CMPA2935150S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Cree

型號： CMPA2935150S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

效率高功率附加效率
典型 PSAT 190 W
擊穿電壓高擊穿電壓
耐高溫高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA2935150S 是采用 QFN 封裝的高功率兩級 MMIC，可實現(xiàn)緊湊的模塊設(shè)計和易于組裝。該器件能夠提供 150W 的脈沖輸出功率。

特征
高功率附加效率
190 W 典型 PSAT
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
民用和軍用脈沖雷達放大器

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