深圳市浮思特科技有限公司文章

• 電動(dòng)汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心的熱管理的未來(lái)2023-12-15 16:55

  

  在電動(dòng)車(chē)電池領(lǐng)域，盡管浸沒(méi)式冷卻技術(shù)提高了熱均衡性，省去了冷板和TIMs的需要，但由于液體的熱導(dǎo)率低及電池密封難度等因素，其應(yīng)用面臨挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)僅在特殊領(lǐng)域（如高性能或高成本的電動(dòng)車(chē)）采用。盡管如此，隨著電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，IDTechEx預(yù)測(cè)到2027年，浸沒(méi)式冷卻液體的需求將比去年增長(zhǎng)8倍。

  數(shù)據(jù)中心 熱管理 電動(dòng)汽車(chē) 1742瀏覽量

• 三星與ASML將聯(lián)手在韓國(guó)投資76億美元建設(shè)先進(jìn)芯片工廠(chǎng)2023-12-14 16:59

  

  他說(shuō)：“這次將是韓荷半導(dǎo)體聯(lián)盟的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)。”他表示在半導(dǎo)體成為戰(zhàn)略資產(chǎn)和全球供應(yīng)鏈圍繞地緣政治風(fēng)險(xiǎn)增長(zhǎng)的情況下，此次訪(fǎng)問(wèn)荷蘭將幫助兩國(guó)，“建立一個(gè)有組織的制度框架，密集解決全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈問(wèn)題。”

  ASML 三星 半導(dǎo)體 1113瀏覽量

• 碳化硅的挑戰(zhàn)與機(jī)遇2023-12-14 16:58

  

  可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道，薄氧化物提高了對(duì)通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運(yùn)行在低電壓下。這種解決方案需要對(duì)制造過(guò)程進(jìn)行微調(diào)。雖然關(guān)于薄介質(zhì)碳化硅器件的研究較少，但硅器件使用的氧化物厚度薄達(dá)到5nm，且沒(méi)有引發(fā)過(guò)多的隧道效應(yīng)。如上所述，使用高介電常數(shù)適宜可以在保持物理厚度的同時(shí)提供更好的通道控制。

  功率半導(dǎo)體 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 1803瀏覽量

• 碳化硅（SiC）技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力2023-12-13 15:14

  

  正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無(wú)比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。今天的最大挑戰(zhàn)仍然是伺服和其控制器之間的布線(xiàn)。由于必須承受來(lái)自電機(jī)和控制信號(hào)的高電流，布線(xiàn)成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發(fā)的反射波經(jīng)常成為問(wèn)題，對(duì)電機(jī)繞組的絕緣產(chǎn)生了破壞性壓力。

  IGBT 伺服器 硅基 碳化硅 1972瀏覽量

• 日本計(jì)劃為電動(dòng)汽車(chē)和芯片生產(chǎn)提供10年稅收優(yōu)惠2023-12-13 15:11

  

  這些稅收優(yōu)惠將包括每臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)40萬(wàn)日元（2749美元），每升可持續(xù)航空燃料30日元，以及每噸綠色鋼鐵2萬(wàn)日元。優(yōu)惠將持續(xù)10年，從業(yè)務(wù)計(jì)劃獲得批準(zhǔn)開(kāi)始。政府將要求企業(yè)在2026財(cái)年結(jié)束之前提交其計(jì)劃。

  半導(dǎo)體 電動(dòng)汽車(chē) 芯片 1194瀏覽量

• AMD印度重視數(shù)據(jù)中心及電信業(yè)作為戰(zhàn)略增長(zhǎng)領(lǐng)域2023-12-12 15:44

  

  AMD，全球半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)，在印度呈現(xiàn)強(qiáng)勁影響力，確認(rèn)數(shù)據(jù)中心和電信部門(mén)作為未來(lái)增長(zhǎng)的核心良機(jī)。AMD印度銷(xiāo)售總監(jiān)Vinay Sinha在與《亞洲電子時(shí)報(bào)》對(duì)話(huà)中指出，由政府?dāng)?shù)字化推動(dòng)的數(shù)據(jù)飛速增長(zhǎng)、5G的興起及AI、大數(shù)據(jù)以及業(yè)務(wù)中機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用等因素，闡釋了印度市場(chǎng)對(duì)于AMD的重要性。

  amd 半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心 935瀏覽量

• 電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展推動(dòng)高壓器件的要求2023-12-12 15:42

  

  隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展，設(shè)備的電壓需求不斷提升，甚至一些被認(rèn)為是相對(duì)低電壓的設(shè)備也正在突破已有的基線(xiàn)。處理高電壓的技術(shù)不是新的話(huà)題，但由于新的需求的數(shù)量和種類(lèi)的增加，無(wú)論是晶圓廠(chǎng)還是測(cè)試公司，高電壓測(cè)試都被置于了首要優(yōu)先級(jí)。例如，汽車(chē)現(xiàn)在已經(jīng)成為了多領(lǐng)域系統(tǒng)，電壓需求范圍大約在40伏特到2千伏特之間。

  電動(dòng)汽車(chē) 電壓 高壓器件 1435瀏覽量

• 英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)2023-12-11 16:10

  

  英特爾在2023年國(guó)際電子設(shè)備制造大會(huì)上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項(xiàng)名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)。這個(gè)技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實(shí)現(xiàn)了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的60納米柵極間距垂直堆疊。通過(guò)堆疊晶體管，該技術(shù)提高了面積效率和性能，同時(shí)還結(jié)合了背面供電和直接背面接觸這兩種技術(shù)。

  三星 晶體管 芯片 英特爾 1831瀏覽量

• ?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景2023-12-11 16:09

  

  當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過(guò)渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造中得到廣泛應(yīng)用。然而，制造者們是否能適當(dāng)?shù)亟档统杀?，并保穩(wěn)較新版本的氮化鎵技術(shù)的制程穩(wěn)定性，仍是一項(xiàng)未知挑戰(zhàn)。

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• AMD正式發(fā)布 MI300X AI 加速器，力壓英偉達(dá)H1002023-12-08 17:06

  

  如今，AMD已正式步入高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域，并攜正規(guī)的數(shù)據(jù)中心GPU，觀(guān)察其與英偉達(dá)主導(dǎo)地位的角逐將會(huì)相當(dāng)有趣。這場(chǎng)戰(zhàn)斗類(lèi)似于游戲GPU領(lǐng)域中的角逐，英偉達(dá)已占據(jù)了絕大多數(shù)市場(chǎng)份額，AMD 正為爭(zhēng)奪剩余的市場(chǎng)而戰(zhàn)。然而，MI300X對(duì)英偉達(dá)的H100構(gòu)成了有力的競(jìng)爭(zhēng)，甚至微軟的首席技術(shù)官最近都表示，他認(rèn)為AMD最終在這個(gè)市場(chǎng)上將非常有競(jìng)爭(zhēng)力。

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