動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  NiCr薄膜電阻優(yōu)化：利用鋁夾層實(shí)現(xiàn)高方塊電阻和低溫度電阻系數(shù)

  

  隨著系統(tǒng)集成封裝（SIP）技術(shù)發(fā)展，嵌入式薄膜電阻需同時(shí)滿足高方塊電阻（>100Ω/sq）和近零電阻溫度系數(shù)（│TCR│當(dāng)tAl>7.5nm時(shí)，Al層成為主要導(dǎo)電通道，導(dǎo)致Rs下降。電阻溫度系數(shù)TCR調(diào)控：Al夾層使TCR隨tAl增加呈現(xiàn)“先降后升”趨勢(shì)，在tAl=7.5nm時(shí)達(dá)到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工藝的界

  溫度電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證

  

  二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、黑磷）普遍存在高肖特基勢(shì)壘問題，導(dǎo)致載流子注入效率低下。近期發(fā)現(xiàn)的MoGe?P?單層因兼具高載流子遷移率（>103cm2V?1s?1）和適中間接帶隙（0.49eV），被視為理想溝道材料。本文通過第一性原理計(jì)算

  TLM 半導(dǎo)體 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應(yīng)用 | 電阻率溫度轉(zhuǎn)折機(jī)制分析

  

  微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)已廣泛應(yīng)用于汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域，但在航空發(fā)動(dòng)機(jī)等極端高溫環(huán)境（>500℃）中，傳統(tǒng)硅基傳感器因材料限制無法使用。碳化硅（SiC）因其高溫穩(wěn)定性、高集成性成為理想替代材料，但其關(guān)鍵材料參數(shù)（如襯底熱膨脹系數(shù)、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統(tǒng)研究，導(dǎo)致傳感器設(shè)計(jì)階段難以評(píng)估溫度效應(yīng)。本研究結(jié)合Xfilm埃利在線四探針方阻儀針對(duì)4H-SiC

  mems芯片 電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針薄膜測(cè)厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測(cè)量實(shí)踐

  

  平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材料等問題。本研究開發(fā)了一種基于四探針法的導(dǎo)電薄膜厚度測(cè)量?jī)x，其原理是通過將已知的薄膜材料電阻率除以方阻來確定厚度，并使用XFilm平板顯示在線方阻測(cè)試儀作為對(duì)薄膜在線方阻實(shí)時(shí)檢測(cè)，以提供數(shù)據(jù)支撐。旨在實(shí)現(xiàn)非破

  FPD 測(cè)厚 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針法 | 測(cè)量射頻（RF）技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

  

  SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對(duì)象，通過鋁PAD法與四探針法開展表面電阻測(cè)量研究。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度檢測(cè)能力，可為此類薄膜電學(xué)性能測(cè)量提供可靠技術(shù)保障。下文將重點(diǎn)分析四探針法的測(cè)量原理、實(shí)驗(yàn)方法與結(jié)果，

  RF 電阻 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  低維半導(dǎo)體器件電阻率的測(cè)試方法

  

  電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能評(píng)估和質(zhì)量控制具有重要意義。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度和智能化特性，可為低維半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能檢測(cè)提供了可靠解決方案。下文將系統(tǒng)闡述常規(guī)四探針法、改進(jìn)的

  半導(dǎo)體器件 測(cè)試 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  基于改進(jìn)傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析

  

  傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測(cè)量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導(dǎo)體如氧化鋅中，這一簡(jiǎn)化可能導(dǎo)致關(guān)鍵參數(shù)的顯著偏差。ZnO因其寬禁帶、高激子結(jié)合能等特性，在薄膜晶體管、傳感器和存儲(chǔ)器等器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值，其界面特性的準(zhǔn)確表征尤為

  TLM 半導(dǎo)體 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:04

  判定高電阻率硅的導(dǎo)電類型：基于氫氟酸HF處理結(jié)合擴(kuò)展電阻SRP分析的高效無損方法

  

  高電阻率硅因其低損耗和高性能特點(diǎn)，在電信系統(tǒng)中的射頻（RF）器件應(yīng)用中備受關(guān)注。尤其是作為絕緣硅（SOI）技術(shù)的理想基板，高電阻率硅的需求日益增加。然而，確定高電阻率硅的導(dǎo)電類型（n型或p型）一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)方法如表面光電壓（SPV）法受限于表面條件和低載流子濃度。本文提出了一種結(jié)合氫氟酸（HF）處理與擴(kuò)展電阻分布分析（SRP）的新方法，通過借助Xfil

  導(dǎo)電 電阻 高電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  面向5G通信應(yīng)用：高阻硅晶圓電阻率熱處理穩(wěn)定化與四探針技術(shù)精準(zhǔn)測(cè)量

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測(cè)器等領(lǐng)域的應(yīng)用需求激增。然而，高阻硅片電阻率的快速準(zhǔn)確測(cè)量仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。四點(diǎn)探針法（4PP）因其高精度、寬量程等特點(diǎn)被視為優(yōu)選方法，但其測(cè)量結(jié)果易受時(shí)間因素影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)不穩(wěn)定。本研究基于Xfilm埃利四探針方阻儀的系統(tǒng)性測(cè)量，首次觀察到高阻硅片電阻率的時(shí)間依賴性行為，揭示表面氧化引起的界面

  5G通信 晶圓 測(cè)量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測(cè)量

  

  氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μFE）的測(cè)量常因寄生電阻（Rs/d）和通道尺寸偏差（ΔL/ΔW）導(dǎo)致低估本征遷移率（μFEi）。本文通過傳輸線法（TLM），結(jié)合Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀，在多晶In?O?-TFT中分離通道電阻R

  TLM 電阻 薄膜晶體管

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