動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-02-25 15:04

  濕法清洗和干法清洗，哪種工藝更適合先進制程的硅片

  

  在先進制程的硅片清洗工藝中，濕法清洗與干法清洗各有技術(shù)特性，適配場景差異顯著，并不存在絕對的“最優(yōu)解”，而是需要結(jié)合制程節(jié)點、結(jié)構(gòu)復雜度、污染物類型等核心需求綜合判斷。以下從技術(shù)特性、制程適配性、核心優(yōu)劣勢三個維度，結(jié)合先進制程的核心需求，對兩種工藝進行系統(tǒng)對比分析：技術(shù)特性與核心能力對比濕法清洗技術(shù)原理：以液體化學試劑為核心，通過氧化、溶解、蝕刻等化學反應

  先進制程 硅片

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• 發(fā)布了文章 2026-02-24 11:16

  小型Fab廠，適合選擇哪種性價比高的濕法清洗解決方案

  

  對于小型Fab廠而言，選擇濕法清洗解決方案的核心訴求是高性價比——即平衡設(shè)備投入成本、運行維護成本、工藝兼容性、空間利用率及擴展性，同時滿足基礎(chǔ)工藝需求（如晶圓表面清洗、去膠、金屬雜質(zhì)去除等）。以下從需求分析、方案類型、關(guān)鍵設(shè)備選型、成本優(yōu)化策略四個維度，給出針對性建議，并結(jié)合小型Fab的典型場景（如8英寸及以下晶圓、中低制程節(jié)點、多品種小批量生產(chǎn)）提供可落

  FAB 清洗機 濕法

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-27 13:40

  后道堿刻蝕工藝臺 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號：hdjksgyt

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-27 13:35

  手動CUP清洗機 芯洗科技

  

  產(chǎn)品型號：sdcupqxj

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• 發(fā)布了文章 2026-01-26 10:24

  芯矽科技高端濕制程解決方案：技術(shù)突破與量產(chǎn)實踐解析

  

  芯矽科技作為半導體濕法設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，其高端濕制程裝備及工藝技術(shù)綜合解決方案具有以下核心優(yōu)勢：一、多技術(shù)協(xié)同的清洗與蝕刻系統(tǒng)物理+化學復合清洗技術(shù)結(jié)合超聲波/兆聲波（1–10MHz高頻）空化效應與高壓噴淋，可清除低至10nm的顆粒，尤其適用于高深寬比結(jié)構(gòu)（如TSV硅通孔、FinFET鰭片）。通過多角度水流覆蓋復雜表面，實現(xiàn)無死角清潔。支持RCA標準流程（

  半導體 濕法

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-19 14:15

  半導體零件清洗機

  

  產(chǎn)品型號：bdtljqxj

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-19 13:57

  手動化學品灌裝機

  

  產(chǎn)品型號：sdhxpgzj

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2026-01-19 13:53

  全自動化學品灌裝機

  

  產(chǎn)品型號：qzdhxpgzj

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• 發(fā)布了文章 2026-01-14 14:04

  濕法刻蝕工作臺工藝流程

  

  濕法刻蝕工作臺的工藝流程是半導體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，以下是對該流程的介紹：預處理表面清洗與去污：使用去離子水、有機溶劑（如丙酮、酒精）或酸堿溶液清洗材料表面，去除油脂、灰塵等污染物，確保后續(xù)反應均勻性和一致性。掩膜制備：根據(jù)需求選用光刻膠、鉻層、氮化硅等作為掩模材料，并通過光刻技術(shù)形成精確的圖形窗口。涂覆光刻膠時采用旋涂法或其他方法控制厚度；曝光過程中將涂覆好

  半導體制造 濕法

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• 發(fā)布了文章 2026-01-14 14:02

  慢提拉槽：硅片清洗的高效與精細之道

  

  慢提拉槽是半導體和光伏行業(yè)中用于硅片清洗的關(guān)鍵設(shè)備，其核心功能是通過物理與化學作用的結(jié)合，實現(xiàn)硅片表面的高效脫水與潔凈度提升。以下從工藝原理、設(shè)備結(jié)構(gòu)、技術(shù)優(yōu)勢及應用場景等方面綜合解析：一、工藝原理與流程預脫水機制：慢提拉槽通常作為純水清洗的最后環(huán)節(jié)，硅片先完全浸泡于高純度去離子水中，隨后通過機械手或吊籃以極低速度（約0.1-0.5m/min）向上提拉。此時

  光伏 硅片

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