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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-31 20:40

  C6D10065E分立碳化硅肖特基二極管

  

  產(chǎn)品型號：C6D10065E 重復(fù)峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-31 20:32

  C3D10065A

  

  產(chǎn)品型號：C3D10065A 重復(fù)峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-31 20:25

  C3D10065E分立碳化硅肖特基二極管

  

  產(chǎn)品型號：C3D10065E 重復(fù)峰值反向電壓：650V 浪涌峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-31 20:16

  C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管

  

  產(chǎn)品型號：C6D10065G 重復(fù)峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 最大持續(xù)電流：10A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-31 20:02

  C6D10065Q分立碳化硅肖特基二極管

  

  產(chǎn)品型號：C6D10065Q 重復(fù)峰值反向電壓：650V 直流阻斷電壓：650V 電容儲能：5.2µJ

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-30 11:12

  CGH35240F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH35240F 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 輸出功率：240 W 典型輸出功率 功率增益：11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-30 11:03

  CGH35060P2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH35060P2 頻率：3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-30 10:41

  CGH35060P1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH35060P1 頻率：3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-30 10:20

  CGH35015P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH35015P 頻率：3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率：15 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-30 10:03

  CGH31240F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH31240F 頻率：2.7 – 3.1 GHz 操作 增益：12分貝功率增益 效率：60% 功率附加效率

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