1GB/2GB 200 - Pin DDR2 SD RAM SODIMM 深度解析

在電子設(shè)備不斷升級(jí)的今天，內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性對(duì)系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。本文將深入剖析 1GB 和 2GB（x64, DR）200 - Pin DDR2 SDRAM SODIMM，為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)過程中提供全面的參考。

文件下載：MT16HTF12864HY-40EB3.pdf

產(chǎn)品概述

DDR2 SDRAM SODIMM 具有兩種容量規(guī)格，分別為 1GB（MT16HTF12864HY）和 2GB（MT16HTF25664HY）。它采用 200 - pin 的小外形雙列直插式內(nèi)存模塊（SODIMM）設(shè)計(jì)，具備快速的數(shù)據(jù)傳輸速率，支持 PC2 - 3200、PC2 - 4200、PC2 - 5300 或 PC2 - 6400 等多種規(guī)格。

關(guān)鍵特性

電氣特性

電壓：(V{DD}=V{DDQ}=1.8V)，(V_{DDSPD}=1.7 - 3.6V)，采用 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 1.8V I/O（SSTL_18 兼容）。
數(shù)據(jù)傳輸：擁有差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS, DQS#）選項(xiàng)，采用 (4n) - bit 預(yù)取架構(gòu)，支持多內(nèi)部設(shè)備庫進(jìn)行并發(fā)操作。
可編程特性：可編程的 CAS 延遲（CL）、Posted CAS 附加延遲（AL），WRITE 延遲 = READ 延遲 - 1 tCK，可編程的突發(fā)長度（BL）為 4 或 8，可調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
刷新機(jī)制：具備 64ms、8192 周期刷新功能。
其他特性：具有片上終端（ODT）、帶 EEPROM 的串行存在檢測(cè)（SPD）以及金邊緣觸點(diǎn)和雙列設(shè)計(jì)。

工作溫度與選項(xiàng)

選項(xiàng)	標(biāo)記
商業(yè)溫度范圍（(0°C ≤ T_A ≤ +70°C)）	無
工業(yè)溫度范圍（(-40°C ≤ T_A ≤ +85°C)）	I
200 - pin DIMM（無鉛封裝）	Y
頻率/CL
2.5ns @ CL = 5（DDR2 - 800）	-80E
2.5ns @ CL = 6（DDR2 - 800）	-800
3ns @ CL = 5（DDR2 - 667）	-667
3.75ns @ CL = 4（DDR2 - 533）	-53E
5.0ns @ CL = 3（DDR2 - 400）	-40E

關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)

速度等級(jí)	行業(yè)命名	數(shù)據(jù)速率（MT/s）	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRC (ns)
-80E	PC2 - 6400	800	12.5	12.5	55
-800	PC2 - 6400	800	15	15	55
-667	PC2 - 5300	667	15	15	55
-53E	PC2 - 4200	533	15	15	55
-40E	PC2 - 3200	400	15	15	55

尋址與參數(shù)

尋址

參數(shù)	1GB	2GB
刷新計(jì)數(shù)	8K	8K
行地址	16K A[13:0]	16K A[13:0]
設(shè)備庫地址	4 BA[1:0]	8 BA[2:0]
設(shè)備配置	512Mb (64 Meg x 8)	1Gb (128 Meg x 8)
列地址	1K A[9:0]	1K A[9:0]
模塊列地址	2 S#[1:0]	2 S#[1:0]

不同容量模塊的參數(shù)

1GB 模塊

部件編號(hào)	模塊密度	配置	模塊帶寬	內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率	時(shí)鐘周期（CL - tRCD - tRP）
MT16HTF12864H(I)Y - 80E__	1GB	128 Meg x 64	6.4 GB/s	2.5ns/800 MT/s	5 - 5 - 5
MT16HTF12864H(I)Y - 800__	1GB	128 Meg x 64	6.4 GB/s	2.5ns/800 MT/s	6 - 6 - 6
MT16HTF12864H(I)Y - 667__	1GB	128 Meg x 64	5.3 GB/s	3.0ns/667 MT/s	5 - 5 - 5
MT16HTF12864H(I)Y - 53E__	1GB	128 Meg x 64	4.3 GB/s	3.75ns/533 MT/s	4 - 4 - 4
MT16HTF12864H(I)Y - 40E__	1GB	128 Meg x 64	3.2 GB/s	5.0ns/400 MT/s	3 - 3 - 3

2GB 模塊

部件編號(hào)	模塊密度	配置	模塊帶寬	內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率	時(shí)鐘周期（CL - tRCD - tRP）
MT16HTF25664H(I)Y - 80E__	2GB	256 Meg x 64	6.4 GB/s	2.5ns/800 MT/s	5 - 5 - 5
MT16HTF25664H(I)Y - 800__	2GB	256 Meg x 64	6.4 GB/s	2.5ns/800 MT/s	6 - 6 - 6
MT16HTF25664H(I)Y - 667__	2GB	256 Meg x 64	5.3 GB/s	3.0ns/667 MT/s	5 - 5 - 5
MT16HTF25664H(I)Y - 53E__	2GB	256 Meg x 64	4.3 GB/s	3.75ns/533 MT/s	4 - 4 - 4
MT16HTF25664H(I)Y - 40E__	2GB	256 Meg x 64	3.2 GB/s	5.0ns/400 MT/s	3 - 3 - 3

引腳分配與描述

引腳分配

引腳	符號(hào)	引腳	符號(hào)	引腳	符號(hào)	引腳	符號(hào)
1	V_REF	51	DQS2	101	A1	151	DQ42
3	V_SS	53	V_SS	103	V_DD	153	DQ43
5	DQ0	55	DQ18	105	A10	155	V_SS
7	DQ1	57	DQ19	107	BA0	157	DQ48
9	V_SS	59	V_SS	109	WE#	159	DQ49
11	DQS0#	61	DQ24	111	V_DD	161	V_SS
13	DQS0	63	DQ25	113	CAS#	163	NC
15	V_SS	65	V_SS	115	S1#	165	V_SS
17	DQ2	67	DM3	117	V_DD	167	DQS6#
19	DQ3	69	NC	119	ODT1	169	DQS6
21	V_SS	71	V_SS	121	V_SS	171	V_SS
23	DQ8	73	DQ26	123	DQ32	173	DQ50
25	DQ9	75	DQ27	125	DQ33	175	DQ51
27	V_SS	77	V_SS	127	V_SS	177	V_SS
29	DQS1#	79	CKE0	129	DQS4#	179	DQ56
31	DQS1	81	V_DD	131	DQS4	181	DQ57
33	V_SS	83	NC	133	V_SS	183	V_SS
35	DQ10	85	NC/BA2	135	DQ34	185	DM7
37	DQ11	87	V_DD	137	DQ35	187	V_SS
39	V_SS	89	A12	139	V_SS	189	DQ58
41	V_SS	91	A9	141	DQ40	191	DQ59
43	DQ16	93	A8	143	DQ41	193	V_SS
45	DQ17	95	V_DD	145	V_SS	195	SDA
47	V_SS	97	A5	147	DM5	197	SCL
49	DQS2#	99	A3	149	V_SS	199	V_DDSPD

引腳描述

符號(hào)	類型	描述
Ax	輸入	地址輸入，為 AC TIVE 命令提供行地址，為 READ/WRITE 命令提供列地址和自動(dòng)預(yù)充電位（A10），在 PRECHARGE 命令中 A10 決定預(yù)充電是應(yīng)用于一個(gè)庫還是所有庫，在 LOAD MODE 命令中提供操作碼。
BAx	輸入	庫地址輸入，定義 ACTIVE、READ、WRITE 或 PRECHARGE 命令應(yīng)用的設(shè)備庫，在 LOAD MODE 命令中定義加載的模式寄存器。
CKx, CK#x	輸入	差分時(shí)鐘輸入，所有控制、命令和地址輸入信號(hào)在 CK 的正邊緣和 CK# 的負(fù)邊緣交叉時(shí)采樣。
CKEx	輸入	時(shí)鐘使能，啟用（高電平）和禁用（低電平）DDR2 SDRAM 內(nèi)部電路和時(shí)鐘。
DMx	輸入	數(shù)據(jù)掩碼（僅 x8 設(shè)備），用于寫數(shù)據(jù)的輸入掩碼信號(hào)，當(dāng) DM 采樣為高電平時(shí)，寫訪問期間輸入數(shù)據(jù)被掩碼。
ODTx	輸入	片上終端，啟用（高電平）和禁用（低電平）DDR2 SDRAM 內(nèi)部的終端電阻，正常操作時(shí)僅應(yīng)用于 DQ、DQS、DQS#、DM 和 CB 引腳。
Par_In	輸入	奇偶校驗(yàn)輸入，用于 Ax、RAS#、CAS# 和 WE# 的奇偶校驗(yàn)位。
RAS#, CAS#, WE#	輸入	命令輸入，與 S# 一起定義輸入的命令。
RESET#	輸入	復(fù)位，當(dāng) RESET# 為低電平時(shí)，異步強(qiáng)制所有寄存器輸出為低電平，可在電源啟動(dòng)時(shí)確保 CKE 為低電平，DQ 為高阻態(tài)。
S#x	輸入	芯片選擇，啟用（低電平）和禁用（高電平）命令解碼器。
SAx	輸入	串行地址輸入，用于配置 I2C 總線上 SPD EEPROM 的地址范圍。
SCL	輸入	SPD EEPROM 的串行時(shí)鐘，用于同步 I2C 總線上與 SPD EEPROM 的通信。
CBx	I/O	校驗(yàn)位，用于系統(tǒng)錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正。
DQx	I/O	數(shù)據(jù)輸入/輸出，雙向數(shù)據(jù)總線。
DQSx, DQS#x	I/O	數(shù)據(jù)選通，與 DQ 一起傳輸，用于在 DRAM 或控制器處捕獲 DQ，讀數(shù)據(jù)時(shí)輸出，寫數(shù)據(jù)時(shí)輸入，用于源同步操作，DQ S# 僅在通過 LOAD MODE 命令啟用差分?jǐn)?shù)據(jù)選通模式時(shí)使用。
SDA	I/O	串行數(shù)據(jù)，用于在 I2C 總線上傳輸?shù)刂泛蛿?shù)據(jù)進(jìn)出 SPD EEPROM。
RDQSx, RDQS#x	輸出	冗余數(shù)據(jù)選通（僅 x8 設(shè)備），通過 LOAD MODE 命令啟用/禁用，啟用時(shí)僅在讀數(shù)據(jù)時(shí)輸出，寫數(shù)據(jù)時(shí)忽略，禁用時(shí)變?yōu)閿?shù)據(jù)掩碼。
Err_Out#	輸出（開漏）	奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤輸出，在命令和地址總線上發(fā)現(xiàn)奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤。
V_DD /V_DDQ	電源	電源供應(yīng)，1.8V ±0.1V，組件的 V_DD 和 V_DDQ 連接到模塊的 V_DD。
V_DDSPD	電源	SPD EEPROM 電源供應(yīng)，1.7 - 3.6V。
V_REF	電源	參考電壓，V_DD /2。
V_SS	電源	接地。
NC	-	未連接，這些引腳在模塊上未連接。
NF	-	無功能，這些引腳在模塊內(nèi)連接，但無功能。
NU	-	未使用，這些引腳在特定模塊配置/操作中未使用。
RFU	-	保留供未來使用。

功能框圖與一般描述

功能框圖

該模塊的功能框圖展示了其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和信號(hào)流向，有助于工程師理解其工作原理。

一般描述

DDR2 SDRAM 模塊是高速的 CMOS 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存模塊，采用內(nèi)部配置的 4 或 8 庫 DDR2 SDRAM 設(shè)備。DDR2 架構(gòu)本質(zhì)上是 (4n) - 預(yù)取架構(gòu)，接口設(shè)計(jì)為在 I/O 引腳每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。模塊使用兩組差分信號(hào)：DQS、DQS# 用于捕獲數(shù)據(jù)，CK 和 CK# 用于捕獲命令、地址和控制信號(hào)，確保了信號(hào)的抗干擾能力和精確的采樣點(diǎn)。

電氣規(guī)格與操作條件

絕對(duì)最大額定值

符號(hào)	參數(shù)	最小值	最大值	單位
V_DD	任何引腳相對(duì)于 V_SS 的電壓，V_DD 電源電壓相對(duì)于 V_SS	-1.0	2.3	V
V_IN, V_OUT	-0.5	2.3	V
I_I	輸入泄漏電流；任何輸入 0V ≤ V_IN ≤ V_DD；V_REF 輸入 0V ≤ V_IN ≤ 0.95V；（

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