4.3.1 直流參數
1. 飽和漏極電流IDSS
IDSS是耗盡型和結型場效應管的一個重要參數, 它的定義是當柵源之間的電壓UGS等于零, 而漏、源之間的電壓UDS大于夾斷電壓UP時對應的漏極電流。
2. 夾斷電壓UP
UP也是耗盡型和結型場效應管的重要參數, 其定義為當 UDS一定時,使ID減小到某一個微小電流(如1μA, 50μA)時所需的UGS值。
3. 開啟電壓UT
UT是增強型場效應管的重要參數, 它的定義是當UDS一定時, 漏極電流ID達到某一數值(例如10μA)時所需加的UGS值。
4. 直流輸入電阻RGS
RGS是柵、源之間所加電壓與產生的柵極電流之比。由于柵極幾乎不索取電流, 因此輸入電阻很高。 結型為106 Ω以上, MOS管可達1010Ω以上。
4.3.2 交流參數
1. 低頻跨導gm
它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
跨導gm的單位是mA/V。它的值可由轉移特性或輸出特性求得。
根據場效
2．極間電容
場效應管三個電極之間的電容,包括CGS、CGD和CDS。這些極間電容愈小, 則管子的高頻性能愈好。 一般為幾個pF。
4.3.3 極限參數
1. 漏極最大允許耗散功率PDm
PDm與ID、UDS有如下關系:
這部分功率將轉化為熱能, 使管子的溫度升高。PDm決定于場效應管允許的最高溫升。
2. 漏、源間擊穿電壓BUDS
在場效應管輸出特性曲線上, 當漏極電流ID急劇上升產生雪崩擊穿時的UDS。工作時外加在漏、源之間的電壓不得超過此值。
3. 柵源間擊穿電壓BUGS
結型場效應管正常工作時, 柵、源之間的PN結處于反向偏置狀態(tài), 若UGS過高, PN結將被擊穿。
對于MOS場效應管, 由于柵極與溝道之間有一層很薄的二氧化硅絕緣層, 當UGS過高時, 可能將SiO2絕緣層擊穿, 使柵極與襯底發(fā)生短路。這種擊穿不同于PN結擊穿, 而和電容器擊穿的情況類似, 屬于破壞性擊穿, 即柵、 源間發(fā)生擊穿, MOS管立即被損壞。