1、 RAS的產(chǎn)生（由74LS138 U31產(chǎn)生） 
　　　　　產(chǎn)生條件：（74LS138的G1、G2A、G2B均有效） 
　　　　?、?nbsp;模板選擇信號(hào)DACK0BRD有效。此時(shí)，DRAM不處于刷新。（經(jīng)反向器U78接U31的G2A） 
　　　　　② CPU對(duì)DRAM讀或?qū)?，XMEMR、XMEMW有效。（經(jīng)與非門U72接U31的G1） 
　　　　?、?nbsp;地址線A19、A18為低電平，使G2B有效。 
　　　　?、?nbsp;74LS138的C=0，B=A17，A=A16，因此，四個(gè)RAS信號(hào)（Y0、Y1、Y2、Y3）對(duì)應(yīng)的地址選擇范圍是：
　　　　　　　　　　　　　RAS0：00000～0FFFFH 
　　　　　　　　　　　　　RAS1：10000～1FFFFH 
　　　　　　　　　　　　　RAS2：20000～2FFFFH 
　　　　　　　　　　　　　RAS3：30000～3FFFFH 
　　　2、 CAS的產(chǎn)生（由74LS138 U78產(chǎn)生） 
　　　　　產(chǎn)生條件：（74LS138的G1、G2A、G2B均有效） 
　　　　?、?nbsp;模板選擇信號(hào)DACK0BRD有效。此時(shí)，DRAM不處于刷新。（接U71的G1） 
　　　　?、?nbsp;CPU對(duì)DRAM讀或?qū)懀?nbsp;XMEMR、XMEMW有效后100ns（由延遲器U73產(chǎn)生延遲信號(hào)，送G2B） 
　　　　?、?nbsp;地址線A19、A18為低電平，使G2A有效。 
　　　　?、?nbsp;C=0，B=A17，A=A16，使四個(gè)CAS信號(hào)與RAS信號(hào)對(duì)應(yīng)的地址范圍相同。

二、 RAM電路 
　　　　 例、8088 CPU組成的最小系統(tǒng)中，有32KB ROM，其地址范圍是0000～7FFFH；有8KB RAM，其地址范圍是8000～9FFFH。如果ROM選用2764，RAM選用2114，畫出存儲(chǔ)器地址線及數(shù)據(jù)線的連接圖。 
　　　　 分析： 
　　　　 ① 32KB ROM，需要4片2764（8Kb×8）；8KB RAM，需要16片2114（1Kb×4）。16片2114分為8組，每組兩片。 
　　　　 ② 4片2764的地址范圍是：
　　　　　　 1片：0000～1FFFH 
　　　　　　 2片：2000～3FFFH 
　　　　　　 3片：4000～5FFFH 
　　　　　　 4片：6000～7FFFH。 
　　　　 ③ 8組2114的地址范圍是： 
　　　　　 一組：8000～83FFH 
　　　　　 二組：8400～87FFH 
　　　　　 三組：8800～8BFFH 
　　　　　 四組：8C00～8FFFH 
　　　　　 五組：9000～93FFH 
　　　　　 六組：9400～97FFH 
　　　　　 七組：9800～9BFFH 
　　　　　 八組：9C00～9FFFH 
　　　　 ④ 2764（8Kb×8）片內(nèi)地址需要13根（A12～A0），2114（1Kb×4）片內(nèi)地址需要10根（A9～A0）。 
　　　　 ⑤ 使用兩片74LS138分別作為ROM的片選和RAM的片選（一組RAM的兩片2114的片選連接在一起）。

三、微機(jī)中主內(nèi)存的使用 
　　　　 1、 內(nèi)存條 
　　　　　　 微機(jī)的主內(nèi)存一般制造為內(nèi)存條的形式，插在主板的內(nèi)存插槽上使用。如：
　　　　　　　 
　　　　　　　　 
　　　內(nèi)存條的外形規(guī)范一般有30線（30個(gè)引腳）SIMM、72線（EDO RAM）SIMM、168線DIMM（SDRAM、EDO RAM）。 
　　　SIMM：single in_line memory module，單列直插式內(nèi)存模塊。 
　　　DIMM：double in_line memory module，雙列列直插式內(nèi)存模塊。有72線（每面36線）、144線（每面72線）、168線（每面84線）規(guī)格。 
　　　30線：8位數(shù)據(jù)、11位行列共用地址、RAS、CAS等。用于386系統(tǒng)，其帶寬為16位（ISA），必須成對(duì)使用。
　　　72線：32位數(shù)據(jù)、12位行列共用地址、RAS、CAS、SPD信號(hào)，32位帶寬。在486系統(tǒng)上可單數(shù)使用。在Pentium 及Pentium /w MMX等64位系統(tǒng)中必須成對(duì)使用。 
　　　168線：64位數(shù)據(jù)、14位行列共用地址、RAS、CAS、SPD等。用于Pentium、Pentium /w MMX、Pentium Pro、Pentium Ⅱ，這些處理器均為64位外部數(shù)據(jù)總線（內(nèi)核均為32位！），可單數(shù)使用。 
　　　 2、ECC：Error Check and Correction，錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正（奇偶校驗(yàn)parity）。 
　　　　　每8位數(shù)據(jù)產(chǎn)生一位校驗(yàn)位。而存儲(chǔ)器芯片一般為"×8"結(jié)構(gòu)，因此，帶校驗(yàn)的內(nèi)存條一般每面有9片芯片（8片數(shù)據(jù)、1片校驗(yàn)），不帶校驗(yàn)的內(nèi)存條一般每面有8片芯片。ECC內(nèi)存可以糾正一位傳輸錯(cuò)誤，當(dāng)發(fā)生一位傳輸錯(cuò)時(shí)，不會(huì)死機(jī)。通常，只在服務(wù)器上使用ECC內(nèi)存。 
　　　 3、EDO RAM：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出（Extended Data Output） 
　　　　　采用頁模式輸出數(shù)據(jù)，但與普通頁模式略有不同。 
　　　　　普通頁模式在CAS為高電平時(shí)不能輸出數(shù)據(jù)，因?yàn)?，只有?dāng)數(shù)據(jù)被系統(tǒng)（DRAM 控制器）取走后，CAS才能置高。 
　　　　　EDO頁模式在CAS為高電平時(shí)可以輸出數(shù)據(jù)，因?yàn)?，系統(tǒng)未取走的數(shù)據(jù)由存儲(chǔ)器內(nèi)部的寄存器保存（稱為"鎖住"），只要數(shù)據(jù)已被鎖住， CAS可為高電平以準(zhǔn)備下一列地址訪問(使下一列地址單元預(yù)充電)。系統(tǒng)從寄存器中讀數(shù)據(jù)，即使這時(shí)的CAS為高。(寄存器鎖住一個(gè)數(shù)據(jù)直到下一個(gè)CAS的下降沿)。 
　　　 4、SDRAM：同步DRAM（Synchronous） 
　　　　　非SDRAM的DRAM定時(shí),均相對(duì)于 RAS、CAS、WE信號(hào)的上升沿或下降沿，而SDRAM的定時(shí)，與CPU外部總線同步，故稱為同步DRAM。 
　　　 5、BURST：突發(fā) 
　　　　　在CPU未收到READY信號(hào)前，發(fā)出下一總線周期的地址信號(hào)，這種訪問方式稱為突發(fā)訪問。由于存儲(chǔ)器只能在較短時(shí)間內(nèi)適應(yīng)這種訪問方式（存儲(chǔ)器的速度低于CPU），因此稱為突發(fā)。 
　　　 6、Pipeline：管道 
　　　　 或稱流水線，使用輸入/輸出寄存器，使存儲(chǔ)器訪問可以形成像"管道"那樣的數(shù)據(jù)流水線傳輸方式
　　　 7、SPD：Serial Presence Detect，串行設(shè)備標(biāo)識(shí) 
　　　　 在內(nèi)存條上，增加一小片 ，共有256字節(jié)，標(biāo)識(shí)了該內(nèi)存條的制造商代碼、芯片類型（EDO/SDRAM）、速度、行地址數(shù)量、列地址數(shù)量、刷新速度、有無ECC、數(shù)據(jù)寬度（如×8，×4）等信息，這些信息通過系統(tǒng)的串行系統(tǒng)管理總線（SMB，system management bus）傳送給DRAM控制器，DRAM控制器根據(jù)其速度等參數(shù)決定訪問該內(nèi)存條的定時(shí)。 
　　　 8、PC100 
　　　　　Intel 頒布的SDRAM規(guī)范，可運(yùn)行在100MHz下。
　　　　　規(guī)范主要要求為： 
　　　　　 ① 為了減少電磁干擾，PCB應(yīng)按6層板制造（減小布線長度，trace）。 
　　　　　 ② 8ns芯片。 
　　　　　 ③ 時(shí)序要求。 
　　　　　 ④ SPD要求。
　　　　　 ⑤ 標(biāo)識(shí)為PC100-abc-def。 
　　　　　　　 a = CL value b = trcd value c = trp value 
　　　　　　　 d = tac value e = spd rev # f = reserved 
　　　　　例PC100-322-620。CL3, trcd=2, trp=2, tac=6, 2= spd rev 1.2 tac 和spd可為兩位數(shù)。如 PC100-322-60120 
　　　　　 CL3, trcd=2, trp=2, tac=6, 12= spd rev 1.2（ss151s.pdf） 
　　　 7、 Flash ，閃速 
　　　　　 一種EEPROM，它可被按塊重寫，各塊的寫入時(shí)序不同。多數(shù)用于BIOS。Flash 分為四塊：啟動(dòng)塊（boot block）8K、兩個(gè)參數(shù)塊（parameter block）各4K、一個(gè)程序塊112K。 
　　　 8、 SGRAM：Synchronous Graphic RAM 
　　　　　 同步圖形RAM，在信號(hào)的上升沿和下降沿均可讀寫數(shù)據(jù)。 
　　　 9、 Tag RAM：標(biāo)記RAM 
　　　　　 用于標(biāo)記被緩存（Cached）主存的地址。 
　　　 10、 VRAM：Video RAM 
　　　　　 雙向RAM，可被顯示控制器和CPU同時(shí)訪問。 
　　　 11、 WRAM：Window RAM 
　　　　　 允許同時(shí)讀和寫，比VRAM的效率更高。