5.1 選擇題
(1)、存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，它主要用來________。
A、存放數(shù)據(jù)；B、存放程序；C、存放程序和數(shù)據(jù)；D、存放微程序。
(2)、存儲(chǔ)周期是指________。
A、存儲(chǔ)器的讀出時(shí)間；B、存儲(chǔ)器的寫入時(shí)間；C、存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)讀和寫操作所允許的最短時(shí)間間隔；D、存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)寫操作所允許的最短時(shí)間間隔。
(3)、和外存儲(chǔ)器相比，內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是______。
A、容量大、速度快、成本低；B、容量大、速度慢、成本高；C、容量小、速度快、成本高；D、容量小、速度快、成本低。
(4)、某微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，操作系統(tǒng)保存在軟磁盤上，內(nèi)存應(yīng)該采用_______。
A、RAM；B、ROM；C、RAM和ROM。：
5.2 填空題
(1)、請(qǐng)?jiān)谙铝斜硭械湫图夹g(shù)特性欄目種填入適當(dāng)?shù)男g(shù)語；
(2)、存儲(chǔ)單元是指 A ；存儲(chǔ)容量是指 B ；字節(jié)地址是指 C 。
(3)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是靠 A 存儲(chǔ)信息，半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器是靠 B 存儲(chǔ)信息。
(4)、半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器必須刷新的原因是 A ，刷新的方式一般有 B 、 C 、 D 三種。
(5)、存儲(chǔ)器的讀出時(shí)間通稱為 A ，它定義為 B 。為便于讀寫控制，存儲(chǔ)器的 C 設(shè)計(jì)迎合讀出時(shí)間相等，但事實(shí)上 C 小于讀出時(shí)間。：
5.3 計(jì)算機(jī)的內(nèi)存有什么特點(diǎn)？內(nèi)存由哪兩部分組成？外存一般是指那些設(shè)備？外存有什么特點(diǎn)？：
5.4 用存儲(chǔ)器組成內(nèi)存時(shí)，為什么總是采用矩陣形式？請(qǐng)用一個(gè)例子進(jìn)行說明。：
5.5 為了節(jié)省存儲(chǔ)器的地址譯碼電路，通常采用那些方法？：
5.6 在選擇存儲(chǔ)器時(shí)，首先考慮的因素是那些？此外還要考慮那些因素？：
5.7 何謂靜態(tài)RAM？它的使用特點(diǎn)是什么？：
5.8 在對(duì)靜態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀/寫時(shí)，地址信號(hào)要分為幾個(gè)部分？分別產(chǎn)生什么信號(hào)？：
5.9 試述動(dòng)態(tài)RAM的工作特點(diǎn)；與靜態(tài)RAM相比，動(dòng)態(tài)RAM有什么長處和不足之處。說明它的使用場合。：
5.10 試述動(dòng)態(tài)RAM刷新過程和正常讀/寫過程的區(qū)別。：
5.11 是比較存儲(chǔ)器讀周期和寫周期的差別。：
5.12 ROM,PROM和EPROM,EEPROM分別用在什么場合？：
5.13 現(xiàn)有1024X1靜態(tài)RAM芯片，欲組成64KX8存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)器。試求需要多少RAM芯片？多少芯片組？多少根片內(nèi)地址選擇線？多少根芯片選擇線？：
5.14 設(shè)有一個(gè)具有14位地址和8位字長的存儲(chǔ)器，問：
(1) 該存儲(chǔ)器能存儲(chǔ)多少字節(jié)的信息？
(2) 如果存儲(chǔ)器由1KX1位靜態(tài)RAM芯片組成，需多少芯片？
(3) 需要多少位地址作為芯片選擇？：
5.15 有一個(gè)16KX16的存儲(chǔ)器，由1KX4位的動(dòng)態(tài)RAM芯片構(gòu)成(芯片內(nèi)是64X64結(jié)構(gòu))。問：
(1) 所需RAM芯片總數(shù)是多少？
(2) 采用異步刷新方式，若單元刷新間隔不超過2ms,問刷新信號(hào)周期是多少？
(3) 若采用集中刷新方式，存儲(chǔ)器刷新一遍最少用多少讀/寫周期，死時(shí)間率是多少？：
答案如下
5.1 (1) C (2) C (3) C (4) C→
5.2 (1) ①A.隨機(jī)存取；B.非破壞性讀出，斷電后信息丟失；C.電子
②A.隨機(jī)存??；B.非破壞性讀出或破壞性讀出； C.電子
?、跘.隨機(jī)半順序讀出；B.非破壞性讀出，永久保存；C.磁
(2) A.若干存儲(chǔ)單元組成的機(jī)器字的基本存儲(chǔ)單位；B.存儲(chǔ)器所能容納的最大二進(jìn)制信息字節(jié)數(shù)(或所有存儲(chǔ)單元的總數(shù))；C.存儲(chǔ)單元中對(duì)應(yīng)一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的地址編號(hào)。
(3) A.觸發(fā)器；B.電荷存儲(chǔ)器件。
(4) A.有電荷泄漏，需定期補(bǔ)充；B.集中式；C.分散式；D.異步式。
(5) A.存儲(chǔ)時(shí)間；B.從存儲(chǔ)器接收讀出請(qǐng)求到所需要的信息出現(xiàn)在它的輸出端上的時(shí)間；C.寫入時(shí)間。→
5.3 計(jì)算機(jī)的內(nèi)存一般存儲(chǔ)容量小，存儲(chǔ)速度快，目前多采用半導(dǎo)體器件組成。通常有動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM兩部分組成。常把軟磁盤和硬磁盤、磁帶等作為外存設(shè)備。最近光存儲(chǔ)器的應(yīng)用也越來越廣泛。外存容量大、速度低，必須配備專門的讀/寫控制設(shè)備。→
5.4 采用矩陣形式存儲(chǔ)信息主要是為了節(jié)省地址譯碼電路，提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成度。例如要組成1KB的內(nèi)存，若不采用矩陣形式來組織這些單元，就需要1024條譯碼線才能實(shí)現(xiàn)對(duì)1KB的尋址。但若用32X32的矩陣來排列，則只要有32條行選擇線和32條列選擇線就可以了。存儲(chǔ)容量越大，矩陣形式的優(yōu)越性就越明顯。→
5.5 常采用存儲(chǔ)器的模塊結(jié)構(gòu)及在一個(gè)存儲(chǔ)模塊內(nèi)再將存儲(chǔ)器分組，這樣可用地址的高位對(duì)模塊選擇，其余位對(duì)存儲(chǔ)器組進(jìn)行選擇。→
5.6 選擇存儲(chǔ)器件首要的選擇指標(biāo)是存儲(chǔ)速度及芯片的存儲(chǔ)容量。同時(shí)還應(yīng)考慮芯片的集成度、功耗、價(jià)格、易失性等。→
5.7 靜態(tài)RAM是用觸發(fā)器存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。靜態(tài)RAM是非破壞性讀出，與動(dòng)態(tài)RAM相比容量小、功耗大(總有管子處于導(dǎo)通狀態(tài))。→
5.8 當(dāng)對(duì)靜態(tài)RAM讀/寫時(shí)，地址信號(hào)被分為片內(nèi)地址和片選地址兩部分，分別用于片內(nèi)存儲(chǔ)單元的選擇和芯片組的選擇。→
5.9 無論采用何種工藝，動(dòng)態(tài)RAM都是利用電容存儲(chǔ)電荷的原理來保存信息。與靜態(tài)RAM相比，動(dòng)態(tài)RAM電路結(jié)構(gòu)簡單，存取速度快、集成度高、存儲(chǔ)容量大。但使用它必須配以復(fù)雜的刷新控制電路，以不斷地對(duì)其補(bǔ)充電荷，因此連較靜態(tài)RAM復(fù)雜，故常用在要求速度快、存儲(chǔ)容量大的場合。→
5.10 由于動(dòng)態(tài)RAM維持信息的時(shí)間僅為2ms，因此必須在2ms內(nèi)對(duì)動(dòng)態(tài)RAM進(jìn)行刷新。由于刷新工作是任一動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器都需要的，因此刷新是按行進(jìn)行的。而正常讀/寫操作則是根據(jù)程序運(yùn)行的要求，對(duì)某一部分單元進(jìn)行讀/寫操作。→
5.11 存儲(chǔ)器讀周期和寫周期的主要差別在于在數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)數(shù)據(jù)的時(shí)間，對(duì)存儲(chǔ)讀周期，是在地址線和選通控制線穩(wěn)定后，被讀出的數(shù)據(jù)才出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上，而對(duì)于存儲(chǔ)器寫周期，則是往存儲(chǔ)器內(nèi)寫入新的信息，故在所有選通控制信號(hào)出現(xiàn)之前，數(shù)據(jù)線上應(yīng)有待寫的穩(wěn)定數(shù)據(jù)。→
5.12 ROM常由廠家將系統(tǒng)程序固化好，配備到計(jì)算機(jī)上。PROM，如監(jiān)控程序，IBM PC中的BIOS，它是一次性可編程的ROM.目前只有雙極型工藝，典型應(yīng)用是高速計(jì)算機(jī)中的微程序存儲(chǔ)器，或作專用函數(shù)庫。EPROM是紫外線可擦除的ROM。是目前在微機(jī)應(yīng)用與開發(fā)中應(yīng)用最廣泛的芯片，常用于固化(存儲(chǔ))用戶已開發(fā)成功的程序。EEPROM試電可擦除的可編程ROM，它摒棄了EPROM需脫機(jī)寫入和擦除的缺點(diǎn)，可在線進(jìn)行改寫，因此，在用戶開發(fā)過程中，程序尚未定型時(shí)采用較多。→
5.13 用1024X1為芯片組成64KX8位存儲(chǔ)器所需RAM芯片為16KX8/1024X1=512片。每個(gè)芯片組應(yīng)為1024X8,故需8片。共需芯片組數(shù)為512/8=64.片內(nèi)地址線為P1=log21024=10。存儲(chǔ)器地址線為P=log265536=16,故芯片選擇線應(yīng)為P'=P-P1=16-10=6。→
5.14 (1) 該存儲(chǔ)器的尋址范圍為214=16384,能存儲(chǔ)16384個(gè)字節(jié)的信息。
(2) 存儲(chǔ)容量為16KB,每個(gè)芯片組需8片，所需芯片總數(shù)為64KX8/1KX1=16X8=128片。
(3) 根據(jù)(5.13)，芯片選擇線為P'=log216K-log21K=14-10=4。→
5.15 (1) 所需RAM芯片總數(shù)16KX16/1KX4=64片。
(2) 采用異步刷新方式，在2ms內(nèi)分散的把所有存儲(chǔ)單元的64行刷新一遍，故刷新信號(hào)的時(shí)間間隔為2ms/64=31.25µs,可取刷新信號(hào)周期為30µs。
(3) 若采用集中刷新方式，假定T為讀/寫周期，所有存儲(chǔ)單元刷新一遍(64行)需64T。設(shè)T單位時(shí)間為µs，則死時(shí)間率為：
死時(shí)間率=64T/2ms=(64T/2000)X100%→