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中科微電ZK60N06DS：N+N，低壓mos管功率控制的集成化新選擇2025-11-03 15:39
ZK60N06DS這款采用N+N雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET，正是為響應(yīng)這一需求而生——60V耐壓覆蓋主流低壓系統(tǒng)，5.8A單管載流適配中低功率負(fù)載，32mΩ低導(dǎo)通電阻保障能效，再輔以成熟的Trench工藝與緊湊的SOP-8封裝，成功將“雙管功能、單管占位”的優(yōu)勢(shì)落地，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、車載輔助等場(chǎng)景的優(yōu)選功率器件。 -
中科微電ZK30N140T：Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿2025-10-31 14:55
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中科微電憑借多年技術(shù)積淀，持續(xù)推出契合市場(chǎng)需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場(chǎng)景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn)，中科微電重磅推出N溝道MOS管ZK30N140T。 -
ZK60G120T：SGT+小型化封裝，60V/120A功率控制的破局者2025-10-31 14:47
ZK60G120T以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底，融合屏蔽柵（SGT）核心技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，構(gòu)建起“高性能+小體積”的雙重優(yōu)勢(shì)，成為中低壓大電流領(lǐng)域的新一代標(biāo)桿。 -
ZK30G011G：Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星2025-10-31 14:28
ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。 -
ZK60G120T：SGT+PDFN封裝，60V/120A功率器件的小型化革命2025-10-31 14:09
在消費(fèi)電子快充、車載電源、工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)等中低壓大電流場(chǎng)景中，功率器件正面臨“大電流承載”與“小型化設(shè)計(jì)”的雙重訴求。ZK60G120T這款N溝道MOSFET，以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，創(chuàng)新融合屏蔽柵（SGT）技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，既突破了傳統(tǒng)器件“大電流必大體積”的瓶頸，又實(shí)現(xiàn)了低損耗與高可靠性的平衡，成為中低壓大電流 -
ZK150G002TP：SGT技術(shù)賦能的150V高壓大電流MOSFET標(biāo)桿2025-10-31 11:03
在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景中，MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù)，成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件，為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開(kāi)關(guān)解決方案。 -
中科微電ZK4030DG：N+P MOS管領(lǐng)域的Trench工藝性能典范2025-10-30 10:49
在MOS管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產(chǎn)品搭載先進(jìn)的Trench（溝槽）工藝，采用PDFN5x6-8L緊湊封裝，在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼，為汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等多領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì)提供了高效解決方案，成為N+P -
160A大電流賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK30G011Q MOS管技術(shù)解析2025-10-30 10:16
在低壓大電流功率控制領(lǐng)域，器件的電流承載能力、能效水平與小型化適配性成為衡量性能的核心指標(biāo)。中科微電推出的ZK30G011Q N溝道MOS管，憑借30V耐壓與160A超大電流的參數(shù)突破，結(jié)合Trench工藝與緊湊封裝設(shè)計(jì)，為消費(fèi)電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景提供了高效穩(wěn)定的功率開(kāi)關(guān)解決方案，重新定義了低壓大電流器件的性能邊界。 -
雙向控制賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索2025-10-28 15:34
一、參數(shù)解構(gòu)：N+P雙溝道的性能優(yōu)勢(shì)在低壓功率電子領(lǐng)域，對(duì)器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛，中科微電ZK4030DS作為一款N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，其參數(shù)組合精準(zhǔn)契合低壓場(chǎng)景的核心需求，為雙向能量管理與電路簡(jiǎn)化提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。從電壓與電流承載維度來(lái)看，ZK4030DS呈現(xiàn)出鮮明的雙溝道特性：N溝道部分具備40V的正向漏源擊穿電壓（B -
雙溝道賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK3010DSMOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索2025-10-28 13:49
在低壓電子系統(tǒng)中，對(duì)功率器件的雙向控制能力、低功耗與小型化需求日益迫切，傳統(tǒng)單溝道MOS管往往需要多器件搭配才能實(shí)現(xiàn)雙向電流管理，不僅增加電路復(fù)雜度，還占用更多PCB空間。中科微電精準(zhǔn)洞察這一痛點(diǎn)，推出ZK3010DS N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，憑借30V/-30V雙向耐壓、5.8A/-12A電流承載、低至1.85V/-1.5V的柵極閾值電壓，結(jié)合Trenc