PSRAM,什么是PSRAM

PSRAM，假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

PSRAM

背景：

PSRAM具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格，與傳統(tǒng)具有六個(gè)晶體管的SRAM儲(chǔ)存格或是四個(gè)晶體管與two-load resistor SRAM 儲(chǔ)存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩(wěn)定接口，內(nèi)部的DRAM架構(gòu)給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優(yōu)異的長(zhǎng)處，例如體積更為輕巧，售價(jià)更具競(jìng)爭(zhēng)力。目前在整體SRAM市場(chǎng)中，有90%的制造商都在生產(chǎn)PSRAM組件。在過去兩年，市場(chǎng)上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

基本原理：

PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發(fā)模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應(yīng)，價(jià)格只比相同容量的SDRAM稍貴一點(diǎn)點(diǎn)，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要應(yīng)用于手機(jī)，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費(fèi)電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對(duì)于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個(gè)理想的選擇。

目前發(fā)展現(xiàn)狀：

東芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的標(biāo)準(zhǔn)接口規(guī)范，也稱之為CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移動(dòng)RAM的通用規(guī)范。三家公司將各自生產(chǎn)與銷售自家產(chǎn)品，產(chǎn)品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用規(guī)范，將堆棧多芯片封裝(MCP)通用接口規(guī)范共享給包括閃存和SRAM在內(nèi)的移動(dòng)設(shè)備。隨后，他們?cè)?002、2003和2004年分別對(duì)其進(jìn)行了修訂，增加了頁(yè)面模式和突發(fā)模式等規(guī)格。COSMORAM Rev. 4為Pseudo SRAM增加了雙速率突發(fā)(DDR突發(fā))模式。