動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-19 14:40

  簡析SD NAND封裝

  

  半導(dǎo)體封裝可按下圖所示分類。大致分為兩種傳統(tǒng)封裝和晶圓級封裝，傳統(tǒng)封裝以芯片為單位切割晶圓進(jìn)行封裝工藝，而晶圓級封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝，然后切成單件。

  IOT mcu SD NAND 單片機(jī) 嵌入式硬件

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 14:40

  卓越存儲方案：杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND

  

  通過與MK米客方德SD NAND的適配，AC7916為市場提供了一個高效、可靠的存儲解決方案，并已經(jīng)在單詞機(jī)等產(chǎn)品上實現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。

  mcu NAND 存儲 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 09:44

  SD NAND測試套件：提升存儲芯片驗證效率

  

  SD NAND轉(zhuǎn)接板和燒錄座是一種專為工程師設(shè)計的輔助工具，它能夠?qū)⒉煌叽绲腟D NAND芯片轉(zhuǎn)換為通用TF接口封裝，從而方便地進(jìn)行性能測試和驗證。這種配套測試工具不僅提高了工作效率，還大大降低了測試成本。

  存儲芯片 測試座 轉(zhuǎn)接板

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• 發(fā)布了文章 2024-08-07 15:16

  【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存儲

  

  作為全球首家推出基于SLC開發(fā)SD NAND產(chǎn)品的原廠，MK米客方德推動了存儲技術(shù)的創(chuàng)新，為廣大用戶提供了高性能的存儲解決方案。

  mcu NAND 存儲 嵌入式

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• 發(fā)布了文章 2024-08-05 17:32

  存儲卡參考設(shè)計——MK品牌 SD NAND

  

  為了確保芯片能正常上電初始化，電壓要在0.5V以下至少1ms；電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35ms；主機(jī)關(guān)閉電源時，將卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期為1ms。在斷電期間，DAT, CMD和CLK應(yīng)斷開連接或由主機(jī)驅(qū)動到邏輯0，以避免工作電流通過信號線引出的情況。

  NAND 單片機(jī) 存儲卡

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 11:28

  SD卡耐用性全解析：如何找到防水、防摔、抗沖擊的存儲卡

  

  MK米客方德公司憑借其深厚的技術(shù)積累和對品質(zhì)的嚴(yán)格把控，推出了一系列SD存儲卡，它們不僅在用料上嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)化，在制成工藝上也嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程進(jìn)行制作。

  SD卡 sd存儲卡 存儲卡 存儲器件

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• 發(fā)布了文章 2024-07-29 15:13

  MK米客方德 SD NAND 在行車記錄儀中的應(yīng)用案例分享

  

  行車記錄儀作為現(xiàn)代汽車的重要組成部分，其對存儲芯片的要求非常高。存儲芯片不僅需要具備高容量和高速度，還必須在惡劣環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能。以下是MK米客方德SD NAND在某知名行車記錄儀品牌中的實際應(yīng)用案例，展示其在實際使用中的突出表現(xiàn)。

  mcu SD NAND 存儲芯片 行車記錄儀

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• 發(fā)布了文章 2024-07-26 10:32

  MK米客方德TF卡：高速存儲與低功耗設(shè)計的最佳選擇

  

  在追求性能的同時，MK TF卡同樣注重環(huán)保和節(jié)能。通過優(yōu)化的電路設(shè)計和智能電源管理，在保證性能的前提下，實現(xiàn)了更低的功耗。在某些應(yīng)用場景，如錄音筆、穿戴醫(yī)療、電子玩具等非常注重TF卡的低功耗特性。

  microSD TF卡 低功耗 高速存儲

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• 發(fā)布了文章 2024-07-24 15:46

  在醫(yī)療行業(yè)中，SD NAND產(chǎn)品如何滿足特定的存儲需求？

  

  MK米客方德的SD NAND產(chǎn)品以其高可靠性、高性能和客制化服務(wù)，為醫(yī)療行業(yè)提供了理想的存儲解決方案。隨著醫(yī)療技術(shù)的發(fā)展和對數(shù)據(jù)存儲要求的提高，MK米客方德SD NAND將繼續(xù)在醫(yī)療領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

  mcu 醫(yī)療設(shè)備 單片機(jī)

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• 發(fā)布了文章 2024-07-10 14:25

  NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析

  

  NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù)，它們在存儲單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。

  FlaSh mcu NAND

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