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深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司文章

  • 選型手冊(cè):MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:36

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力,廣泛適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)等)。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT50N02D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源極耐壓(\(
    MOS 仁懋電子 晶體管 548瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:33

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)(BMS)、無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5122T為N溝道功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)為:漏源
    MOS 仁懋電子 晶體管 438瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT70R280D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:31

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT70R280D為N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,核心參數(shù)
    MOS 仁懋電子 晶體管 453瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:28

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息MOT65R600F為N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,核心參數(shù)表現(xiàn)
    MOS 仁懋電子 晶體管 619瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT15N50HF 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:17

    仁懋電子(MOT)推出的MOT15N50HF是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
    MOS 仁懋電子 晶體管 464瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT8N65MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 15:44

    仁懋電子(MOT)推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研
    MOS 仁懋電子 晶體管 582瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT5N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 15:37

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā),
    MOS 仁懋電子 晶體管 617瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT7N65AC 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 15:30

    仁懋電子(MOT)推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、高開(kāi)關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研
    MOS 仁懋電子 晶體管 665瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 14:53

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開(kāi)關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā),
  • 選型手冊(cè):MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 14:47

    仁懋電子(MOT)推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力,廣泛適用于適配器、充電器的功率開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與低壓大電流功率半導(dǎo)體布局仁懋電子(MOT)聚焦功率半導(dǎo)體器件研發(fā),在低壓
    MOS 仁懋電子 晶體管 824瀏覽量
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