1．  析圖T3.1所示電路中，各二極管是導(dǎo)通還是截止？設(shè)所有二極管均為硅二極管，求出各電路輸出電壓值？

 

2．  畫出圖T3.2中各電路對(duì)應(yīng)于輸入的輸出電壓的波形。

 

3．  如圖T3.3所示電路，當(dāng)輸入幅度為6V，寬度為的方波u_i時(shí)，試分別畫出開(kāi)關(guān)S接在位置“1”和“2”兩種情況下A點(diǎn)和B點(diǎn)的波形。

 

 

4．  電路如圖T3.4所示，相對(duì)于輸入波形u_i畫出各電路的輸出波形，并標(biāo)明輸出幅度（設(shè)所有二極管均為硅材料二極管）。

5．  電路如圖T3.5所示，試分析其邏輯功能，并寫出電路輸出和輸入之間的邏輯表達(dá)式。

6．  說(shuō)明在圖T3.6所示各電路中半導(dǎo)體三極管的工作狀態(tài)。

7．電路如圖T3.7所示，已知晶體管≥50，V，V，V。

（1）       為多大時(shí)晶體管處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)；

（2）       為多大時(shí)晶體管處于臨界飽和狀態(tài)。

 

8．N溝道增強(qiáng)型MOS管和P溝道增強(qiáng)型MOS管各自的導(dǎo)通與截止條件，并比較兩者特性的主要不同點(diǎn)？

9．圖T3.9所示各電路中，MOS管的導(dǎo)通電阻=500，分析估算各自的輸出電壓，并比較它們的輸出電壓幅度。

 

 

10．試分析圖T3.10所示電路的邏輯功能，并列出真值表。

11．試分析圖T3.11所示各電路的邏輯功能，并列出真值表。

12．對(duì)應(yīng)圖T3.12所示的電路及輸入信號(hào)波形，畫出、、、的波形。

13．寫出圖T3.13所示各TTL門電路輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。

 

 

14．圖T3.14（a）～（f）中所示均為TTL門電路，輸入信號(hào)如圖（g）所示，對(duì)應(yīng)畫出各個(gè)輸出信號(hào)的波形圖。

 

15．在圖T3.15由74系列TTL與非組成的電路中，計(jì)算門能驅(qū)動(dòng)多少同樣的與非門。要求輸出的高、低電平滿足≥3.2V，≤0.4V。與非門的輸入電流為≤mA，≤40A。≤0.4V時(shí)輸出電流最大值為mA，≥3.2V時(shí)輸出電流最大值為mA，的輸出電阻可忽略不計(jì)。

 

16．在圖T3.16由74系列或非組成的電路中，試求門能驅(qū)動(dòng)多少同樣的或非門。要求輸出的高、低電平滿足≥3.2V，≤0.4V。或非門每個(gè)輸入端的輸入電流為

≤mA，≤40A。≤0.4V時(shí)輸出電流最大值為mA，≥3.2V時(shí)輸出電流最大值為mA，的輸出電阻可忽略不計(jì)。

           

17．如圖T3.17所示TTL電路中，門、的輸出電流=150A、=13mA，輸出電壓、=0.4V；門、、的輸入電流=50A、mA，輸入電壓=2V，=0.8V。試估算的取值范圍。

18．寫出圖T3.18所示各電路輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。

19．分析圖T3.19所示各CMOS門電路，哪些能正常工作，哪些不能。寫出能正常工作者輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。

 

 

20．應(yīng)用正負(fù)邏輯的置換關(guān)系，寫出圖T3.20中各輸出端邏輯表達(dá)式。

 

 

21．在圖T3.21（a）所示電路中，每個(gè)門的平均傳輸延遲時(shí)間，輸入電壓、的重復(fù)頻率，波形見(jiàn)圖T3.21（b），試對(duì)應(yīng)畫出；

（1）不考慮傳輸延遲時(shí)間情況下的波形；

（2）考慮傳輸延遲時(shí)間后的實(shí)際波形。