文章
-
9.1.12 硅基發(fā)光材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 02:01
第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝集成電路 800瀏覽量 -
5.3.1.2 雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:58
5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3SiC中的點(diǎn)缺陷5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.2.1SiCSiC 1228瀏覽量 -
9.2.1 晶體熱處理∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:57
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成集成電路 659瀏覽量 -
5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:53
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3SiC中的點(diǎn)缺陷5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器SiC 1349瀏覽量 -
9.2.2 晶體定向∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:51
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日集成電路 852瀏覽量 -
5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 01:48
5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.2載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生SiC 1362瀏覽量 -
9.2.3 晶錠切斷工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 01:47
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切集成電路 845瀏覽量