16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM技術解析
一、引言
在當今的電子設備中,內(nèi)存扮演著至關重要的角色。DDR4 UDIMM作為一種常見的內(nèi)存模塊,廣泛應用于各種計算機系統(tǒng)。本文將詳細介紹16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM的特性、規(guī)格以及相關注意事項,為電子工程師在設計中提供參考。
二、產(chǎn)品特性
2.1 基本特性
這款DDR4 UDIMM遵循Micron DDR4 UDIMM核心數(shù)據(jù)表中的定義,支持DDR4的功能和操作。它采用288 - pin的無緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(UDIMM)設計,具有快速的數(shù)據(jù)傳輸速率,包括PC4 - 2666和PC4 - 3200。容量為16GB(2 Gig x 64),采用單通道設計,數(shù)據(jù)總線具備數(shù)據(jù)總線反轉(DBI)功能。此外,板載有 (I^{2}) 串行存在檢測(SPD)EEPROM,內(nèi)部有16個存儲體,分為4組,每組4個存儲體。
2.2 選項與標記
| 選項 | 標記 |
|---|---|
| 工作溫度 - 商業(yè)級(0 °C ≤ T_OPER ≤ 95 °C) | 無 |
| 封裝 - 288 - pin DIMM(無鹵) | Z |
| 頻率/CAS延遲 - 0.625ns @ CL = 22(DDR4 - 3200) | -3G2 |
| 頻率/CAS延遲 - 0.75ns @ CL = 19(DDR4 - 2666) | -2G6 |
三、尋址參數(shù)
| 參數(shù) | 16GB |
|---|---|
| 行地址 | 128K A[16:0] |
| 列地址 | 1K A[9:0] |
| 設備存儲體組地址 | 4 BG[1:0] |
| 每組設備存儲體地址 | 4 BA[1:0] |
| 設備配置 | 16Gb(2 Gig x 8),16個存儲體 |
| 模塊通道地址 | CS0_n |
四、型號與時序參數(shù)
4.1 不同型號對比
| 部件編號 | 模塊密度 | 配置 | 模塊帶寬 | 內(nèi)存時鐘/數(shù)據(jù)速率 | 時鐘周期(CL - n_RCD - n_RP) |
|---|---|---|---|---|---|
| MTA8ATF2G64AZ - 3G2__ | 16GB | 2 Gig x 64 | 25.6 GB/s | 0.625ns/3200 MT/s | 22 - 22 - 22 |
| MTA8ATF2G64AZ - 2G6__ | 16GB | 2 Gig x 64 | 21.3 GB/s | 0.75ns/2666 MT/s | 19 - 19 - 19 |
4.2 注意事項
部件編號末尾有一個兩位代碼(未顯示),用于指定組件和PCB的版本。如需當前版本代碼,需咨詢廠家。
五、重要注意事項
5.1 產(chǎn)品變更
Micron保留對產(chǎn)品信息(包括規(guī)格和產(chǎn)品描述)進行更改的權利,本文檔取代之前提供的所有信息。如果從非授權經(jīng)銷商或其他非Micron授權的來源獲取產(chǎn)品,請勿依賴本文檔中的信息。
5.2 汽車應用
除非Micron在其數(shù)據(jù)表中明確指定為汽車級產(chǎn)品,否則這些產(chǎn)品不設計或用于汽車應用。經(jīng)銷商和客戶需承擔使用非汽車級產(chǎn)品用于汽車應用所產(chǎn)生的所有風險和責任,并賠償Micron免受相關索賠、成本、損失和費用。
5.3 關鍵應用
這些產(chǎn)品未經(jīng)授權用于關鍵應用(即Micron組件故障可能直接或間接導致人員死亡、人身傷害、嚴重財產(chǎn)或環(huán)境損害的應用)。客戶需在應用中納入安全設計措施,以防止Micron組件故障造成上述危害。若客戶或經(jīng)銷商將產(chǎn)品用于關鍵應用,需賠償并使Micron及其子公司、分包商、關聯(lián)公司以及各自的董事、官員和員工免受相關索賠。
5.4 客戶責任
客戶負責使用Micron產(chǎn)品的系統(tǒng)、應用和產(chǎn)品的設計、制造和操作。所有半導體產(chǎn)品都有固有故障率和有限使用壽命,客戶有責任確定Micron產(chǎn)品是否適合其系統(tǒng)、應用或產(chǎn)品,并確保在應用和產(chǎn)品中包含足夠的設計、制造和操作保障措施,以消除因半導體組件故障導致的人身傷害、死亡或嚴重財產(chǎn)和環(huán)境損害的風險。
5.5 有限保修
除非Micron正式授權代表簽署的書面協(xié)議中明確規(guī)定,否則Micron不對任何間接、偶然、懲罰性、特殊或后果性損害(包括但不限于利潤損失、節(jié)省損失、業(yè)務中斷、產(chǎn)品移除或更換成本或返工費用)承擔責任。
六、DQ映射
文檔提供了組件到模塊的DQ映射表,詳細列出了每個組件的DQ與模塊DQ以及模塊引腳編號的對應關系,這對于工程師在設計電路時準確連接內(nèi)存模塊至關重要。
七、IDD規(guī)格
7.1 不同Die版本對比
文檔給出了三種Die版本(E、B、F)在不同工作頻率(3200和2666)下的DDR4 (I_{DD}) 規(guī)格和條件。不同版本在各種電流參數(shù)上存在一定差異,例如在16GB(Die Revision E)中,One bank ACTIVATE - PRECHARGE current(IDD0)在3200頻率下為480 mA,而在16GB(Die Revision B)中為504 mA。
7.2 溫度影響
當 (T{C}>85^{circ}C) 時,(I{DD}) 和 (IPP) 值必須進行降額處理,具體降額值需參考基礎設備數(shù)據(jù)表中適用Die版本的規(guī)格表。
八、功能框圖
文檔提供了功能框圖(R/C - A2),并注明每個DDR4組件上的ZQ球連接到一個外部240Ω ±1%的接地電阻,用于組件的ODT和輸出驅動器校準。
九、總結
16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM具有多種特性和規(guī)格,電子工程師在設計時需要綜合考慮這些因素。從基本特性到尋址參數(shù),從型號選擇到IDD規(guī)格,每個環(huán)節(jié)都對內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性有著重要影響。同時,務必注意產(chǎn)品的使用范圍和相關責任,以確保設計的安全性和可靠性。在實際應用中,你是否遇到過類似內(nèi)存模塊在不同環(huán)境下的性能差異問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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