8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM 技術(shù)解析
一、引言
在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。DDR4 SODIMM 作為一種常見的內(nèi)存類型,廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、工業(yè)控制等設(shè)備。今天我們就來(lái)詳細(xì)解析 Micron 的 8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM。
二、產(chǎn)品概述
此文檔中的信息是對(duì) Micron DDR4 SODIMM 核心數(shù)據(jù)表的補(bǔ)充或替代。該內(nèi)存模塊具有以下顯著特點(diǎn):
- 功能支持:支持組件數(shù)據(jù)表中定義的 DDR4 功能和操作,遵循 Micron DDR4 SODIMM 核心數(shù)據(jù)表中的特性和規(guī)格。
- 物理規(guī)格:采用 260 - pin 的小外形雙列直插式內(nèi)存模塊(SODIMM)。
- 數(shù)據(jù)傳輸速率:數(shù)據(jù)傳輸速度快,達(dá)到 PC4 - 3200。
- 存儲(chǔ)容量:總?cè)萘繛?8GB(1 Gig x 72)。
- 數(shù)據(jù)總線特性:具備數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)(DBI)功能,支持 ECC 錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正,為數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性提供保障。
- 內(nèi)存結(jié)構(gòu):為單 rank 設(shè)計(jì),擁有 16 個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)體,分為 4 組,每組 4 個(gè)存儲(chǔ)體。
- 溫度監(jiān)測(cè):板載 (I^{2} C) 溫度傳感器,并集成了串行存在檢測(cè)(SPD)EEPROM。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 工作溫度與標(biāo)記
| 工作溫度范圍 | 標(biāo)記 |
|---|---|
| –40°C ≤ TOPER ≤ 105°C(擴(kuò)展) | B |
| 260 - pin DIMM(綠色) | Z |
| 頻率/CAS 延遲:0.625ns @ CL = 22(DDR4 - 3200) | -3G2 |
3.2 尋址參數(shù)
| 參數(shù) | 8GB 規(guī)格 |
|---|---|
| 行地址 | 64K A[15:0] |
| 列地址 | 1K A[9:0] |
| 設(shè)備存儲(chǔ)體組地址 | 4 BG[1:0] |
| 每組設(shè)備存儲(chǔ)體地址 | 4 BA[1:0] |
| 設(shè)備配置 | 8Gb(1 Gig x 8),16 個(gè)存儲(chǔ)體 |
| 模塊 rank 地址 | CS0_n |
3.3 部件編號(hào)與時(shí)序參數(shù)
| 部件編號(hào) | 模塊密度 | 配置 | 模塊帶寬 | 內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率 | 時(shí)鐘周期(CL - n RCD - n RP) |
|---|---|---|---|---|---|
| MTA9ASF1G72HBZ - 3G2__ | 8GB | 1 Gig x 72 | 25.6 GB/s | 0.625ns/3200 MT/s | 22 - 22 - 22 |
需要注意的是,數(shù)據(jù)手冊(cè)中的基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)據(jù)可在 micron.com 上查找,且所有部件編號(hào)末尾都有一個(gè)兩位代碼(文檔未顯示),用于指定組件和 PCB 版本,具體版本代碼可咨詢廠家。
四、DQ 映射
文檔提供了組件到模塊的 DQ 映射表(適用于 PCB 2450、2974、3219、3239),詳細(xì)記錄了不同組件的 DQ 與模塊 DQ 及引腳編號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。這對(duì)于工程師在進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)時(shí),準(zhǔn)確連接和配置內(nèi)存模塊至關(guān)重要。例如,U2 組件的 DQ0 對(duì)應(yīng)模塊 DQ3,引腳編號(hào)為 21。
五、IDD 規(guī)格
文檔給出了 DDR4 IDD 規(guī)格和條件(8GB,Die 版本 E),這些參數(shù)是基于 8Gb(1 Gig x 8)組件數(shù)據(jù)表中的值計(jì)算得出的。涵蓋了各種工作狀態(tài)下的電流值,如不同模式下的激活、預(yù)充電、讀寫、刷新等操作的電流,以及不同溫度范圍下的自刷新電流等。例如,在 3200 頻率下,One bank ACTIVATE - PRECHARGE 電流 (I_{DD0}) 為 459 mA。
六、功能框圖與模塊尺寸
6.1 功能框圖
功能框圖展示了內(nèi)存模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和連接方式。需要注意的是,每個(gè) DDR4 組件上的 ZQ 球連接到一個(gè)外部 240Ω ±1% 的接地電阻,用于組件的 ODT 和輸出驅(qū)動(dòng)器的校準(zhǔn)。
6.2 模塊尺寸
文檔提供了 260 Pin DDR4 SODIMM 在 PCB 2974 和 PCB 3219 兩種情況下的尺寸圖。所有尺寸單位為毫米,標(biāo)注了 MAX/MIN 或典型(TYP)值,公差為 ±0.15mm(除非另有說明),尺寸圖僅供參考。
七、重要注意事項(xiàng)
7.1 產(chǎn)品變更
Micron 保留對(duì)文檔中信息(包括規(guī)格和產(chǎn)品描述)進(jìn)行更改的權(quán)利,此文檔取代之前提供的所有信息。
7.2 汽車應(yīng)用
除非 Micron 在相應(yīng)數(shù)據(jù)表中明確指定為汽車級(jí)產(chǎn)品,否則該產(chǎn)品不設(shè)計(jì)或不適合用于汽車應(yīng)用。若使用非汽車級(jí)產(chǎn)品用于汽車應(yīng)用,分銷商和客戶需承擔(dān)全部風(fēng)險(xiǎn)和責(zé)任,并賠償 Micron 因此產(chǎn)生的所有索賠、成本、損失和費(fèi)用。
7.3 關(guān)鍵應(yīng)用
該產(chǎn)品未經(jīng)授權(quán)不得用于關(guān)鍵應(yīng)用(即 Micron 組件故障可能直接或間接導(dǎo)致死亡、人身傷害、嚴(yán)重財(cái)產(chǎn)或環(huán)境損害的應(yīng)用)??蛻粜柙趹?yīng)用中采取安全設(shè)計(jì)措施,以防止組件故障造成的危害。
7.4 客戶責(zé)任
客戶負(fù)責(zé)使用 Micron 產(chǎn)品的系統(tǒng)、應(yīng)用和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和操作。所有半導(dǎo)體產(chǎn)品都有固有故障率和有限使用壽命,客戶有責(zé)任確定 Micron 產(chǎn)品是否適合其系統(tǒng)、應(yīng)用或產(chǎn)品,并確保應(yīng)用和產(chǎn)品中包含足夠的設(shè)計(jì)、制造和操作保障措施。
7.5 有限保修
除非 Micron 正式授權(quán)代表簽署的書面協(xié)議中明確規(guī)定,否則 Micron 不對(duì)任何間接、偶然、懲罰性、特殊或后果性損害負(fù)責(zé)。
在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)中,工程師們需要仔細(xì)研究這些參數(shù)和注意事項(xiàng),以確保內(nèi)存模塊的正確使用和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。大家在使用這款內(nèi)存模塊時(shí),有沒有遇到過什么特殊的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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