LED芯片核心部位特寫照

　　如上圖所示，用電子顯微鏡所拍攝的LED芯片核心部位特寫照。類似用嵌入式工藝將電極和陰極連接起來，其他一部分則與陽極連接起來。

　　每個LED芯片核心部件雖然都很小，但是大部分都用于支撐材料。斜對角線的刻痕劃分隔開了雙襯底，在天藍色的基板上，可以看到有一層很薄的氮化鎵（GaN），大約只有7μm薄。藍寶石襯底主要是注入了GaN生長介質(zhì)。

　　在襯底隆起的圖樣，降低了GaN的位錯密度，在襯底基質(zhì)起到機械性支持和散熱片的作用。在GaN底部6μm處通常不起作用。結(jié)晶體會逐漸干涉滲透到1μm處，這時，光發(fā)射極區(qū)域便確定了。光發(fā)射區(qū)要小到一定的數(shù)量級，達到納米（nm）級范圍內(nèi)，最后植入在上表面下的約100nm處。