CPM3-1200-0021A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進行了優(yōu)化；電機驅(qū)動器；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；谧钚碌牡谌夹g(shù)；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項，使設(shè)計人員能夠為其應(yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計，以提高硬開關(guān)性能。軟開關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設(shè)計復(fù)雜性；大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設(shè)計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。。

好處
以更低的開關(guān)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
增加功率密度
易于并行并與標準柵極驅(qū)動設(shè)計兼容

特征
高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 過溫穩(wěn)定性
具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開關(guān)
溫度范圍內(nèi)的低傳導(dǎo)損耗
雪崩堅固性

應(yīng)用
固態(tài)斷路器
可再生能源逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
高性能焊接電源
高壓系統(tǒng)的輔助電源

阻斷電壓:1200V
電阻：21hR
柵極電荷總數(shù)：162 nC 
輸出電容：180 pF
反向恢復(fù)電荷：982nC
反向恢復(fù)時間 ：34納秒
最高結(jié)溫：175°C

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