動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-10-10 11:51

  如何通過(guò)創(chuàng)新的參數(shù)識(shí)別(PI)方法優(yōu)化功率模塊性能？

  

  在最近舉行的PCIMEurope2024會(huì)議上，介紹了一種通過(guò)在高壓門(mén)驅(qū)動(dòng)器中實(shí)施參數(shù)識(shí)別(PI)模式來(lái)優(yōu)化功率模塊性能的新方法。將參數(shù)識(shí)別功能集成到門(mén)驅(qū)動(dòng)器中的結(jié)果顯示，在能源效率和系統(tǒng)穩(wěn)健性方面具有顯著的好處。高壓門(mén)驅(qū)動(dòng)器的考慮因素碳化硅(SiC)功率模塊為高壓應(yīng)用提供了一個(gè)引人注目的替代傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備的選擇。由于其高擊穿電壓和在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的能

  pcim 功率模塊 參數(shù)識(shí)別

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• 發(fā)布了文章 2024-10-09 11:16

  功率半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇跡象明顯，行業(yè)需求回暖

  

  近期，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)傳出逐步走出谷底的消息，引起業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。多家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)表示，市場(chǎng)需求開(kāi)始回升，尤其是在低壓與中壓功率器件領(lǐng)域，業(yè)者們對(duì)未來(lái)的市場(chǎng)前景持積極態(tài)度。

  AI 功率半導(dǎo)體 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2024-10-09 11:12

  SiC和GaN：新一代半導(dǎo)體能否實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性?

  

  近年來(lái)，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變?cè)絹?lái)越明顯。在過(guò)去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動(dòng)電氣化和強(qiáng)大未來(lái)的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多電力應(yīng)用中的傳統(tǒng)硅基設(shè)備。硅的時(shí)代已經(jīng)過(guò)去，其應(yīng)用的可靠性一直很高。如今，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體在長(zhǎng)期使用中是否能夠提供相同的安全前景，以及它們?cè)谖磥?lái)是否會(huì)成

  GaN SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-10-08 11:28

  全球MCU市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，中國(guó)OEM廠商崛起

  

  近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)YoleGroup發(fā)布了一份關(guān)于全球微控制器(MCU)市場(chǎng)的詳細(xì)報(bào)告。該報(bào)告預(yù)測(cè)，隨著科技的飛速發(fā)展和各行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，全球MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長(zhǎng)，到2029年將達(dá)到388億美元，彰顯出這一領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。值得注意的是，中國(guó)作為主要的新興市場(chǎng)之一，在MCU領(lǐng)域的發(fā)展尤為引人注目。近年來(lái)，中國(guó)的主要OEM(原始設(shè)備制造商)廠商

  mcu OEM 微控制器

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• 發(fā)布了文章 2024-10-08 11:26

  如何克服裸芯片動(dòng)態(tài)特性表征中的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)高效測(cè)量?

  

  功率半導(dǎo)體器件以多種形式使用——封裝為表面貼裝器件(SMD)或功率模塊——廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)景。功率半導(dǎo)體中包含的裸芯片必須在被放入封裝或功率模塊之前進(jìn)行特性表征，以加速開(kāi)發(fā)。然而，裸芯片的尺寸小、結(jié)構(gòu)脆弱，以及探針引起的寄生效應(yīng)，使得這一過(guò)程面臨多重挑戰(zhàn)。功率半導(dǎo)體器件最初在晶圓上制造，之后進(jìn)行切割和封裝，才能用于實(shí)際的電力電子電路。在制造過(guò)程的早期階段進(jìn)行

  SMD 功率模塊 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-06 11:39

  如何通過(guò)第八代IGBT技術(shù)推動(dòng)可再生能源的未來(lái)?

  

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)對(duì)于高功率應(yīng)用中的高效率至關(guān)重要，特別是在阻斷電壓超過(guò)600V的情況下?？稍偕茉搭I(lǐng)域，如光伏(PV)和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)，在應(yīng)對(duì)全球變暖方面取得了顯著增長(zhǎng)，推動(dòng)了對(duì)功率半導(dǎo)體的需求。對(duì)高功率等級(jí)逆變器的需求正在增加。工程師必須在有限的空間內(nèi)設(shè)計(jì)高功率系統(tǒng)，這就需要IGBT模塊在保持既定封裝尺寸的同時(shí)提供更高的輸出功率。201

  IGBT 可再生能源 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-09-05 11:29

  全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)強(qiáng)勁復(fù)蘇，AI浪潮成關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

  

  據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，7月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷量實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，當(dāng)月銷售額飆升至513億美元，較去年同期的432億美元大幅增長(zhǎng)了18.7%，環(huán)比增長(zhǎng)也達(dá)到了2.7%。這一積極信號(hào)標(biāo)志著半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了一段時(shí)間的波動(dòng)與挑戰(zhàn)后，正式步入復(fù)蘇快車道。這一輪復(fù)蘇的背后，AI人工智能技術(shù)的蓬勃發(fā)展無(wú)疑扮演了至關(guān)重要的角色。隨著AI技術(shù)的不斷突

  AI 半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-05 11:25

  同步整流如何提升電源轉(zhuǎn)換器的性能和效率

  

  同步整流(Synchronous Rectification，簡(jiǎn)稱SR)是一種電源設(shè)計(jì)技術(shù)，通過(guò)用MOSFET替代傳統(tǒng)二極管來(lái)提高效率和性能。與使用肖特基二極管的非同步轉(zhuǎn)換器不同，SR使用MOSFET代替二極管，從而減少電壓降和功率損耗。

  二極管 同步整流 電源轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-03 10:39

  羅姆半導(dǎo)體推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)步，與吉利汽車展開(kāi)深度合作

  

  近日，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應(yīng)用于吉利電動(dòng)車品牌極氪的三款車型中，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展示了羅姆在SiC技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也為電動(dòng)汽車行業(yè)提供了更高效的解決方案。吉利與羅姆的合作已持續(xù)六年，此次合作的亮點(diǎn)在于首次將SiC元件引入極氪車型。具體而言，這三款車型包括了運(yùn)動(dòng)型多功能車(SUV)“X”

  MOSFET SiC 羅姆半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-09-03 10:37

  如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

  

  由于對(duì)提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中，高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)兩種不同的技術(shù)，以最大化功率模塊和器件的熱性能和功率密度。非隔離芯片組裝與直接液冷半導(dǎo)體功率模塊通常由安裝在直接銅鍵合(DCB)基板上的功率器件芯片組成。對(duì)于中高功率模塊，這種基板一般是電絕緣陶瓷，如氧化鋁(

  功率器件 功率模塊 芯片

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