什么是肖特基勢(shì)壘
2010年02月26日 14:08 m.sdkjxy.cn 作者：佚名 用戶評(píng)論（0）
關(guān)鍵字：肖特基勢(shì)壘(6215)
什么是肖特基勢(shì)壘
金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域.金屬-半導(dǎo)體作為一個(gè)整體在熱平衡時(shí)有同樣費(fèi)米能級(jí).由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢(shì)壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢(shì)壘阻擋.在加正向偏置時(shí)半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘下降;相反,在加反向偏置時(shí),半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘增高.使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬-半導(dǎo)體接觸均如此.如果對(duì)于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對(duì)于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù),以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級(jí)時(shí)會(huì)出現(xiàn)歐姆接觸,它會(huì)因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢(shì)壘不起整流作用).當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時(shí)肖特基勢(shì)壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致.
非常好我支持^.^
(538) 88.2%
不好我反對(duì)
(72) 11.8%
相關(guān)閱讀：
- [電子說(shuō)] 羅姆RBQ系列新增滿足高耐壓需求的100V產(chǎn)品，小型低損耗，高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行 2023-10-10
- [電子說(shuō)] 9月研討會(huì) | 零基礎(chǔ)開(kāi)始學(xué)-肖特基勢(shì)壘二極管的選型和使用 2023-09-06
- [電子說(shuō)] 肖特基勢(shì)壘二極管的作用 肖特基勢(shì)壘二極管的工作原理 2023-09-02
- [模擬技術(shù)] SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征 2023-07-18
- [工業(yè)控制] 東芝推出第3代650V SiC肖特基勢(shì)壘二極管，助力提高工業(yè)設(shè)備效率 2023-07-13
- [電子說(shuō)] 東芝研討會(huì)解讀肖特基勢(shì)壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧 2023-06-16
- [電子說(shuō)] 一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管 2023-06-13
- [模擬技術(shù)] 特瑞仕開(kāi)始提供功率半導(dǎo)體SiC肖特基勢(shì)壘二極管850V/10A樣品 2023-05-16
( 發(fā)表人：admin )