RDRAM內(nèi)存
2009年12月17日 16:17 m.sdkjxy.cn 作者：佚名 用戶評(píng)論（0）
關(guān)鍵字：內(nèi)存(72214)
??? RDRAM內(nèi)存
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的內(nèi)存，它能在很高的頻率范圍下通過一個(gè)簡(jiǎn)單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時(shí)使用低電壓信號(hào)，在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。最開始支持RDRAM的是英特爾820芯片組，后來又有840，850芯片組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價(jià)格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場(chǎng)主流，其地位被相對(duì)廉價(jià)而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場(chǎng)份額很小。
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對(duì)
(0) 0%
相關(guān)閱讀：
- [電子說] 基于Corundum架構(gòu)的100G RDMA網(wǎng)卡設(shè)計(jì) 2023-10-24
- [電子說] 監(jiān)控?cái)z像頭云儲(chǔ)存和內(nèi)存卡儲(chǔ)存有什么區(qū)別？ 2023-10-23
- [控制/MCU] 基于STM32F429芯片的單片機(jī)芯片內(nèi)存映射圖 2023-10-23
- [存儲(chǔ)技術(shù)] 三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能 2023-10-23
- [嵌入式技術(shù)] C編程中指針的語法和工作原理 2023-10-21
- [電子說] IBM開發(fā)新芯片為AI提速：消除片外內(nèi)存，靈感來自大腦 2023-10-23
- [電子說] 力積電Q3稅后凈損3.34億新臺(tái)幣 主要受三大因素影響 2023-10-20
- [電子說] 如何保證緩存一致性 2023-10-19
( 發(fā)表人：admin )