場效應晶體管的英文簡稱為FET，中文簡稱為場效應管或者單極型晶體管。它是由電壓控制的半導體器件，輸入電阻在108Ω~109Ω之間（輸入電阻高）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、集成簡易、不會造成二次擊穿的現(xiàn)象、安全工作范圍廣等優(yōu)點，目前場效應管已經(jīng)成為了雙極型晶體管和功率晶體管的最強力的競爭者。場效應管主要分為量大類分別是：結型場效應管和絕緣柵場效應管（mos管）。

　　場效應管不等于MOS管，MOS管只是場效應管的一種；而場效應管只是晶體管的一種，晶體管又分為單極性和雙極性晶體管；具體是怎么區(qū)分的，請看下面的介紹。

　　場效應管與雙極型晶體管相比：

　　（1）場效應管中，導電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。

　?。?）場效應管是通過柵極電壓uGS來控制漏極電流iD，稱為電壓控制器件；雙極型晶體管是利用基極電流iB（或射極電流iE）來控制集電極電流iC，稱為電流控制器件。

　?。?）場效應管的輸入電阻很大；晶體管的輸入電阻較小。

　　（4）場效應管的跨導gm的值較小，雙極型晶體管的β值很大。在同等條件下，場效應管的放大能力不如晶體管高。

　?。?）結型場效應管的漏極和源極可以互換使用，MOS管如果襯底沒有和源極接在一起，也可將d、s極互換使用；雙級型晶體管的c和e極互換則稱為倒置工作狀態(tài)，此時β將變得非常小。

　　（6）場效應管可作為壓控電阻使用。

　?。?）場效應管是依靠多子導電，因此具有較好的溫度穩(wěn)定性、抗輻射性和較低的噪聲。

　　場效應管還有一些缺點：如功率小，速度慢等。但由于它工藝簡單，易于集成，故廣泛應用于集成電路。