1.1.1 本征半導體 

　　純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導體我們稱之為本征半導體。常用的半導體材料有：硅和鍺。它們都是四價元素，原子結(jié)構(gòu)的最外層軌道上有四個價電子，當把硅或鍺制成晶體時，它們是靠共價鍵的作用而緊密聯(lián)系在一起。

　　共價鍵中的一些價電子由于熱運動獲得一些能量，從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，我們稱這些空位為空穴，它帶正電。 在外電場作用下，自由電子產(chǎn)生定向移動，形成電子電流;

　　一般來說，共價鍵中的價電子不完全象絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、升溫、電磁場激發(fā)等)，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子，將這種物理現(xiàn)象稱作為本征激發(fā)。 

　　本征半導體中的自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，同時又不斷復合，在一定溫度下達到動態(tài)平衡，載流子便維持一定數(shù)目。溫度愈高，載流子數(shù)目愈多，導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件性能的影響很大。

　　1.1.2 摻雜半導體

　　相對而言，本征半導體中載流子數(shù)目極少，導電能力仍然很低。但如果在其中摻入微量的雜質(zhì)，所形成的雜質(zhì)半導體的導電性能將大大增強。由于摻入的雜質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可以分為N型和P型兩大類。

        N型半導體中摻入的雜質(zhì)為磷或其他五價元素，磷原子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中的原子并構(gòu)成共價鍵時，多余的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，于是半導體中的自由電子數(shù)目大量增加，自由電子成為多數(shù)載流子，空穴則成為少數(shù)載流子。

　　P型半導體中摻入的雜質(zhì)為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中的原子并構(gòu)成共價鍵時，將因缺少一個價電子而形成一個空穴，于是半導體中的空穴數(shù)目大量增加，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子則成為少數(shù)載流子。