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NHD-0224BZ-FL-GBW字符液晶顯示模塊技術(shù)解析

chencui ? 2026-06-09 09:55 ? 次閱讀
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NHD-0224BZ-FL-GBW字符液晶顯示模塊技術(shù)解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,液晶顯示模塊是人機(jī)交互的重要組成部分。今天我們要深入探討的是Newhaven Display International公司的NHD - 0224BZ - FL - GBW字符液晶顯示模塊,它具有諸多特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),適用于多種應(yīng)用場景。

文件下載:NHD-0224BZ-FL-GBW.pdf

一、產(chǎn)品概述

NHD - 0224BZ - FL - GBW是一款2行×24字符的液晶顯示模塊,內(nèi)置ST7066U控制器,采用+5.0V電源供電,具備1/16 duty、1/5 bias的驅(qū)動(dòng)方式,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。其型號(hào)命名規(guī)則如下:

  • “NHD - ”:代表Newhaven Display。
  • “0224 - ”:表示2行×24字符。
  • “BZ - ”:為具體型號(hào)。
  • “F - ”:表示半透反射型。
  • “L - ”:采用黃/綠色LED背光源。
  • “G - ”:STN正性、灰色顯示。
  • “B - ”:最佳視角為6:00方向。
  • “W - ”:寬溫度范圍。

二、引腳分配與功能

2.1 引腳分配

引腳編號(hào) 符號(hào) 外部連接 功能描述
1 VSS 電源 接地
2 VDD 電源 邏輯供電電壓(+5.0V)
3 V0 電源 對(duì)比度供電電壓(約0.5V)
4 RS MPU 寄存器選擇信號(hào),RS = 0為命令,RS = 1為數(shù)據(jù)
5 R/W MPU 讀寫選擇信號(hào),R/W = 1為讀,R/W = 0為寫
6 E MPU 操作使能信號(hào),下降沿觸發(fā)
7 - 10 DB0 - DB3 MPU 低4位雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線,4位操作時(shí)不使用
11 - 14 DB4 - DB7 MPU 高4位雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線
15 LED+ 電源 LED背光源供電(通過板載電阻提供+5.0V)
16 LED - 電源 背光源接地

2.2 推薦連接器

推薦使用2.54mm間距的引腳作為LCD連接器,不過文檔中未提及背光源連接器的具體信息。

三、電氣光學(xué)特性

3.1 電氣特性

項(xiàng)目 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
工作溫度范圍 TOP 絕對(duì)最大 -20 - +70 °C
存儲(chǔ)溫度范圍 TST 絕對(duì)最大 -30 - +80 °C
供電電壓 VDD - 4.5 5.0 5.5 V
供電電流 IDD VDD = 5.0V 1.5 2.5 3.0 mA
LCD供電(對(duì)比度) VLCD TOP = 25°C 4.3 4.5 4.7 V
“H” 電平輸入 VIH - 0.7 * VDD - VDD V
“L” 電平輸入 VIL - VSS - 0.6 V
“H” 電平輸出 VOH - 3.9 - VDD V
“L” 電平輸出 VOL - VSS - 0.4 V
背光源供電電壓 VLED - 4.8 5.0 5.2 V
背光源供電電流 ILED VLED = 5.0V 90 120 150 mA

3.2 光學(xué)特性

項(xiàng)目 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
最佳視角 頂部 ?Y+ CR ≥ 2 - 40 - °
底部 ?Y - - 60 - °
左側(cè) θX - - 60 - °
右側(cè) θX+ - 60 - °
對(duì)比度 CR - 2 5 - -
響應(yīng)時(shí)間 上升 TR TOP = 25°C - 150 250 ms
下降 TF - 200 300 ms

四、控制器信息

該模塊內(nèi)置ST7066U控制器,相關(guān)規(guī)格說明書可從http://www.newhavendisplay.com/app_notes/ST7066U.pdf 下載。DDRAM地址分配如下:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4E 4F 50 51 52 53 54 55 56 57

五、指令表

指令 指令代碼 描述 270 KHZ執(zhí)行時(shí)間(fosc = )
清除顯示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 將 “20H” 寫入DDRAM并將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H” 1.52ms
返回主頁 0 0 0 0 0 0 0 0 1 - 將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H”,如果光標(biāo)已移動(dòng)則返回其原始位置,DDRAM內(nèi)容不變 1.52ms
輸入模式設(shè)置 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D SH 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)方向并指定顯示移位,在數(shù)據(jù)讀寫時(shí)執(zhí)行這些參數(shù) 37μs
顯示開/關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B D = 1:整個(gè)顯示開啟;C = 1:光標(biāo)開啟;B = 1:閃爍光標(biāo)開啟 37μs
光標(biāo)或顯示移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L - - 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)和顯示移位控制位及方向,不改變DDRAM數(shù)據(jù) 37μs
功能設(shè)置 0 0 0 0 1 DL N F - - DL:接口數(shù)據(jù)為8/4位;N:行數(shù)為2/1;F:字體大小為5x11/5x8 37μs
設(shè)置CGRAM地址 0 0 0 1 - - - - - AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置CGRAM地址 37μs
設(shè)置DDRAM地址 0 0 1 - - - - - - AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置DDRAM地址 37μs
讀取忙標(biāo)志和地址 0 1 BF - - - - - - AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 通過讀取BF可知是否處于內(nèi)部操作中,也可讀取地址計(jì)數(shù)器內(nèi)容 0s
寫入數(shù)據(jù)到地址 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM) 37μs
從RAM讀取數(shù)據(jù) 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 從內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM)讀取數(shù)據(jù) 37μs

六、時(shí)序特性

6.1 MPU向ST7066U寫入數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時(shí)間 引腳E 1200 - - ns
TPW 使能脈沖寬度 引腳E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 引腳E - - 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 引腳:RS, RW, E 0 0 - ns
TAH 地址保持時(shí)間 引腳:RS, RW, E 10 - - ns
TDSW 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 引腳:DB0 - DB7 40 - - ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 引腳:DB0 - DB7 10 - - ns

6.2 從ST7066U向MPU讀取數(shù)據(jù)

參數(shù) 描述 引腳 最小值 典型值 最大值 單位
Tc 使能周期時(shí)間 引腳E 1200 - - ns
TPW 使能脈沖寬度 引腳E 140 - - ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 引腳E - - 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 引腳:RS, RW, E 0 0 - ns
TAH 地址保持時(shí)間 引腳:RS, RW, E 10 - - ns
TDDR 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 引腳:DB0 - DB7 - - 100 ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 引腳:DB0 - DB7 10 - - ns

七、初始化程序示例

7.1 8位初始化

/**********************************************************/ 
void command(char i) { 
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I = LOW : send instruction 
    E = 1; 
    Delay(1); 
    RW = 0; //R/W = LOW:Write
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
} 

void write(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 1; //D/I = HIGH : send data 
    RW = 0; //R/W = LOW : Write
    E = 1; 
    Delay(1);
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    E = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x38); //Function set: 8 - bit/2 - line 
    command(0x10); 
    command(0x0c); //Set cursor
    command(0x06); //Entry mode set 
}

7.2 4位初始化

void command(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I = LOW : send instruction 
    RW = 0; 
    Nybble(); //R/W = LOW: Write
    i = i = 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    P1 = 0; 
    P3 = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    P1 = 0x30; //put 0x30 on the output port 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //can check busy flag now instead of delay 
    P1 = 0x20; //put 0x20 on the output port 
    Nybble(); //Function set: 4 - bit interface 
    command(0x28); //Function set: 4 - bit/2 - line 
    command(0x10); //Set cursor
    command(0x0F); //Display ON; Blinking cursor 
    command(0x06); //Entry Mode set 
}

八、質(zhì)量信息與注意事項(xiàng)

8.1 質(zhì)量測(cè)試

測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)試內(nèi)容 測(cè)試條件 備注
高溫存儲(chǔ) 長時(shí)間施加高存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 +80°C,48hrs 2
低溫存儲(chǔ) 長時(shí)間施加低存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 -30°C,48hrs 1,2
高溫操作 長時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和高熱應(yīng)力的耐久性測(cè)試 +70°C,48hrs 2
低溫操作 長時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和低熱應(yīng)力的耐久性測(cè)試 -20°C,48hrs 1,2
高溫/高濕操作 長時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)以及高溫高濕應(yīng)力的耐久性測(cè)試 +40°C,90% RH,48hrs 1,2
熱沖擊抗性 在高低熱應(yīng)力循環(huán)期間施加電應(yīng)力(電壓和電流)的耐久性測(cè)試 0°C,30min -> 25°C,5min -> 50°C,30min = 1 周期,共10個(gè)周期
振動(dòng)測(cè)試 施加振動(dòng)以模擬運(yùn)輸和使用的耐久性測(cè)試 10 - 55Hz,15mm振幅,每個(gè)X、Y、Z方向60秒,共15分鐘 3
靜電測(cè)試 施加靜電放電的耐久性測(cè)試 VS = 800V,RS = 1.5kΩ,CS = 100pF,一次

8.2 注意事項(xiàng)

  • 注意1:測(cè)試過程中不應(yīng)觀察到冷凝現(xiàn)象。
  • 注意2:在25°C、0%RH下存儲(chǔ)4小時(shí)后進(jìn)行測(cè)試。
  • 注意3:測(cè)試在產(chǎn)品本身進(jìn)行,而非在容器內(nèi)。

此外,使用LCD/LCM時(shí)的

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