動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-11-21 15:15

  模擬器新紀元：晶存EMMC技術突破

  

  晶存128GB EMMC AT70BT7G3Y05G憑借620MB/s讀取速度、工業(yè)級寬溫(-40℃~85℃)及3000次擦寫壽命，為模擬器提供高速穩(wěn)定的存儲解決方案，確保大型場景流暢加載與長期穩(wěn)定運行。

  eMMC NAND 存儲芯片 晶存科技

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 14:50

  芯天下Nor Flash賦能血壓檢測儀精準監(jiān)測

  

  芯天下128Mbit Nor Flash XT25F128FWOIGT-W為動態(tài)血壓檢測儀提供醫(yī)療級存儲方案，支持133MHz高速讀取和20年數(shù)據(jù)保存期。其0.5μA超低待機功耗延長設備續(xù)航，10萬次擦寫壽命保障醫(yī)療數(shù)據(jù)完整存儲，滿足醫(yī)療設備對數(shù)據(jù)可靠性的嚴苛要求。

  檢測儀 監(jiān)測 閃存

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 15:12

  邁來芯3D磁傳感推動機器人舵機技術升級

  

  邁來芯MLX90378GVS-ABJ-307 3D磁傳感器通過Triaxis?技術實現(xiàn)三維磁場感知，支持5V-12V寬電壓與-40℃~160℃工作范圍，為機器人舵機提供±0.5°高精度非接觸位置檢測，顯著提升運動控制精度與可靠性。

  傳感器 機器人 邁來芯

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• 發(fā)布了文章 2025-11-18 15:23

  鴻星TCXO G21TC26助力無線連接創(chuàng)新

  

  鴻星晶振G21TC26.000SW001E是一款采用2016封裝的高精度溫補晶振(TCXO)，其頻率為26MHz，在-40℃至+85℃的工業(yè)級溫度范圍內可實現(xiàn)±0.5ppm的頻率穩(wěn)定性。

  無線連接 晶振 溫補晶振

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• 發(fā)布了文章 2025-11-17 14:23

  富士通FRAM增強圖傳模塊環(huán)境適應性

  

  富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機、安防監(jiān)控等場景的實時數(shù)據(jù)記錄需求。

  FRAM芯片 存儲芯片 富士通

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• 發(fā)布了文章 2025-11-14 15:03

  芯享程DCDC保障車載T-Box可靠運行

  

  芯享程AWK6612CBFAR DCDC轉換器憑借3V-36V寬輸入電壓、3A輸出電流及94%轉換效率，為車載T-Box提供高效電源解決方案。其符合AEC-Q100車規(guī)標準，能在冷啟動、負載突變等復雜工況下保持穩(wěn)定供電，確保通信模塊與定位系統(tǒng)可靠運行。

  DCDC 智能網(wǎng)聯(lián)汽車 轉換器

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 13:49

  普冉PY25Q512HB車規(guī)級Flash優(yōu)化車載功耗表現(xiàn)

  

  普冉PY25Q512HB車規(guī)Flash，512Mb寬溫低耗，高速133MHz，10萬次擦寫20年保數(shù)據(jù)，智能座艙ADAS全場景存儲。

  存儲芯片 車載 閃存

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 11:48

  得一微YEESTOR eMMC實現(xiàn)高精地圖高效存儲

  

  得一微YEESTOR SGM8005J 128GB車規(guī)級eMMC采用pSLC技術，提供30,000次擦寫壽命和400MB/s讀取速度，支持-40℃~105℃寬溫工作范圍，為高精地圖存儲提供高速、高可靠的數(shù)據(jù)保障，滿足自動駕駛系統(tǒng)對實時數(shù)據(jù)訪問和長期穩(wěn)定性的嚴苛要求。

  emmc 得一微 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-11-11 11:36

  MEMS振蕩器MST8012抗沖擊特性助力高振動應用

  

  麥斯塔MST8012 MEMS振蕩器以可編程特性（1Hz精度）、±2ppm全溫穩(wěn)定性及＞60,000g抗沖擊性突破傳統(tǒng)石英晶振局限，通過1.62V-3.63V寬電壓與4mA低功耗設計，適配工業(yè)、汽車電子等高可靠場景。

  mems 振蕩器 晶振

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• 發(fā)布了文章 2025-11-10 16:24

  博維邏輯MCLogic NVRAM助力5G小基站技術創(chuàng)新

  

  博維邏輯MCLogic 256KB NVRAM憑借微秒級讀寫速度與10^16次擦寫壽命，為5G小基站提供高可靠數(shù)據(jù)存儲方案。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍完美適配基站設備頻繁配置更新需求，助力提升網(wǎng)絡設備運行穩(wěn)定性與生命周期。

  5G 存儲芯片

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