LADCT2000 高精度半導(dǎo)體直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 是由西安萊安科技-技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多 年經(jīng)驗(yàn)，以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后，完全自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“ 晶體管高精度直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升，核心技術(shù)可控，設(shè)備可靠性值得廣泛客戶信賴。

脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源配置2000V，2500V,高流源標(biāo)配100A, 200A，300A,500A,1200A,柵極電壓 40V， 柵極電流
100mA，分辨率最高至 1.5uV / 1.5pA，精度最高可至 0.1%。 程控軟件基于 Lab VIEW 平臺(tái)編寫(xiě)，填充式菜單界面。采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座， 自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測(cè)試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等 7 大類(lèi) 26 分類(lèi)的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見(jiàn)器件。無(wú)論電壓電流源還是功能配置都有著極強(qiáng)的擴(kuò)展性。能夠解決以下這些器件測(cè)試的難點(diǎn)和問(wèn)題，使得半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了真正的國(guó)產(chǎn)替代。

測(cè)試種類(lèi)范圍

具備IV曲線掃描功能（選配）

型號(hào):LADCT2000 主機(jī)尺寸: 深 660*寬 430*高 210(mm)

主機(jī)重量: ＜35kg

主機(jī)功耗: ＜300W
海拔高度: 海拔不超過(guò) 4000m；
環(huán)境要求: -20℃~60℃（儲(chǔ)存） 、5℃~50℃（工作）；
相對(duì)濕度: 20%RH～75%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；大氣壓力: 86Kpa～106Kpa；
防護(hù)條件: 無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；電網(wǎng)要求: AC220V、 ±10%、50Hz±1Hz；

掃描曲線參數(shù)如下，完美解決了國(guó)產(chǎn)測(cè)試機(jī)IV曲線測(cè)試功能的短板，使測(cè)試更加便捷準(zhǔn)確。

二極管：
IF vs.VF
IR vs.VR
三極管：
IC_VS_VCE
HFE_VS_IC
BVCE_VS_IC
BVEBO_VS_IE

ICBO_VS_VCBO

ICEO_VS_VCE

IEBO_VS_VEB

VCE_(SAT)_VS_IB

VBE_(SAT)_VS_IC

VBE_(ON)_VS_IC

MOS管：
ID_VS_VDS
ID_VS_VGS
IS_VS_VSD
RDS_VS_VGS
RDS_VS_ID
IDSS_VS_VDS
BVDS_VS_IDS
IGBT：
IC_VS_VCE
IC_VS_VGE
ICES_VS_VCE
IF_VS_VF
VSAT_VS_VGE
BVCE_VS_IC

(5) 參數(shù)指標(biāo)

1. 電流/電壓源 VIS 自帶 VI測(cè)量單元

1). 加壓(FV)

量程 分辨率 精度
±40V 625uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±20V 320uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±10V 160uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±5V 80uV ±0.1% 設(shè)定值±2mV
±2V 32uV ±0.1% 設(shè)定值±2mV
2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
±200A 31.25mA ±0.5% 設(shè)定值±250mA
±100A 15.625mA±0.5% 設(shè)定值±125mA
±40A 625uA ±0.5% 設(shè)定值±30mA
±4A 62.5uA ±0.2% 設(shè)定值±2mA
±400mA 6.25uA ±0.1% 設(shè)定值±500uA
±40mA 625nA ±0.1% 設(shè)定值±50uA
±4mA 62.5nA ±0.1% 設(shè)定值±5uA
±400uA 6.25nA ±0.1% 設(shè)定值±500nA
±40uA 625pA ±0.1% 設(shè)定值±50nA
說(shuō)明：電流大于 1.5A 自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍 300us-1000us 可調(diào)
3). 電流測(cè)量(MI)

量程 分辨率 精度
±200A 7.8mA ± 1% 讀數(shù)值±250mA
±100A 3.9mA ±0.5% 讀數(shù)值±125mA
±40A 1.22mA ±1% 讀數(shù)值±20mA
±4A 122uA ±0.5% 讀數(shù)值±2mA
±400mA 12.2uA ±0.5% 讀數(shù)值±200uA
±40mA 1.22uA ±0.5% 讀數(shù)值±20uA
±4mA 122nA ±0.5% 讀數(shù)值±2uA
±400uA 12.2nA ±0.5% 讀數(shù)值±200nA
±40uA 1.22nA ±1% 讀數(shù)值±20nA

4). 電壓測(cè)量

量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 讀數(shù)值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 讀數(shù)值±20mV
±40V 1.22mV ±1% 讀數(shù)值±20mV
±20V 122uV ±0.5% 讀數(shù)值±2mV
±10V 12.2uV ±0.5% 讀數(shù)值±200uV
±5V 1.22uV ±0.5% 讀數(shù)值±20uV

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM

16 位 ADC，1M/S 采樣速率
1). 電壓測(cè)量w

量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 讀數(shù)值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 讀數(shù)值±20mV
±100V 1.53mV ±0.1% 讀數(shù)值±10mV
±10V 153uV ±0.1% 讀數(shù)值±5mV
±1V 15.3uV ±0.1% 讀數(shù)值±2mV
±0.1V 1.53uV ±0.2% 讀數(shù)值±2mV
2). 漏電流測(cè)量MI)

量程 分辨率 精度
±100mA 1.53uA ±0.2% 讀數(shù)值±100uA
±10mA 153nA ±0.1% 讀數(shù)值±3uA
±1mA 15.3nA ±0.1% 讀數(shù)值±300nA
±100uA 1.53nA ±0.1% 讀數(shù)值±100nA
±10uA 153pA ±0.1% 讀數(shù)值±20nA
±1uA 15.3pA ±0.5% 讀數(shù)值±5nA
±100nA 1.53pA ±0.5% 讀數(shù)值±0.5nA
3). 電容容量測(cè)量(MC)

量程 分辨率 精度
6nF 10PF ±5% 讀數(shù)值±50PF
60nF 100PF ±5% 讀數(shù)值±100PF

3. 高壓源 HVS(基本)16位 DAC

1).加壓(FV)

量程 分辨率 精度
2000V/10mA 30.5mV ±0.5% 設(shè)定值±500mV
200V/10mA 30.5mV ±0.2% 設(shè)定值±50mV
40V/50mA 30.5mV ±0.1% 設(shè)定值±5mV

2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
10mA 3.81uA ±0.5% 設(shè)定值±10uA
2mA 381nA ±0.5% 設(shè)定值±2uA
200uA 38.1nA ±0.5% 設(shè)定值±200nA
20uA 3.81nA ±0.5% 設(shè)定值±20nA
2uA 381pA ±0.5% 設(shè)定值±2nA

為了便于技術(shù)大拿們的交流溝通，大家對(duì)此方案感興趣的話可以隨時(shí)留言和圖片聯(lián)系方式，點(diǎn)擊關(guān)注

審核編輯 黃宇