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8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM 技術(shù)解析

chencui ? 2026-06-07 12:40 ? 次閱讀
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8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM 技術(shù)解析

一、引言

在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。DDR4 SODIMM 作為一種常見的內(nèi)存類型,廣泛應(yīng)用于筆記本電腦工業(yè)控制等設(shè)備。今天我們就來(lái)詳細(xì)解析 Micron 的 8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM。

文件下載:MTA9ASF1G72HBZ-3G2E1.pdf

二、產(chǎn)品概述

此文檔中的信息是對(duì) Micron DDR4 SODIMM 核心數(shù)據(jù)表的補(bǔ)充或替代。該內(nèi)存模塊具有以下顯著特點(diǎn):

  1. 功能支持:支持組件數(shù)據(jù)表中定義的 DDR4 功能和操作,遵循 Micron DDR4 SODIMM 核心數(shù)據(jù)表中的特性和規(guī)格。
  2. 物理規(guī)格:采用 260 - pin 的小外形雙列直插式內(nèi)存模塊(SODIMM)。
  3. 數(shù)據(jù)傳輸速率:數(shù)據(jù)傳輸速度快,達(dá)到 PC4 - 3200。
  4. 存儲(chǔ)容量:總?cè)萘繛?8GB(1 Gig x 72)。
  5. 數(shù)據(jù)總線特性:具備數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)(DBI)功能,支持 ECC 錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正,為數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性提供保障。
  6. 內(nèi)存結(jié)構(gòu):為單 rank 設(shè)計(jì),擁有 16 個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)體,分為 4 組,每組 4 個(gè)存儲(chǔ)體。
  7. 溫度監(jiān)測(cè):板載 (I^{2} C) 溫度傳感器,并集成了串行存在檢測(cè)(SPD)EEPROM。

三、產(chǎn)品參數(shù)

3.1 工作溫度與標(biāo)記

工作溫度范圍 標(biāo)記
–40°C ≤ TOPER ≤ 105°C(擴(kuò)展) B
260 - pin DIMM(綠色) Z
頻率/CAS 延遲:0.625ns @ CL = 22(DDR4 - 3200) -3G2

3.2 尋址參數(shù)

參數(shù) 8GB 規(guī)格
行地址 64K A[15:0]
列地址 1K A[9:0]
設(shè)備存儲(chǔ)體組地址 4 BG[1:0]
每組設(shè)備存儲(chǔ)體地址 4 BA[1:0]
設(shè)備配置 8Gb(1 Gig x 8),16 個(gè)存儲(chǔ)體
模塊 rank 地址 CS0_n

3.3 部件編號(hào)與時(shí)序參數(shù)

部件編號(hào) 模塊密度 配置 模塊帶寬 內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率 時(shí)鐘周期(CL - n RCD - n RP)
MTA9ASF1G72HBZ - 3G2__ 8GB 1 Gig x 72 25.6 GB/s 0.625ns/3200 MT/s 22 - 22 - 22

需要注意的是,數(shù)據(jù)手冊(cè)中的基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)據(jù)可在 micron.com 上查找,且所有部件編號(hào)末尾都有一個(gè)兩位代碼(文檔未顯示),用于指定組件和 PCB 版本,具體版本代碼可咨詢廠家。

四、DQ 映射

文檔提供了組件到模塊的 DQ 映射表(適用于 PCB 2450、2974、3219、3239),詳細(xì)記錄了不同組件的 DQ 與模塊 DQ 及引腳編號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。這對(duì)于工程師在進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)時(shí),準(zhǔn)確連接和配置內(nèi)存模塊至關(guān)重要。例如,U2 組件的 DQ0 對(duì)應(yīng)模塊 DQ3,引腳編號(hào)為 21。

五、IDD 規(guī)格

文檔給出了 DDR4 IDD 規(guī)格和條件(8GB,Die 版本 E),這些參數(shù)是基于 8Gb(1 Gig x 8)組件數(shù)據(jù)表中的值計(jì)算得出的。涵蓋了各種工作狀態(tài)下的電流值,如不同模式下的激活、預(yù)充電、讀寫、刷新等操作的電流,以及不同溫度范圍下的自刷新電流等。例如,在 3200 頻率下,One bank ACTIVATE - PRECHARGE 電流 (I_{DD0}) 為 459 mA。

六、功能框圖與模塊尺寸

6.1 功能框圖

功能框圖展示了內(nèi)存模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和連接方式。需要注意的是,每個(gè) DDR4 組件上的 ZQ 球連接到一個(gè)外部 240Ω ±1% 的接地電阻,用于組件的 ODT 和輸出驅(qū)動(dòng)器的校準(zhǔn)。

6.2 模塊尺寸

文檔提供了 260 Pin DDR4 SODIMM 在 PCB 2974 和 PCB 3219 兩種情況下的尺寸圖。所有尺寸單位為毫米,標(biāo)注了 MAX/MIN 或典型(TYP)值,公差為 ±0.15mm(除非另有說明),尺寸圖僅供參考。

七、重要注意事項(xiàng)

7.1 產(chǎn)品變更

Micron 保留對(duì)文檔中信息(包括規(guī)格和產(chǎn)品描述)進(jìn)行更改的權(quán)利,此文檔取代之前提供的所有信息。

7.2 汽車應(yīng)用

除非 Micron 在相應(yīng)數(shù)據(jù)表中明確指定為汽車級(jí)產(chǎn)品,否則該產(chǎn)品不設(shè)計(jì)或不適合用于汽車應(yīng)用。若使用非汽車級(jí)產(chǎn)品用于汽車應(yīng)用,分銷商和客戶需承擔(dān)全部風(fēng)險(xiǎn)和責(zé)任,并賠償 Micron 因此產(chǎn)生的所有索賠、成本、損失和費(fèi)用。

7.3 關(guān)鍵應(yīng)用

該產(chǎn)品未經(jīng)授權(quán)不得用于關(guān)鍵應(yīng)用(即 Micron 組件故障可能直接或間接導(dǎo)致死亡、人身傷害、嚴(yán)重財(cái)產(chǎn)或環(huán)境損害的應(yīng)用)??蛻粜柙趹?yīng)用中采取安全設(shè)計(jì)措施,以防止組件故障造成的危害。

7.4 客戶責(zé)任

客戶負(fù)責(zé)使用 Micron 產(chǎn)品的系統(tǒng)、應(yīng)用和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和操作。所有半導(dǎo)體產(chǎn)品都有固有故障率和有限使用壽命,客戶有責(zé)任確定 Micron 產(chǎn)品是否適合其系統(tǒng)、應(yīng)用或產(chǎn)品,并確保應(yīng)用和產(chǎn)品中包含足夠的設(shè)計(jì)、制造和操作保障措施。

7.5 有限保修

除非 Micron 正式授權(quán)代表簽署的書面協(xié)議中明確規(guī)定,否則 Micron 不對(duì)任何間接、偶然、懲罰性、特殊或后果性損害負(fù)責(zé)。

在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)中,工程師們需要仔細(xì)研究這些參數(shù)和注意事項(xiàng),以確保內(nèi)存模塊的正確使用和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。大家在使用這款內(nèi)存模塊時(shí),有沒有遇到過什么特殊的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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