深圳市浮思特科技有限公司文章

• IGBT的驅(qū)動(dòng)電路及短路保護(hù)2023-09-21 14:08

  

  絕緣柵雙極晶體管（以下簡(jiǎn)稱IGBT）是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，融合了MOSFET的快速開關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等優(yōu)勢(shì)。因此，IGBT是一種理想的開關(guān)器件，可以替代GTR，廣泛應(yīng)用于各種需要具備關(guān)閉能力的應(yīng)用領(lǐng)域，如各種固態(tài)電源供應(yīng)系統(tǒng)。

  IGBT IGBT驅(qū)動(dòng) 短路保護(hù) 驅(qū)動(dòng)電路 4328瀏覽量

• 如何測(cè)試 NPN 和 PNP 晶體管2023-09-21 13:48

  

  介紹： 晶體管是一種用于放大或切換電子信號(hào)和電力的半導(dǎo)體器件。它是一種三端口半導(dǎo)體器件，這些引腳分別標(biāo)記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）?，F(xiàn)在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。

  NPN型 pnp型 晶體管 檢測(cè) 4485瀏覽量

• 如何用萬用表測(cè)試MOSFET2023-09-20 15:09

  

  MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。

  IGBT MOSFET 功率器件 測(cè)試 2366瀏覽量

• IGBT在電磁爐中的應(yīng)用及解決方案2023-09-20 15:02

  

  分立式 IGBT 是現(xiàn)代基于逆變器的電磁烹飪產(chǎn)品的首選電源開關(guān)。隨著能源成本持續(xù)上升以及消費(fèi)者對(duì)更小型烹飪解決方案的需求增加，IGBT 技術(shù)必須不斷發(fā)展以滿足這些需求。感應(yīng)加熱的基本原理由邁克爾·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年發(fā)現(xiàn)，并由海因里希·倫茨 (Heinrich Lenz) 進(jìn)一步發(fā)展。

  IGBT MOSFET 電磁爐 4368瀏覽量

• 什么是變頻器（VFD）？2023-09-19 09:52

  

  IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類似的較慢開關(guān)組件。SCR 的優(yōu)勢(shì)在于，其設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，在輸入電壓質(zhì)量可變的情況下更加穩(wěn)健，并且成本相對(duì)較低。然而，正如有人提到逆變器上 IGBT 的較高載波頻率可能會(huì)導(dǎo)致問題一樣，整流器前端的 SCR 頻率較低也會(huì)導(dǎo)致問題。前端的這些較慢的開關(guān)頻率可能會(huì)導(dǎo)致電壓源中出現(xiàn)過多的諧波失真。

  IGBT 變頻器 逆變器 4901瀏覽量

• IGBT的應(yīng)用場(chǎng)景與應(yīng)用實(shí)例2023-09-18 14:58

  

  自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)應(yīng)用以來，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）經(jīng)歷了快速發(fā)展。它不僅取代了工業(yè)應(yīng)用中的MOS、GTR等器件，也逐漸取代了消費(fèi)電子應(yīng)用中廣泛使用的BJT、MOS等功率器件，甚至在原本由SCR、SCR為主的大功率領(lǐng)域占有一席之地。GTO、IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的代表，是國際上廣泛認(rèn)可的第三次電力電子技術(shù)革命的典型產(chǎn)物。

  IGBT MOSFET 晶體管 6361瀏覽量

• 什么是SiC MOSFET？2023-09-15 14:22

  

  碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來了新的可能性。

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體 材料 碳化硅 4309瀏覽量

• 什么是快速恢復(fù)二級(jí)管（FRD）？2023-09-14 11:29

  

  快恢復(fù)二極管的應(yīng)用包括整流器（尤其是高頻整流器）、各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域的電子電路以及汽車行業(yè)、用于檢測(cè)高頻射頻波的無線電信號(hào)檢測(cè)器，以及模擬和數(shù)字通信電路中用于整流和調(diào)制的目的。快恢復(fù)二極管之所以被稱為快恢復(fù)二極管，是因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)時(shí)間極短，能夠快速從反向模式切換到正向模式。

  二級(jí)管 信號(hào) 整流器 4100瀏覽量

• iPhone 15系列發(fā)布，首款3nm手機(jī)芯片2023-09-13 15:53

  

  蘋果和NVIDIA主導(dǎo)著潮流 據(jù)CommercialTimes報(bào)道，臺(tái)積電的其中一位頂級(jí)客戶NVIDIA也在考慮預(yù)訂2納米制程的產(chǎn)能。雖然如此，蘋果仍然是臺(tái)積電最大的收入來源，為該晶圓廠年度總收入的25%，作出了非常令人印象深刻的貢獻(xiàn)。

  3nm iphone15 手機(jī)芯片 芯片 2217瀏覽量

• IGBT 晶體管選型解析2023-09-13 15:47

  

  選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。

  IGBT 晶體管 電子設(shè)備 4152瀏覽量