 RSDext 3.1 12.4

4.3 電氣特性

在特定測試條件下(VBIAS (VDD, VBS)=15 V,VSS = COM = 0 V,DT = VSS,TA = -40°C 至 125°C),F(xiàn)AD6263 的電氣特性如下: Parameter Test Condition Symbol Min Typ Max Unit
電源部分
VDD 和 VBS 電源欠壓正向閾值 VDDUV+ VBSUV+ 7.3 8.3 9.3 V
VDD 和 VBS 電源欠壓負(fù)向閾值 VDDUV- VBSUV- 6.7 7.8 8.6 V
VDD 和 VBS 電源欠壓鎖定滯回電壓 VDDUVH VBSUVH 0.5 V
偏移電源泄漏電流 VB = VS = 600 V LK 50 μA
靜態(tài) VDD 電源電流 VIN = 0V 或 5V lopp 355 550 μA
靜態(tài) VBS 電源電流 VIN = 0V 或 5V lQBS 45 110 μA
工作 VDD 電源電流 VIN = 0V 或 5V; fSW = 20 kHz; CL = 1 nF IPDD 1000 2000 μA
工作 VBS 電源電流 VIN = 0 V 或 5 V; fSW = 20 kHz; CL = 1 nF PBS 700 1400 μA
邏輯輸入部分
IN, SD, SR 閾值的邏輯“1”輸入電壓 VIH 2.1 2.5 V
IN, SD, SR 閾值的邏輯“0”輸入電壓 VIL 0.8 1.6 V
邏輯輸入高偏置電流 VIN = 5 V IN+ 20 40 μA
邏輯輸入低偏置電流 VIN = 0V lIN- 3 μA
SD 高偏置電流 SD = 5 V 1SD+ -11 -6 μA
SD 低輸出電壓 10 kΩ 外部上拉至 5 V VSD- 0.8 V
邏輯輸入下拉/上拉電阻 RIN 125 250 400
關(guān)機輸入上拉電阻 RSD 125 250 400
關(guān)機復(fù)位下拉電阻 RSRES 125 250 400
柵極驅(qū)動器輸出部分
高端的高電平輸出電壓(VB - VOH)和低端的(VDD - VOL) VIN = 5 V 用于高端,VIN = 0V 用于低端,無負(fù)載(IO = 0 A) VOH 10 mV
高端的低電平輸出電壓(VOH - Vs)和低端的(VOL - COM) VIN = 0 V 用于高端,VIN = 5 V 用于低端,無負(fù)載(IO = 0 A) VOL 10 mV
源極峰值脈沖電流 VOH = 0V,脈沖寬度 ≤ 10 μs lo+ 2 3.3 A
漏極峰值脈沖電流 VOH = 15 V,脈沖寬度 ≤ 10 μs lo- 2 3.3 A
允許的負(fù) Vs 引腳電壓,具有從 IN 到 HO 的信號傳播能力 VBS = 15V Vs -10 V
允許的瞬態(tài)負(fù) Ve 引腳電壓,無從 IN 到 HO 的信號傳播能力 VBS = 15 V Vs -15 V
允許的 COM - VSS 電源/信號地偏移 VDD = 15V,VSS = 0V COM - Vss -8 V
動態(tài)部分
導(dǎo)通傳播延遲 VS = 0 V, RDT = 0 Ω, CL = 1000 pF ton 155 230 ns
關(guān)斷傳播延遲 VS = 0 V, CL = 1000 pF toFF 55 90 ns
HO 和 LO 導(dǎo)通延遲匹配 MtON 25 ns
HO 和 LO 關(guān)斷延遲匹配 MtOFF 20 ns
導(dǎo)通上升時間 VS = 0V, CL = 1000 pF tR 10 23 ns
關(guān)斷下降時間 tF 10 20 ns
死區(qū)時間:LO 關(guān)斷到 HO 導(dǎo)通 RDT = 0 Ω DT 85 120 160 ns
HO 關(guān)斷到 LO 導(dǎo)通 RDT = 200kΩ 0.7 1 1.5 μs
死區(qū)時間匹配:DT_LO - HO - DT_HO - LO RDT = 0.2 MDT 10 ns
RDT = 200 kΩ 75 ns
關(guān)機最小脈沖寬度 tSDMIN 260 310 450 ns
關(guān)機復(fù)位最小脈沖寬度 tsRMIN 1 1.6 2.4 μs
UVLO 響應(yīng)時間 15 μs
Vdd 斜坡上升后的 POR 建立時間 POR 50 μs

五、典型性能特性

文檔中提供了大量的典型性能特性曲線,包括導(dǎo)通傳播延遲與溫度、關(guān)斷傳播延遲與溫度、上升時間與溫度、下降時間與溫度、死區(qū)時間與溫度、死區(qū)時間匹配與溫度、電源電流與溫度等關(guān)系曲線。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解 FAD6263 在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而優(yōu)化設(shè)計。

六、應(yīng)用說明

6.1 上電復(fù)位(POR)序列

為了確保在 Vdd 上升后邏輯電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),再啟動?xùn)艠O驅(qū)動器,需要遵循以下 POR 序列:

  1. 將 VDD 上升到目標(biāo)工作電壓。
  2. 等待 tPOR 時間,讓內(nèi)部邏輯穩(wěn)定。
  3. 提供一個持續(xù)時間為 tSRMIN 的 SR 脈沖,確保 LO 輸出激活。
  4. 給自舉電容足夠的時間充電,建議在自舉電容充電完成前保持 IN 為低電平。
  5. 按預(yù)期操作設(shè)備。

6.2 關(guān)機輸入(SD)和關(guān)機復(fù)位(SR)引腳

SD 引腳用于啟用或禁用驅(qū)動器輸出。當(dāng) SD 引腳外部拉低持續(xù) tSDMIN 時間后,驅(qū)動器輸出被禁用,并且 SD 引腳被內(nèi)部下拉晶體管保持低電平。SR 引腳用于從內(nèi)部鎖存狀態(tài)復(fù)位 SD 引腳,需要給 SR 引腳提供一個持續(xù)時間為 tSRMIN 的脈沖。

6.3 可調(diào)節(jié)死區(qū)時間

通過外部電阻可以調(diào)節(jié)相反輸出的關(guān)斷和導(dǎo)通之間的死區(qū)時間,電阻值與死區(qū)時間的關(guān)系在文檔中的圖 14 中有定義。需要注意的是,DT 引腳必須通過合適的電阻連接到地,否則輸出將無法導(dǎo)通。

6.4 欠壓鎖定(UVLO)

兩個獨立的欠壓鎖定電路分別監(jiān)控 VBS 電壓和 VDD 到 VSS 的電壓。當(dāng) VBS 電壓低于負(fù)向閾值電壓時,高端輸出被拉低;當(dāng) VDD 電壓低于負(fù)向閾值電壓時,低端和高端輸出都被拉低。當(dāng) VBS / VDD 電壓達(dá)到正向閾值電壓后,輸出將在輸入的下一個正邊沿重新激活。

6.5 上拉和下拉輸出

HOP 和 LOP 是上拉輸出級,控制功率開關(guān)的導(dǎo)通速度;HON 和 LON 是下拉輸出級,控制功率開關(guān)的關(guān)斷速度。通過調(diào)整 R1、R3、R2 和 R4 的值,可以分別定義導(dǎo)通和關(guān)斷速度,而無需在柵極電阻路徑中使用二極管。

七、機械封裝和尺寸

FAD6263 采用 SOIC - 16 封裝,文檔中提供了詳細(xì)的封裝尺寸和公差信息,以及推薦的安裝腳印。在進(jìn)行 PCB 設(shè)計時,工程師需要根據(jù)這些信息確保器件的正確安裝和連接。

八、總結(jié)

FAD6263 半橋柵極驅(qū)動器具有多種優(yōu)秀的特性和功能,適用于汽車、電機控制等多種應(yīng)用場景。在使用過程中,工程師需要根據(jù)其參數(shù)指標(biāo)和應(yīng)用說明進(jìn)行合理設(shè)計,確保器件在安全、可靠的工作范圍內(nèi)運行。同時,要注意遵循上電復(fù)位序列、正確使用關(guān)機和復(fù)位引腳、合理調(diào)節(jié)死區(qū)時間等,以充分發(fā)揮 FAD6263 的性能優(yōu)勢。大家在實際應(yīng)用中遇到過哪些關(guān)于柵極驅(qū)動器的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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