The JXP3407MRG uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications.
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS（V） 30
- ID（A） 4.2
- VGS（±V） 20
- Vgs Typ（V） 1.5
- @10V Typ 46 mΩ
- @4.5V Typ 65 mΩ
- 封裝形式 SOT23-3L
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET2022-01-04 18:16
產(chǎn)品型號：JXP3416VRG VDS（V）：20 ID（A）：6 VGS（±V）：10 Vgs Typ（V）：0.7 @4.5V Typ：14 mΩ -
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET2022-01-04 16:29
產(chǎn)品型號：JXP3407VRG VDS（V）：30 ID（A）：4 VGS（±V）：20 Vgs Typ（V）：1.5 @10V Typ：46 mΩ -
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET2022-01-04 16:25
產(chǎn)品型號：JXP3407MRG VDS（V）：30 ID（A）：4.2 VGS（±V）：20 Vgs Typ（V）：1.5 @10V Typ：46 mΩ -
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET2022-01-04 16:21
產(chǎn)品型號：JXP3401VRG VDS（V）：30 ID（A）：4 VGS（±V）：12 Vgs Typ（V）：0.7 @4.5V Typ：53 mΩ -
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET2022-01-04 16:16
產(chǎn)品型號：JXP2300VRG VDS（V）：20 ID（A）：4.5 VGS（±V）：12 Vgs Typ（V）：0.6 @4.5V Typ ：26 mΩ -
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET2022-01-04 16:13
產(chǎn)品型號：JXP2N7002VRG VDS(V)：60 ID（A）：0.3 VGS（±V）：20 Vgs Typ（V）：1.3 10VTyp (V)：1800 -
單節(jié)鋰離子和鋰聚合物電池保護芯片2022-01-04 16:01
產(chǎn)品型號：4418AD 過充電檢測電壓(V)：4.300±0.050 過充電釋放電壓(V)：4.100±0.050 過放電檢測電壓(V)：2.400±0.100 過放電釋放電壓(V)：3.000±0.100 向0V電池充電功能：30 -
同步升壓DC-DC 變換器2022-01-04 15:33
產(chǎn)品型號：XT1871 工作電壓（V）：0.9-6.5 輸出電壓（V）：1.8-5.0 輸出電流（mA）：300 靜態(tài)功耗（uA）：15 振蕩頻率（KHz）：300 -
同步升壓DC-DC 變換器2022-01-04 15:27
產(chǎn)品型號：XT1870B502SR 工作電壓（V）：0.9-5.2 輸出電壓（V）：2.8-5.0 輸出電流（mA）：300 靜態(tài)電流（uA）：15 振蕩頻率（KHz）：1000 -
同步升壓DC-DC 變換器2022-01-04 15:13
產(chǎn)品型號：XT1861 工作電壓（V）：0.9-6.5 輸出電壓（V）：1.8-5.0 輸出電流（mA）：300 靜態(tài)電流（uA）：15 振蕩頻率（KHz）：300